TMG12C80 [SANREX]
TRIAC(Through Hole/Non-isolated); TRIAC （通孔/非隔离）
| 型号： | TMG12C80 |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC(Through Hole/Non-isolated) |
| 文件： | 总2页 (文件大小：472K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Non-isolated
TMG12C80
Triac TMG12C80 is designed for full wave AC control applications.
TO-220AB
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
＋ 0.2
－ 0.1
4.5
＋ 0.18
－ 0.44
10.10
1.27 ±0.12
Typical Applications
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
2
1
●
3
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
2
2.48 ±0.45
＋ 0.15
1
2
3
T1
T2
Gate
1.27 ±0.13
0.85 ±0.1
Features
●
●
●
●
IT(RMS)=12A
0.45
－ 0.1
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
1
2
3
2.54
2.54
Identifying Code：T12C8
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
800
12
119/130
Tc＝100℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
71
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
5
0.5
2
10
W
W
A
G（AV）
IGM
VGM
Tj
Peak Gate Voltage
V
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
－40～＋125
－40～＋150
2
℃
℃
g
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝20A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
―
1.5
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
D
10
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
6A ms，V ＝400V
V μs
/
/
/
/
H
I
Holding Current
20
mA
Rth
Thermal Resistance
Junction to case
1.8
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
TMG12C80
２００ On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
１００
１００
５０
２０
１０
５
１０
VGM（10V）
PGM（5W）
PG（AV（） 0.5W）
２
１
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
０．５
VG（D 0.2V）
０．１
１０
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０
２．５
３．０
３．５
１００
１０００
１００００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
１6 Maximum Power Dissipation
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
１２０
１１５
１１０
１０５
θ
＝
１８０゜
14
θ
＝
１５０゜
θ
π
θ
＝
１２０゜
12
０
2π
θ
θ
＝
９０゜
10
8
３
６
０゜
θ
＝
６０゜
θ
：Conduction Angle
θ＝ 3 0 ゜
θ
＝
３０゜
θ＝ 6 0 ゜
θ＝ 9 0 ゜
θ＝ 120゜
6
4
θ
π
０
2π
θ
θ＝ 150゜
３
６０゜
１００
９５
θ＝ 180゜
2
θ
：Conduction Angle
０
０
２
4
6
8
1 0
1 2
1 4
０
２
４
６
８
１０
１２
RMS On-State Curren（t A）
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
１４０
１２０
１００
８０
60HZ
１
６０
50HZ
４０
20
０
０.１
０.０１
１
１０
Time（Cycles）
１０0
０.１
１
１０
１００
Time（Sec.）
IGT －T（j Typical）
１０００VGT －T（j Typical）
１０００
５００
５００
２００
２００
１００
５０
V－GT３（3－）
１００
V＋GT１（1＋）
I＋GT１（1＋）
I－GT１（1－）
V－GT１（1－）
５０
I－GT３（3－）
２０
１０
２０
１０
－５０
０
５０
１００
１５０
－５０
０
５０
１００
１５０
Junction Temp. T（j ℃）
Junction Temp. T（j ℃）
相关型号：
TMG12C80F
Full Wave AC control applications It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
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