1N1199A/R [SEMIKRON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1;
| 型号： | 1N1199A/R |
| 厂家： | 
SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12A, 50V V(RRM), Silicon, DO-4, METAL PACKAGE-1 二极管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：91K) |
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1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Silicon-Power Rectifiers
Silizium-Leistungs-Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Metal case – Metallgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
DO-4
5.5 g
Recommended mounting torque
Empfohlenes Anzugsdrehmoment
18 ± 10% lb.in.
2 ± 10% Nm
Standard: Cathode to stud / am Gewinde
Dimensions / Maße in mm
Index R:
Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R)
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
1N 1199 A = PBY 271
1N 1200 A = PBY 272
1N 1202 A = PBY 273
1N 1204 A = PBY 274
1N 1206 A = PBY 275
50
100
200
400
600
800
1000
60
120
240
480
720
1N 3671
1N 3673
= PBY 276
= PBY 277
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TC = 100/C
f > 15 Hz
TA = 25/C
TA = 25/C
TA = 25/C
IFAV
IFRM
IFSM
IFSM
i2t
12 A 1)
40 A 1)
220 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
240 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms
240 A2s
1
)
Valid, if the temp. of the stud is kept to 100/C – Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100/C gehalten wird
54
01.04.2000
1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673
PBY 271 ... PBY 277
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 65…+175/C
TS – 65…+175/C
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25/C
Tj = 25/C
IF = 30 A
VF
IR
< 1.5 V
< 100 : A
< 2 K/W
VR = VRRM
Thermal resistance junction to stud
RthC
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
55
01.04.2000
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