TMG16D60H [SANREX]
TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated); TRIAC （表面贴装器件/非隔离）
| 型号： | TMG16D60H |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Surface Mount Device/Non-isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：473K) |
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(
)
TRIAC Surface Mount Device / Non-isolated
TMG16D60H
(
)
Sensitive Gate
Triac TMG16D60H is designed for full wave AC control applications.
TO-263
（7.0）
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
（4.0）
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
10ꢀ±0.3
4.5ꢀ±0.2
（6.91）
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
1.3ꢀ±0.2
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2
2
1
2
2
1
3
2.4ꢀ±0.2
3
1.27ꢀ±0.2
Features
IT(RMS)=16A
0.8ꢀ
±
0.15
0.5ꢀ
±
0.15
●
2.54ꢀ
±
0.25
2.5ꢀ
±0.2
5.08ꢀ±0.5
1
2
3
T1
T2
Gate
●
●
●
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Identifying Code：T16D6H
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
600
16
155/170
120
Tc＝98℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
5
0.5
2
10
W
W
A
G（AV）
IGM
VGM
Tj
Peak Gate Voltage
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
－40～＋125
－40～＋150
1.2
℃
℃
g
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
2
1.4
10
10
―
10
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝25A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
―
1.5
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
2
D
DRM
10
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
8A ms，V ＝／V
V μs
/
/
/
/
3
H
I
Holding Current
25
mA
Rth
Thermal Resistance
Junction to case
1.4
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
TMG16D60H
２００ On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
100
１００
５０
VGM（10V）
２０
１０
PGM（5W）
１０
５
PG（AV（） 0.5W）
25℃
+
２
１
１
I
I
I
GT1
GT1
GT3
-
Ｔｊ=２５℃
-
Ｔｊ=１２５℃
０．５
VG（D 0.2V）
０．１
１
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０
２．５
３．０
３．５
１０
100
Gate Curren（t mA）
1000
10000
On-State Voltage（V）
RMS On-State vs
Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
２０
１８
１６
１４
１２
１０
８
θ
θ＝
＝
１８０゜
１２５
１２０
１１５
１１０
１０５
１５０゜
θ
π
θ＝
１２０゜
０
2π
θ
３６
θ＝
９０゜
０゜
θ
：Conduction Angle
θ＝
６０゜
θ＝ 3 0 ゜
θ＝
３０゜
θ＝ 6 0 ゜
θ
π
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
６
０
2π
θ
４
３
６０゜
θ＝ 150゜
θ＝ 180゜
１００
９５
θ
：Conduction Angle
２
０
０
２
４
６
８
１０ １２ １４ １６ １８
０
２
４
６
８
１０ １２
１４ １６
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
１８０
１６０
１４０
１２０
１００
８０
60HZ
50HZ
１
６０
４０
20
０
１
０.１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１０
Time（Cycles）
１０0
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００VGT －T（j Typical）
１０００
５００
５００
２００
２００
１００
５０
V－GT３（3－）
１００
V＋GT１（1＋）
V－GT１（1－）
５０
I＋GT１（1＋）
I－GT１（1－）
I－GT３（3－）
２０
１０
２０
１０
－５０
０
５０
１００
１５０
－５０
０
５０
１００
１５０
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050 PH(516)625-1313 FX(516)625-8845 E-mail:semi@sanrex.com
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