SI-B14000/1800-1.8 [DIOTEC]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 12000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3;
| 型号： | SI-B14000/1800-1.8 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 12000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 局域网 高压 二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：131K) |
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SI-B1 4000/1800-1.8
Version 2008-07-11
SI-B1 4000/1800-1.8
High Voltage Si-Rectifier Modules - Halfbridge
Si-Hochspannungs-Gleichrichter Module - Halbbrücke
Nominal current – Nennstrom
1.8 A
Alternating input voltage – Eingangswechselspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
4000 V
Weight approx. – Gewicht ca.
187 g
Compound has classification UL94V-0 – Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk – Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Rated DC voltage
Anschlussgleichspg.
VRD [V]
Alternat. input voltage
Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
Rep. peak reverse voltage
Period. Spitzensperrspg.
VRRM [V]
SI-B1 4000/1800-1.8
1800
4000
12000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom, R-Last
TA = 45°C
TA = 45°C
TA = 45°C
IFAV
IFSM
i2t
1.8 A
180/200 A
200 A2s
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
SI-B1 4000/1800-1.8
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Tj = 25°C IF = 1.8 A
VF
< 8 V
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 150°C VR = VRRM
IR
IR
< 10 µA
< 1 mA
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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