TMG12C80F2 [SANREX]
TRIAC;
| 型号： | TMG12C80F2 |
| 厂家： | 
SANREX CORPORATION |
| 描述： | TRIAC 三端双向交流开关 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：448K) |
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(
)
TRIAC Through Hole / Isolated
TMG12C80F2
Triac TMG12C80F2 is designed for full wave AC control applications.
TO-220F2
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
4.7±0.2
10.16±0.3
2.54±0.2
Typical Applications
●
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
1
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Tc POINT
2.76±0.2
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
3
1.4±0.2
0.8±0.2
2
0.5±0.15
1
2
3
T1
T2
Gate
Features
●
●
●
●
IT(RMS)=12A
1
2
3
2.54±0.25
5.08±0.5
High Surge Current
Low Voltage Drop
Lead-Free Package
Identifying Code：T12C8F2
Unit：mm
■Maximum Ratings
（Tj=25℃ unless otherwise specified）
Symbol
Item
Reference
Ratings
Unit
V
A
VDRM
IT（RMS）
ITSM
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
800
12
119/130
Tc＝79℃
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
A
2
2
2
I t
71
A S
I t（for fusing）
GM
P
P
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
5
0.5
2
10
1500
W
W
A
V
V
G（AV）
IGM
VGM
VISO
Tj
Peak Gate Voltage
A.C. 1minute
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
℃
℃
g
－40～＋125
－40～＋150
2
Tstg
■Electrical Characteristics
Ratings
Symbol
Item
Reference
Unit
Min. Typ. Max.
DRM
I
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
D
DRM
2
1.4
30
30
―
30
1.5
1.5
mA
V
V =V
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
TM
＋
V
IGT1
T
I ＝20A, Inst. measurement
－
IGT1
2
3
4
1
2
3
4
Gate Trigger Current
Gate Trigger Voltage
mA
＋
IGT3
－
IGT3
D
L
V ＝6V，R ＝10Ω
＋
VGT1
－
VGT1
V
V
＋
VGT3
―
1.5
－
VGT3
1
GD
V
Non-Trigger Gate Voltage
D
DRM
0.2
Tj＝125℃，V ＝／V
2
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
D
10
〔dv dt〕c
Tj＝125℃，〔di dt〕c＝
－
6A ms，V ＝400V
V μs
/
/
/
/
H
I
Holding Current
20
mA
Rth
Thermal Resistance
Junction to case
3.3
℃ W
/
＋
－
）
1（
）
2（
3（ III＋）
4（ III－）
TMG12C80F2
２００ On-State Characteristics（MAX）
Gate Characteristics
１００
１００
５０
２０
１０
５
１０
VGM（10V）
PGM（5W）
PG（AV（） 0.5W）
２
１
１
25℃
1＋GT１
1－GT１
1－GT３
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
０．５
VG（D 0.2V）
０．２
０．１
１０
０．５
１．０
１．５
２．０
２．５
３．０
３．５
１００
１０００
１００００
On-State Voltage（V）
Gate Curren（t mA）
R.M.S. On-State Current vs
１6 Maximum Power Dissipation
R.M.S. On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
１１５
１０５
９５
θ
θ＝
＝
１８０゜
14
１５０゜
θ
π
θ
＝
１２０゜
12
０
2π
θ
θ
＝
９０゜
10
8
３
６
０゜
θ
＝
６０゜
θ：Conduction Angle
θ＝30゜
θ＝60゜
θ
＝
３０゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
6
4
θ
π
８５
０
2π
θ
３６０゜
７５
６５
2
θ：Conduction Angle
０
０
２
4
6
8
1 0
1 2
1 4
０
２
４
６
８
１０
１２
R.M.S. On-State Curren（t A）
R.M.S. On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Transient Thermal Impedance
１０
１４０
１２０
１００
８０
60HZ
１
６０
50HZ
４０
20
０
０.１
０.０１
０.１
１
１０
１００
１
１０
Time（Cycles）
１０0
Time（Sec.）
１０００VGT －T（j Typical）
IGT －T（j Typical）
１０００
５００
５００
２００
２００
１００
５０
V－GT３（3－）
１００
V＋GT１（1＋）
I＋GT１（1＋）
I－GT１（1－）
V－GT１（1－）
５０
I－GT３（3－）
２０
１０
２０
１０
－５０
０
５０
１００
１５０
－５０
０
５０
１００
１５０
Junction Temp（. ℃）
Junction Temp（. ℃）
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