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M391T6553CZ0-CE7 [SAMSUNG]

DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC; 基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC
M391T6553CZ0-CE7
型号： M391T6553CZ0-CE7
厂家： SAMSUNG    SAMSUNG
描述：

DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE 240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die 64/72-bit Non-ECC/ECC
基于512MB DDR2无缓冲SDRAM内存条240PIN无缓冲模块的C-模具64 /72-位非ECC / ECC

动态存储器 双倍数据速率
文件： 总23页 (文件大小：439K)
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256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2 Unbuffered SDRAM MODULE  
240pin Unbuffered Module based on 512Mb C-die  
64/72-bit Non-ECC/ECC  
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Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2 Unbuffered DIMM Ordering Information  
Part Number  
Density  
Organization  
Component Composition  
Number of Rank  
Height  
x64 Non ECC  
M378T3354CZ3-CE7/E6/D5/CC  
M378T3354CZ0-CE7/E6/D5/CC  
M378T6553CZ3-CE7/E6/D5/CC  
M378T6553CZ0-CE7/E6/D5/CC  
M378T2953CZ3-CE7/E6/D5/CC  
M378T2953CZ0-CE7/E6/D5/CC  
256MB  
256MB  
512MB  
512MB  
1GB  
32Mx64  
32Mx64  
64Mx64  
64Mx64  
128Mx64  
128Mx64  
32Mx16(K4T51163QC)*4  
32Mx16(K4T51163QC)*4  
64Mx8(K4T51083QC)*8  
64Mx8(K4T51083QC)*8  
64Mx8(K4T51083QC)*16  
64Mx8(K4T51083QC)*16  
1
1
1
1
2
2
30mm  
30mm  
30mm  
30mm  
30mm  
30mm  
1GB  
x72 ECC  
M391T6553CZ3-CE7/E6/D5/CC  
M391T6553CZ0-CE7/E6/D5/CC  
M391T2953CZ3-CE7/E6/D5/CC  
M391T2953CZ0-CE7/E6/D5/CC  
512MB  
512MB  
1GB  
64Mx72  
64Mx72  
128Mx72  
128Mx72  
64Mx8(K4T51083QC)*9  
64Mx8(K4T51083QC)*9  
64Mx8(K4T51083QC)*18  
64Mx8(K4T51083QC)*18  
1
1
2
2
30mm  
30mm  
30mm  
30mm  
1GB  
Note: “Z” of Part number(11th digit) stand for Lead-free products.  
Note: “3” of Part number(12th digit) stand for Dummy Pad PCB products.  
Features  
•
Performance range  
E7 (DDR2-800)  
E6 (DDR2-667)  
D5 (DDR2-533)  
CC (DDR2-400)  
Unit  
Mbps  
Mbps  
Mbps  
CK  
Speed@CL3  
Speed@CL4  
Speed@CL5  
CL-tRCD-tRP  
400  
533  
400  
533  
400  
533  
400  
400  
-
800  
667  
533  
5-5-5  
5-5-5  
4-4-4  
3-3-3  
•
•
JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply  
= 1.8V ± 0.1V  
V
DDQ  
•
200 MHz f for 400Mb/sec/pin, 267MHz f for 533Mb/sec/pin, 333MHz f for 667Mb/sec/pin, 400MHz f for 800Mb/sec/pin  
CK CK CK CK  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
4 Banks  
Posted CAS  
Programmable CAS Latency: 3, 4, 5  
Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3 and 4  
Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1  
Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)  
Programmable Sequential / Interleave Burst Mode  
Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)  
Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment  
On Die Termination with selectable values(50/75/150 ohms or disable)  
PASR(Partial Array Self Refresh)  
Average Refresh Period 7.8us at lower than a T  
85°C, 3.9us at 85°C < T  
< 95 °C  
CASE  
CASE  
- support High Temperature Self-Refresh rate enable feature  
•
•
Package: 60ball FBGA - 64Mx8 , 84ball FBGA - 32Mx16  
All of Lead-free products are compliant for RoHS  
Note: For detailed DDR2 SDRAM operation, please refer to Samsung’s Device operation & Timing diagram.  
Address Configuration  
Organization  
Row Address  
A0-A13  
Column Address  
A0-A9  
Bank Address  
BA0-BA1  
Auto Precharge  
64Mx8(512Mb) based Module  
32Mx16(512Mb) based Module  
A10  
A10  
A0-A12  
A0-A9  
BA0-BA1  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
x64 DIMM Pin Configurations (Front side/Back side)  
Pin  
1
Front  
Pin  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
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128  
129  
130  
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149  
150  
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Pin  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
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45  
46  
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50  
51  
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57  
58  
59  
60  
Front  
Pin  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
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158  
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Pin  
61  
Front  
Pin  
181  
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184  
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Pin  
91  
92  
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97  
98  
Front  
Pin  
211  
212  
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215  
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220  
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237  
238  
239  
240  
Back  
DM5  
NC  
V
V
V
V
V
V
DQ19  
A4  
REF  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
V
V
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ4  
DQ5  
V
DQ28  
DQ29  
62  
63  
64  
A3  
A1  
DQS5  
DQS5  
SS  
SS  
DDQ  
V
DQ0  
DQ1  
V
DQ24  
DQ25  
A2  
SS  
V
V
V
V
DQ46  
DQ47  
SS  
SS  
DD  
DD  
SS  
V
DM0  
NC  
V
DM3  
NC  
KEY  
DQ42  
DQ43  
SS  
SS  
V
V
DQS0  
DQS0  
V
DQS3  
DQS3  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
85  
86  
87  
88  
89  
90  
185  
186  
187  
188  
189  
190  
191  
192  
193  
194  
195  
196  
197  
198  
199  
200  
201  
202  
203  
204  
205  
206  
207  
208  
209  
210  
CK0  
CK0  
SS  
SS  
V
V
V
DQ52  
DQ53  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
V
V
DQ6  
DQ7  
V
DQ30  
DQ31  
DQ48  
DQ49  
SS  
SS  
DD  
DD  
V
DQ2  
DQ3  
V
DQ26  
DQ27  
NC  
A0  
99  
SS  
V
V
V
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
CK2  
CK2  
SS  
SS  
DD  
DD  
SS  
V
DQ12  
DQ13  
V
NC  
NC  
A10/AP  
BA0  
BA1  
SA2  
SS  
SS  
2
V
V
DQ8  
DQ9  
V
NC  
NC  
NC, TEST  
DDQ  
SS  
V
V
V
RAS  
S0  
DM6  
NC  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
V
DM1  
NC  
V
NC  
NC  
WE  
CAS  
DQS6  
DQS6  
SS  
SS  
V
V
DQS1  
DQS1  
V
NC  
NC  
DDQ  
SS  
V
V
V
ODT0  
DQ54  
DQ55  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
1
V
CK1  
CK1  
V
NC  
NC  
S1  
DQ50  
DQ51  
A13  
SS  
SS  
V
V
NC  
NC  
V
NC  
NC  
ODT1  
DD  
SS  
V
V
V
V
DQ60  
DQ61  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
SS  
V
V
V
DQ14  
DQ15  
V
DQ36  
DQ37  
DQ56  
DQ57  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
V
V
DQ10  
DQ11  
V
CKE1  
DQ32  
DQ33  
DDQ  
SS  
V
V
V
CKE0  
DM7  
NC  
SS  
DD  
SS  
SS  
V
V
DQ20  
DQ21  
V
NC  
NC  
DM4  
NC  
DQS7  
DQS7  
SS  
DD  
SS  
V
DQ16  
DQ17  
V
NC  
NC  
DQS4  
DQS4  
SS  
V
V
V
DQ62  
DQ63  
SS  
DDQ  
SS  
SS  
V
V
DM2  
NC  
V
A12  
A9  
DQ38  
DQ39  
DQ58  
DQ59  
SS  
DDQ  
SS  
V
DQS2  
DQS2  
V
A11  
A7  
DQ34  
DQ35  
SS  
V
V
V
VDDSPD  
SA0  
SA1  
SS  
DD  
SS  
SS  
V
V
DQ22  
DQ23  
A8  
A6  
DQ44  
DQ45  
SDA  
SCL  
SS  
DD  
SS  
DQ18  
A5  
DQ40  
DQ41  
V
SS  
NC = No Connect, RFU = Reserved for Future Use  
1. Pin196(A13) is used for x4/x8 base Unbuffered DIMM.  
2. The TEST pin is reserved for bus analysis tools and is not connected on standard memory module products (DIMMs.)  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
x72 DIMM Pin Configurations (Front side/Back side)  
Pin  
1
Front  
Pin  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
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139  
140  
141  
142  
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145  
146  
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148  
149  
150  
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Pin  
31  
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37  
38  
39  
40  
41  
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48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
Front  
Pin  
151  
152  
153  
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156  
157  
158  
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178  
179  
180  
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Pin  
61  
Front  
Pin  
181  
182  
183  
184  
Back  
DDQ  
Pin  
91  
92  
93  
94  
95  
96  
97  
98  
Front  
SS  
Pin  
211  
212  
213  
214  
215  
216  
217  
218  
219  
220  
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230  
231  
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233  
234  
235  
236  
237  
238  
239  
240  
Back  
DM5  
NC  
V
V
V
V
V
V
DQ19  
A4  
REF  
SS  
SS  
V
V
2
3
4
5
6
7
8
9
DQ4  
DQ5  
DQ28  
DQ29  
62  
63  
64  
A3  
A1  
DQS5  
DQS5  
SS  
SS  
DDQ  
V
DQ0  
DQ1  
V
DQ24  
DQ25  
A2  
SS  
V
V
V
V
V
DQ46  
DQ47  
SS  
SS  
DD  
DD  
SS  
V
DM0  
NC  
DM3  
NC  
KEY  
DQ42  
DQ43  
SS  
SS  
V
V
DQS0  
DQS0  
V
DQS3  
DQS3  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
85  
86  
87  
88  
89  
90  
185  
186  
187  
188  
189  
190  
191  
192  
193  
194  
195  
196  
197  
198  
199  
200  
201  
202  
203  
204  
205  
206  
207  
208  
209  
210  
CK0  
CK0  
SS  
SS  
V
V
V
V
DQ52  
DQ53  
SS  
SS  
SS  
SS  
V
V
V
DQ6  
DQ7  
DQ30  
DQ31  
DQ48  
DQ49  
SS  
SS  
DD  
DD  
V
DQ2  
DQ3  
V
DQ26  
DQ27  
NC  
A0  
99  
SS  
V
V
V
V
V
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
CK2  
CK2  
SS  
SS  
DD  
DD  
SS  
V
DQ12  
DQ13  
CB4  
CB5  
A10/AP  
BA0  
BA1  
SA2  
SS  
SS  
2
V
V
DQ8  
DQ9  
V
CB0  
CB1  
NC, TEST  
DDQ  
SS  
V
V
V
V
RAS  
S0  
DM6  
NC  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
V
DM1  
NC  
DM8  
NC  
WE  
CAS  
DQS6  
DQS6  
SS  
SS  
V
V
DQS1  
DQS1  
V
DQS8  
DQS8  
DDQ  
SS  
V
V
V
V
ODT0  
A13  
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SS  
SS  
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SS  
V
CK1  
CK1  
CB6  
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S1  
ODT1  
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SS  
SS  
V
V
NC  
NC  
V
CB2  
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DD  
SS  
V
V
V
V
V
DQ60  
DQ61  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
SS  
V
V
V
DQ14  
DQ15  
DQ36  
DQ37  
DQ56  
DQ57  
SS  
SS  
DDQ  
SS  
V
V
DQ10  
DQ11  
V
CKE1  
DQ32  
DQ33  
DDQ  
SS  
V
V
V
V
CKE0  
DM7  
NC  
SS  
DD  
SS  
SS  
V
V
DQ20  
DQ21  
NC  
NC  
DM4  
NC  
DQS7  
DQS7  
SS  
DD  
SS  
V
DQ16  
DQ17  
V
NC  
NC  
DQS4  
DQS4  
SS  
V
V
V
V
DQ62  
DQ63  
SS  
DDQ  
SS  
SS  
V
V
DM2  
NC  
A12  
A9  
DQ38  
DQ39  
DQ58  
DQ59  
SS  
DDQ  
SS  
V
DQS2  
DQS2  
V
A11  
A7  
DQ34  
DQ35  
SS  
V
V
V
V
VDDSPD  
SA0  
SA1  
SS  
DD  
SS  
SS  
V
V
DQ22  
DQ23  
A8  
A6  
DQ44  
DQ45  
SDA  
SCL  
SS  
DD  
SS  
DQ18  
A5  
DQ40  
DQ41  
V
SS  
NC = No Connect, RFU = Reserved for Future Use  
1. Pin196(A13) is used for x4/x8 base Unbuffered DIMM.  
2. The TEST pin is reserved for bus analysis tools and is not connected on standard memory module products (DIMMs.)  
Pin Description  
Pin Name  
Description  
Pin Name  
CK0, CK1, CK2  
CK0, CK1, CK2  
SCL  
Description  
A0-A13  
DDR2 SDRAM address bus  
DDR2 SDRAM clocks (positive line of differential pair)  
BA0, BA1  
RAS  
DDR2 SDRAM bank select  
DDR2 SDRAM row address strobe  
DDR2 SDRAM column address strobe  
DDR2 SDRAM wirte enable  
DIMM Rank Select Lines  
DDR2 SDRAM clocks (negative line of differential pair)  
2
I C serial bus clock for EEPROM  
2
CAS  
SDA  
I C serial bus data line for EEPROM  
2
WE  
SA0-SA2  
I C serial address select for EEPROM  
S0, S1  
V
V
V
V
V
*
DDR2 SDRAM core power supply  
DDR2 SDRAM I/O Driver power supply  
DDR2 SDRAM I/O reference supply  
Power supply return (ground)  
Serial EEPROM positive power supply  
Spare Pins(no connect)  
DD  
CKE0,CKE1  
ODT0, ODT1  
DQ0 - DQ63  
CB0 - CB7  
DQS0 - DQS8  
DM(0-8)  
DDR2 SDRAM clock enable lines  
On-die termination control lines  
DIMM memory data bus  
*
DDQ  
REF  
SS  
DIMM ECC check bits  
SPD  
DD  
DDR2 SDRAM data strobes  
DDR2 SDRAM data masks  
NC  
RESET  
Not used on UDIMM  
Used by memory bus analysis tools  
(unused on memory DIMMs)  
DQS0-DQS8  
DDR2 SDRAM differential data strobes  
TEST  
* The VDD and VDDQ pins are tied to the single power-plane on PCB.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Input/Output Functional Description  
Symbol  
Type  
Function  
CK0-CK2  
CK0-CK2  
CK and CK are differential clock inputs. All the SDRAM addr/cntl inputs are sampled on the crossing of positive edge of  
CK and negative edge of CK. Output (read) data is reference to the crossing of CK and CK (Both directions of crossing)  
Input  
Activates the SDRAM CK signal when high and deactivates the CK Signal When low. By deactivating the clocks, CKE  
low initiates the Powe Down mode, or the Self-Refresh mode  
CKE0-CKE1  
Input  
Input  
Enables the associated SDRAM command decoder when low and disables the command decoder when high. When the  
command decoder is disbled, new command are ignored but previous operations continue. This signal provides for exter-  
nal rank selection on systems with multiple ranks  
S0-S1  
RAS, CAS, WE  
ODT0-ODT1  
Input  
Input  
RAS, CAS, and WE (ALONG WITH CS) define the command being entered.  
When high, termination resistance is enabled for all DQ, DQ and DM pins, assuming the function is enabled in the  
Extended Mode Register Set (EMRS).  
V
Supply Reference voltage for SSTL 18 inputs.  
REF  
Power supply for the DDR II SDRAM output buffers to provide improved noise immunity. For all current DDR2 unbuffered  
V
Supply  
DDQ  
DIMM designs, VDDQ shares the same power plane as VDD pins.  
BA0-BA1  
A0-A13  
Input  
Selects which SDRAM BANK of four is activated.  
During a Bank Activate command cycle, Address input defines the row address (RA0-RA13)  
During a Read or Write command cycle, Address input defines the colum address, In addition to the column address, AP  
is used to invoke autoprecharge operation at the end of the burst read or write cycle. If AP is high, autoprecharge is  
selected and BA0, BA1 defines the bank to be precharged. If AP is low, autoprecharge is disbled. During a precharge  
command cycle, AP is used in conjunction with BA0, BA1 to control which bank(s) to precharge. If AP is high, all banks  
will be precharged regardless of the state of BA0, BA1. If AP is low, BA0, BA1are used to define which bank to pre-  
charge.  
Input  
DQ0-DQ63  
CB0-CB7  
In/Out  
Input  
Data and Check Bit Input/Output pins.  
DM is an input mask signal for write data. Input data is masked when DM is sampled High coincident with that input data  
during a write access. DM is sampled on both edges of DQS. Although DM pins are input only, the DM loading matches  
the DQ and DQS loading.  
DM0-DM8  
Power and ground for DDR2 SDRAM input buffers, and core logic. VDD and VDDQ pins are tied to V /V  
planes on  
DD DDQ  
V
,V  
Supply  
DD SS  
these modules.  
DQS0-DQS8  
DQS0-DQS8  
Data strobe for input and output data. For Rawcards using x16 orginized DRAMs DQ0-7 connect to the LDQS pin of the  
DRAMs and DQ8-17 connect to the UDQS pin of the DRAM  
In/Out  
Input  
SA0-SA2  
These signals and tied at the system planar to either V or V to configure the serial SPD EERPOM address range.  
SS DD  
This bidirectional pin is used to transfer data into or out of the SPD EEPROM. A resistor must be connected from the  
SDA bus line to VDD to act as a pullup on the system board.  
SDA  
In/Out  
This signal is used to clock data into and out of the SPD EEPROM. A resistor may be connected from the SCL bus time  
to VDD to act as a pullup onthe system board.  
SCL  
Input  
Power supply for SPD EEPROM. This supply is separate from the V /V  
power plane. EEPROM supply is operable  
DD DDQ  
V
SPD  
Supply  
DD  
from 1.7V to 3.6V.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Functional Block Diagram: 512MB, 64Mx64 Module(Populated as 1 rank of x8 DDR2 SDRAMs)  
M378T6553CZ3 / M378T6553CZ0  
S0  
DQS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DQS4  
DM4  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D0  
D4  
DQS1  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DQS5  
DM5  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ8  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
DQ9  
D1  
D5  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS2  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DQS6  
DM6  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D2  
D6  
DQS3  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DQS7  
DM7  
DM  
NU/ CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D3  
D7  
V
V
Serial PD  
DDSPD  
Serial PD  
SCL  
WP  
* Clock Wiring  
/V  
D0 - D7  
D0 - D7  
D0 - D7  
DD DDQ  
SDA  
Clock Input DDR2 SDRAMs  
VREF  
A0  
A1  
A2  
*CK0/CK0 2 DDR2 SDRAMs  
*CK1/CK1 3 DDR2 SDRAMs  
*CK2/CK2 3 DDR2 SDRAMs  
V
SA0 SA1 SA2  
SS  
BA0 - BA1  
A0 - A13  
RAS  
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
A0-A13 : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
*Wire per Clock Loading  
Table/Wiring Diagrams  
CAS  
Notes :  
CKE0  
WE  
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.  
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 5.1 Ohms ± 5%.  
ODT0  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Functional Block Diagram: 512MB, 64Mx72 ECC Module(Populated as 1 rank of x8 DDR2 SDRAMs)  
M391T6553CZ3 / M391T6553CZ0  
S0  
DQS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DQS4  
DM4  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D0  
D4  
DQS1  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DQS5  
DM5  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ8  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
DQ9  
D1  
D5  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS2  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DQS6  
DM6  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D2  
D6  
DQS3  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DQS7  
DM7  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D3  
D7  
DQS8  
DQS8  
DM8  
Serial PD  
SCL  
WP  
DM  
CS DQS DQS  
SDA  
CB0  
CB1  
CB2  
CB3  
CB4  
CB5  
CB6  
CB7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
A0  
A1  
A2  
D8  
SA0 SA1  
SA2  
* Clock Wiring  
Clock Input DDR2 SDRAMs  
V
V
Serial PD  
D0 - D8  
D0 - D8  
D0 - D8  
DDSPD  
/V  
DD DDQ  
*CK0/CK0 3 DDR2 SDRAMs  
*CK1/CK1 3 DDR2 SDRAMs  
*CK2/CK2 3 DDR2 SDRAMs  
VREF  
BA0 - BA1  
A0 - A13  
RAS  
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
A0-A13 : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
V
SS  
*Wire per Clock Loading  
Table/Wiring Diagrams  
CAS  
Notes :  
CKE0  
WE  
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.  
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 5.1 Ohms ± 5%.  
ODT0  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Functional Block Diagram: 1GB, 128Mx64 Module(Populated as 2 ranks of x8 DDR2 SDRAMs)  
M378T2953CZ3 / M378T2953CZ0  
S1  
S0  
DQS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DQS4  
DM4  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D0  
D8  
D4  
D12  
DQS1  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DQS5  
DM5  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ8  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
DQ9  
D1  
D9  
D5  
D13  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS2  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DQS6  
DM6  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D2  
D10  
D6  
D14  
DQS3  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DQS7  
DM7  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D3  
D11  
D7  
D15  
V
V
Serial PD  
DDSPD  
Serial PD  
/V  
D0 - D15  
D0 - D15  
D0 - D15  
DD DDQ  
SCL  
WP  
SDA  
VREF  
A0  
A1  
A2  
SA2  
V
* Clock Wiring  
Clock Input DDR2 SDRAMs  
SS  
SA0 SA1  
BA0 - BA1  
A0 - A13  
CKE0  
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D15  
A0-A13 : DDR2 SDRAMs D0 - D15  
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
CKE : DDR2 SDRAMs D8 - D15  
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D15  
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D15  
*CK0/CK0 4 DDR2 SDRAMs  
*CK1/CK1 6 DDR2 SDRAMs  
*CK2/CK2 6 DDR2 SDRAMs  
CKE1  
RAS  
CAS  
*Wire per Clock Loading  
Table/Wiring Diagrams  
Notes :  
WE  
ODT0  
ODT1  
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D15  
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D7  
ODT : DDR2 SDRAMs D8 - D15  
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.  
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3 Ohms ± 5%.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Functional Block Diagram: 1GB, 128Mx72 ECC Module(Populated as 2 ranks of x8 DDR2 SDRAMs)  
M391T2953CZ3 / M391T2953CZ0  
S1  
S0  
DQS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DQS4  
DM4  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DM  
I/O 0  
CS DQS DQS  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D0  
D9  
D4  
D13  
DQS1  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DQS5  
DM5  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ8  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
DQ9  
D1  
D10  
D5  
D14  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS2  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DQS6  
DM6  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D2  
D11  
D6  
D15  
DQS3  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DQS7  
DM7  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D3  
D12  
D7  
D16  
DQS8  
DQS8  
DM8  
Serial PD  
SCL  
WP  
DM  
CS DQS DQS  
DM  
CS DQS DQS  
SDA  
CB0  
CB1  
CB2  
CB3  
CB4  
CB5  
CB6  
CB7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
A0  
A1  
A2  
D8  
D17  
SA0 SA1 SA2  
* Clock Wiring  
Clock  
Input  
DDR2 SDRAMs  
V
Serial PD  
DDSPD  
BA0 - BA1  
A0 - A13  
CKE0  
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D17  
A0-A13 : DDR2 SDRAMs D0 - D17  
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
CKE : DDR2 SDRAMs D9 - D17  
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D17  
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D17  
*CK0/CK0  
*CK1/CK1  
*CK2/CK2  
6 DDR2 SDRAMs  
6 DDR2 SDRAMs  
6 DDR2 SDRAMs  
V
/V  
D0 - D17  
D0 - D17  
D0 - D17  
DD DDQ  
VREF  
CKE1  
RAS  
CAS  
*Wire per Clock Loading  
Table/Wiring Diagrams  
V
SS  
Notes :  
WE  
ODT0  
ODT1  
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D17  
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D8  
ODT : DDR2 SDRAMs D9 - D17  
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.  
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3 Ohms ± 5%.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Functional Block Diagram: 256MB, 32Mx64 Module(Populated as 1 rank of x16 DDR2 SDRAMs)  
M378T3354CZ3 / M378T3354CZ0  
S0  
CS  
CS  
DQS1  
DQS1  
DM1  
DQS5  
DQS5  
DM5  
LDQS  
LDOS  
LDM  
LDQS  
LDOS  
LDM  
DQ8  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
DQ9  
D0  
D2  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
DQS0  
DQS0  
DM0  
DQS4  
DQS4  
DM4  
UDQS  
UDOS  
UDM  
UDQS  
UDOS  
UDM  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
I/O 8  
I/O 8  
I/O 9  
I/O 9  
I/O 10  
I/O 11  
I/O 12  
I/O 13  
I/O 14  
I/O 15  
I/O 10  
I/O 11  
I/O 12  
I/O 13  
I/O 14  
I/O 15  
CS  
CS  
DQS3  
DQS3  
DM3  
DQS7  
DQS7  
DM7  
LDQS  
LDOS  
LDM  
LDQS  
LDOS  
LDM  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
I/O 0  
I/O 1  
I/O 2  
I/O 3  
I/O 4  
I/O 5  
I/O 6  
I/O 7  
D1  
D3  
DQS2  
DQS2  
DM2  
DQS6  
DQS6  
DM6  
UDQS  
UDOS  
UDM  
UDQS  
UDOS  
UDM  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
I/O 8  
I/O 8  
I/O 9  
I/O 9  
I/O 10  
I/O 11  
I/O 12  
I/O 13  
I/O 14  
I/O 15  
I/O 10  
I/O 11  
I/O 12  
I/O 13  
I/O 14  
I/O 15  
* Clock Wiring  
V
Serial PD  
DDSPD  
Clock Input  
DDR2 SDRAMs  
V
/V  
D0 - D3  
D0 - D3  
D0 - D3  
DD DDQ  
Serial PD  
*CK0/CK0  
*CK1/CK1  
*CK2/CK2  
NC  
SCL  
WP  
2 DDR2 SDRAMs  
2 DDR2 SDRAMs  
VREF  
SDA  
V
A0  
A1  
A2  
SS  
*Wire per Clock Loading  
Table/Wiring Diagrams  
SA0 SA1  
SA2  
BA0 - BA1  
A0 - A12  
CKE0  
BA0-BA1 : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
A0-A12 : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
CKE : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
RAS : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
CAS : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
Notes :  
RAS  
CAS  
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms ± 5%.  
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 10 Ohms ± 5%.  
WE  
ODT0  
WE : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
ODT : DDR2 SDRAMs D0 - D3  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Absolute Maximum DC Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
Notes  
Voltage on V pin relative to V  
- 1.0 V ~ 2.3 V  
V
1
V
DD  
SS  
DD  
Voltage on V  
Voltage on V  
pin relative to V  
- 0.5 V ~ 2.3 V  
- 0.5 V ~ 2.3 V  
- 0.5 V ~ 2.3 V  
-55 to +100  
V
V
1
1
V
DDQ  
DDL  
SS  
SS  
DDQ  
pin relative to V  
V
DDL  
Voltage on any pin relative to V  
Storage Temperature  
V
1
V
V
SS  
IN, OUT  
T
°C  
1, 2  
STG  
Note :  
1. Stresses greater than those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and  
functional operation of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
Exposure to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.  
2. Storage Temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM. For the measurement conditions, please refer to JESD51-2  
standard.  
AC & DC Operating Conditions  
Recommended DC Operating Conditions (SSTL - 1.8)  
Rating  
Symbol  
Parameter  
Units  
Notes  
Min.  
1.7  
Typ.  
1.8  
Max.  
1.9  
V
Supply Voltage  
V
V
DD  
V
Supply Voltage for DLL  
Supply Voltage for Output  
Input Reference Voltage  
Termination Voltage  
1.7  
1.8  
1.9  
4
DDL  
V
1.7  
1.8  
1.9  
V
4
DDQ  
V
0.49*V  
0.50*V  
0.51*V  
DDQ  
mV  
V
1,2  
REF  
DDQ  
DDQ  
V
V
-0.04  
V
V +0.04  
REF  
3
TT  
REF  
REF  
Note : There is no specific device V supply voltage requirement for SSTL-1.8 compliance. However under all conditions V  
must be less than or equal  
DDQ  
DD  
to V  
.
DD  
1. The value of V  
may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically the value of V  
is expected to be about 0.5  
REF  
REF  
x V  
of the transmitting device and V  
is expected to track variations in V  
.
DDQ  
DDQ  
REF  
2. Peak to peak AC noise on V  
may not exceed +/-2% V  
(DC).  
REF  
REF  
3. V of transmitting device must track V  
of receiving device.  
REF  
TT  
4. AC parameters are measured with V , V  
and V  
tied together.  
DDL  
DD  
DDQ  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Operating Temperature Condition  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Units  
Notes  
TOPER  
Operating Temperature  
0 to 95  
°C  
1, 2, 3  
Note :  
1. Operating Temperature is the case surface temperature on the center/top side of the DRAM. For the measurement conditions, please refer to JESD51.2  
standard.  
2. At 85 - 95 °C operation temperature range, doubling refresh commands in frequency to a 32ms period ( tREFI=3.9 us ) is required, and to enter to self  
refresh mode at this temperature range, an EMRS command is required to change internal refresh rate.  
Input DC Logic Level  
Symbol  
VIH (DC)  
VIL (DC)  
Parameter  
Min.  
VREF + 0.125  
- 0.3  
Max.  
Units  
Notes  
DC input logic high  
DC input logic low  
VDDQ + 0.3  
VREF - 0.125  
V
V
Input AC Logic Level  
DDR2-400, DDR2-533  
DDR2-667, DDR2-800  
Symbol  
Parameter  
Units  
Notes  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
V
IH (AC)  
AC input logic high  
AC input logic low  
VREF + 0.250  
-
-
VREF + 0.200  
V
V
V
IL (AC)  
VREF - 0.250  
VREF - 0.200  
AC Input Test Conditions  
Symbol  
Condition  
Value  
Units  
V
Notes  
VREF  
Input reference voltage  
0.5 * V  
1.0  
1
1
DDQ  
V
Input signal maximum peak to peak swing  
Input signal minimum slew rate  
V
SWING(MAX)  
SLEW  
1.0  
V/ns  
2, 3  
Notes:  
1. Input waveform timing is referenced to the input signal crossing through the V  
(AC) level applied to the device under test.  
IH/IL  
2. The input signal minimum slew rate is to be maintained over the range from V  
to V (AC) min for rising edges and the range from V  
to V (AC)  
REF IL  
REF  
IH  
max for falling edges as shown in the below figure.  
3. AC timings are referenced with input waveforms switching from V (AC) to V (AC) on the positive transitions and V (AC) to V (AC) on the negative  
IL  
IH  
IH  
IL  
transitions.  
V
V
V
V
V
V
V
DDQ  
(AC) min  
IH  
IH  
(DC) min  
V
SWING(MAX)  
REF  
(DC) max  
IL  
IL  
(AC) max  
SS  
delta TF  
V
delta TR  
- V (AC) max  
IL  
V
(AC) min - V  
delta TR  
REF  
IH  
REF  
Falling Slew =  
Rising Slew =  
delta TF  
< AC Input Test Signal Waveform >  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
IDD Specification Parameters Definition  
(IDD values are for full operating range of Voltage and Temperature)  
Symbol Proposed Conditions  
Units  
Notes  
Operating one bank active-precharge current;  
CK = CK(IDD), RC = RC(IDD), RAS = RASmin(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid commands;  
Address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING  
t
t
t
t
t
t
IDD0  
IDD1  
mA  
Operating one bank active-read-precharge current;  
t
t
t
t
t
t
t
IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; CK = CK(IDD), RC = RC (IDD), RAS = RASmin(IDD), RCD =  
mA  
t
RCD(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data pattern  
is same as IDD4W  
Precharge power-down current;  
All banks idle; CK = CK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus inputs are STABLE; Data bus inputs are  
FLOATING  
t
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P  
IDD3N  
t
mA  
mA  
mA  
Precharge quiet standby current;  
t
t
All banks idle; CK = CK(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH; Other control and address bus inputs are STABLE; Data  
bus inputs are FLOATING  
Precharge standby current;  
t
t
All banks idle; CK = CK(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH; Other control and address bus inputs are SWITCHING;  
Data bus inputs are SWITCHING  
Active power-down current;  
mA  
mA  
Fast PDN Exit MRS(12) = 0mA  
t
t
All banks open; CK = CK(IDD); CKE is LOW; Other control and address bus  
Slow PDN Exit MRS(12) = 1mA  
inputs are STABLE; Data bus inputs are FLOATING  
Active standby current;  
t
t
t
t
t
t
mA  
mA  
All banks open; CK = CK(IDD), RAS = RASmax(IDD), RP = RP(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid  
commands; Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING  
Operating burst write current;  
t
t
t
t
t
All banks open, Continuous burst writes; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; CK = CK(IDD), RAS = RASmax(IDD), RP  
IDD4W  
IDD4R  
t
= RP(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCHING; Data bus  
inputs are SWITCHING  
Operating burst read current;  
t
t
t
t
All banks open, Continuous burst reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = 0; CK = CK(IDD), RAS = RAS-  
mA  
mA  
t
t
max(IDD), RP = RP(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid commands; Address bus inputs are SWITCH-  
ING; Data pattern is same as IDD4W  
Burst auto refresh current;  
t
t
t
IDD5B  
IDD6  
CK = CK(IDD); Refresh command at every RFC(IDD) interval; CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid commands;  
Other control and address bus inputs are SWITCHING; Data bus inputs are SWITCHING  
Self refresh current;  
Normal  
mA  
mA  
CK and CK\ at 0V; CKE ≤ 0.2V; Other control and address bus inputs are  
FLOATING; Data bus inputs are FLOATING  
Low Power  
Operating bank interleave read current;  
All bank interleaving reads, IOUT = 0mA; BL = 4, CL = CL(IDD), AL = RCD(IDD)-1* CK(IDD); CK = CK(IDD), RC =  
t
t
t
t
t
IDD7  
t
t
t
t
t
t
t
mA  
RC(IDD), RRD = RRD(IDD), FAW = FAW(IDD), RCD = 1* CK(IDD); CKE is HIGH, CS\ is HIGH between valid  
commands; Address bus inputs are STABLE during DESELECTs; Data pattern is same as IDD4R; Refer to the follow-  
ing page for detailed timing conditions  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Operating Current Table(1-1) (TA=0oC, VDD= 1.9V)  
M378T6553CZ3 / M378T6553CZ0 : 512MB(64Mx8 *8) Module  
Symbol  
IDD0  
IDD1  
E7(800@CL=5)  
E6(667@CL=5)  
D5(533@CL=4)  
CC(400@CL=3)  
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Notes  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
680  
800  
64  
280  
320  
240  
96  
440  
1,120  
1,160  
1,200  
64  
640  
760  
64  
240  
280  
240  
96  
400  
960  
1,000  
1,120  
64  
640  
760  
64  
240  
280  
240  
96  
400  
880  
880  
1,120  
64  
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P-F  
IDD3P-S  
IDD3N  
IDD4W  
IDD4R  
IDD5B  
IDD6  
IDD7  
TBD  
1,760  
1,760  
1,760  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
M378T2953CZ3 / M378T2953CZ0 : 1GB(64Mx8 *16) Module  
Symbol  
IDD0  
IDD1  
E7(800@CL=5)  
E6(667@CL=5)  
1,000  
1,120  
128  
D5(533@CL=4)  
920  
CC(400@CL=3)  
920  
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Notes  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
1,040  
128  
480  
560  
480  
192  
680  
1,240  
1,280  
1,400  
128  
1,040  
128  
480  
560  
480  
192  
680  
1,160  
1,160  
1,400  
128  
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P-F  
IDD3P-S  
IDD3N  
IDD4W  
IDD4R  
IDD5B  
IDD6  
560  
640  
480  
192  
760  
1,440  
1,480  
1,520  
128  
IDD7  
TBD  
2,080  
2,040  
2,040  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Operating Current Table(1-2) (TA=0oC, VDD= 1.9V)  
M378T3354CZ3 / M378T3354CZ0 : 256MB(32Mx16 *4) Module  
Symbol  
IDD0  
IDD1  
E7(800@CL=5)  
E6(667@CL=5)  
D5(533@CL=4)  
CC(400@CL=3)  
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Notes  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
400  
460  
32  
140  
160  
120  
48  
220  
700  
720  
600  
32  
380  
440  
32  
120  
140  
120  
48  
200  
620  
640  
560  
32  
380  
440  
32  
120  
140  
120  
48  
200  
540  
560  
560  
32  
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P-F  
IDD3P-S  
IDD3N  
IDD4W  
IDD4R  
IDD5B  
IDD6  
IDD7  
TBD  
1,200  
1,200  
1,200  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
M391T6553CZ3 / M391T6553CZ0 : 512MB(64Mx8 *9) ECC Module  
Symbol  
IDD0  
IDD1  
E7(800@CL=5)  
E6(667@CL=5)  
D5(533@CL=4)  
CC(400@CL=3)  
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Notes  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
765  
900  
72  
315  
360  
270  
108  
495  
1,260  
1,305  
1,350  
72  
720  
855  
72  
270  
315  
270  
108  
450  
1,080  
1,125  
1,260  
72  
720  
855  
72  
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P-F  
IDD3P-S  
IDD3N  
IDD4W  
IDD4R  
IDD5B  
IDD6  
270  
315  
270  
108  
450  
990  
990  
1,260  
72  
IDD7  
TBD  
1,980  
1,980  
1,980  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Operating Current Table(1-3) (TA=0oC, VDD= 1.9V)  
M391T2953CZ3 / M391T2953CZ0 : 1GB(64Mx8 *18) ECC Module  
Symbol  
IDD0  
IDD1  
E7(800@CL=5)  
E6(667@CL=5)  
1,125  
1,260  
144  
D5(533@CL=4)  
1,035  
1,170  
144  
CC(400@CL=3)  
1,035  
1,170  
144  
Unit  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
Notes  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
TBD  
IDD2P  
IDD2Q  
IDD2N  
IDD3P-F  
IDD3P-S  
IDD3N  
IDD4W  
IDD4R  
IDD5B  
IDD6  
630  
720  
540  
216  
540  
630  
540  
216  
540  
630  
540  
216  
855  
765  
765  
1,620  
1,665  
1,710  
144  
1,395  
1,440  
1,575  
144  
1,305  
1,305  
1,575  
144  
IDD7  
TBD  
2,340  
2,295  
2,295  
* Module IDD was calculated on the basis of component IDD and can be differently measured according to DQ loading cap.  
Input/Output Capacitance(VDD=1.8V, VDDQ=1.8V, TA=25oC)  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
Max  
Symbol  
Units  
M378T6553CZ3  
M378T6553CZ0  
M378T2953CZ3  
M378T2953CZ0  
M378T3354CZ3  
M378T3354CZ0  
Non-ECC  
CCK0  
-
-
-
-
-
-
-
24  
25  
25  
42  
42  
6
-
-
26  
28  
28  
42  
42  
10  
9
-
-
22  
24  
24  
34  
34  
6
Input capacitance, CK and CK  
CCK1  
CCK2  
Input capacitance, CKE and CS  
CI1  
-
-
-
-
-
-
-
-
pF  
Input capacitance, Addr, RAS, CAS, WE  
CI2  
CIO(400/533)  
CIO(667/800)  
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS  
5.5  
5.5  
M391T2953CZ3  
M391T2953CZ0  
M391T6553CZ3  
M391T6553CZ0  
ECC  
Symbol  
Units  
CCK0  
CCK1  
CCK2  
-
-
25  
25  
25  
44  
-
-
28  
28  
28  
44  
Input capacitance, CK and CK  
CI  
Input capacitance, CKE and CS  
-
-
pF  
1
CI  
Input capacitance, Addr, RAS, CAS, WE  
-
-
-
44  
6
-
-
-
44  
10  
9
2
CIO(400/533)  
CIO(667/800)  
Input/output capacitance, DQ, DM, DQS, DQS  
5.5  
Note: DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Electrical Characteristics & AC Timing for DDR2-800/667/533/400  
(0 °C < T  
< 95 °C; V  
= 1.8V + 0.1V; V = 1.8V + 0.1V)  
DDQ DD  
OPER  
Refresh Parameters by Device Density  
Parameter  
Symbol  
256Mb  
75  
512Mb  
105  
1Gb  
127.5  
7.8  
2Gb  
195  
7.8  
4Gb  
327.5  
7.8  
Units  
ns  
Refresh to active/Refresh command time  
tRFC  
0 °C ≤ T  
≤ 85°C  
7.8  
7.8  
µs  
CASE  
Average periodic refresh interval  
tREFI  
85 °C < T  
≤ 95°C  
3.9  
3.9  
3.9  
3.9  
3.9  
µs  
CASE  
Speed Bins and CL, tRCD, tRP, tRC and tRAS for Corresponding Bin  
Speed  
Bin(CL - tRCD - tRP)  
Parameter  
tCK, CL=3  
tCK, CL=4  
tCK, CL=5  
tRCD  
DDR2-800(E7)  
DDR2-667(E6)  
DDR2-533(D5)  
DDR2-400(CC)  
3 - 3 - 3  
5 - 5 - 5  
5 - 5 - 5  
4 - 4 - 4  
Units  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
5
8
5
8
5
8
5
8
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3.75  
2.5  
8
3.75  
3
8
3.75  
3.75  
15  
8
5
8
8
8
8
-
-
12.5  
12.5  
51.5  
39  
-
15  
15  
54  
39  
-
-
15  
15  
55  
40  
-
tRP  
-
-
-
-
15  
-
-
-
-
tRC  
55  
70000  
70000  
70000  
70000  
tRAS  
40  
Timing Parameters by Speed Grade  
(Refer to notes for informations related to this table at the bottom)  
DDR2-800  
DDR2-667  
DDR2-533  
DDR2-400  
Parameter  
Symbol  
Units Note  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
DQ output access time from CK/CK  
DQS output access time from CK/CK  
CK high-level width  
tAC  
- 400  
- 350  
0.45  
0.45  
400  
350  
-450  
-400  
0.45  
0.45  
+450  
+400  
0.55  
-500  
-450  
0.45  
0.45  
+500  
+450  
0.55  
0.55  
-600  
-500  
0.45  
0.45  
+600  
+500  
0.55  
0.55  
ps  
ps  
tDQSCK  
tCH  
0.55  
0.55  
tCK  
tCK  
CK low-level width  
tCL  
0.55  
min(tCL,t  
CH)  
min(tCL,  
tCH)  
min(tCL,  
tCH)  
min(tCL,  
tCH)  
CK half period  
tHP  
x
x
x
x
ps  
Clock cycle time, CL=x  
tCK  
2500  
125  
50  
8000  
3000  
175  
8000  
3750  
225  
8000  
5000  
275  
8000  
ps  
ps  
ps  
DQ and DM input hold time  
DQ and DM input setup time  
tDH(base)  
tDS(base)  
x
x
x
x
x
x
x
x
100  
100  
150  
Control & Address input pulse width for each  
input  
tIPW  
0.6  
x
0.6  
x
0.6  
x
0.6  
x
tCK  
DQ and DM input pulse width for each input  
Data-out high-impedance time from CK/CK  
DQS low-impedance time from CK/CK  
tDIPW  
tHZ  
0.35  
x
x
0.35  
x
x
0.35  
x
x
0.35  
x
x
tCK  
ps  
tAC max  
tAC max  
tAC max  
tAC max  
tLZ(DQS)  
tAC min tAC max tAC min tAC max  
tAC min tAC max tAC min tAC max  
ps  
2* tAC  
min  
2*tAC  
min  
DQ low-impedance time from CK/CK  
tLZ(DQ)  
tAC max  
tAC max 2* tACmin tAC max 2* tACmin tAC max  
ps  
DQS-DQ skew for DQS and associated DQ  
signals  
tDQSQ  
tQHS  
tQH  
x
200  
300  
x
x
240  
340  
x
x
x
300  
400  
x
x
x
350  
450  
x
ps  
ps  
ps  
DQ hold skew factor  
x
x
tHP -  
tQHS  
tHP -  
tQHS  
tHP -  
tQHS  
tHP -  
tQHS  
DQ/DQS output hold time from DQS  
First DQS latching transition to associated clock  
edge  
tDQSS  
- 0.25  
0.25  
-0.25  
0.25  
-0.25  
0.25  
-0.25  
0.25  
tCK  
DQS input high pulse width  
DQS input low pulse width  
tDQSH  
tDQSL  
0.35  
0.35  
x
x
0.35  
0.35  
x
x
0.35  
0.35  
x
x
0.35  
0.35  
x
x
tCK  
tCK  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
DDR2-800  
DDR2-667  
DDR2-533  
DDR2-400  
Parameter  
Symbol  
Units Note  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
min  
max  
DQS falling edge to CK setup time  
DQS falling edge hold time from CK  
Mode register set command cycle time  
Write postamble  
tDSS  
0.2  
0.2  
2
x
x
0.2  
0.2  
2
x
x
0.2  
0.2  
2
x
x
0.2  
0.2  
2
x
x
tCK  
tCK  
tCK  
tCK  
tCK  
ps  
tDSH  
tMRD  
x
x
x
x
tWPST  
tWPRE  
tIH(base)  
tIS(base)  
tRPRE  
tRPST  
0.4  
0.35  
250  
175  
0.9  
0.4  
0.6  
x
0.4  
0.35  
275  
200  
0.9  
0.4  
0.6  
x
0.4  
0.35  
375  
250  
0.9  
0.4  
0.6  
x
0.4  
0.35  
475  
350  
0.9  
0.4  
0.6  
x
Write preamble  
Address and control input hold time  
Address and control input setup time  
Read preamble  
x
x
x
x
x
x
x
x
ps  
1.1  
0.6  
1.1  
0.6  
1.1  
0.6  
1.1  
0.6  
tCK  
tCK  
Read postamble  
Active to active command period for 1KB page  
size products  
tRRD  
7.5  
10  
35  
45  
x
x
7.5  
10  
x
x
7.5  
10  
x
x
7.5  
10  
x
x
ns  
ns  
ns  
ns  
Active to active command period for 2KB page  
size products  
tRRD  
tFAW  
Four Activate Window for 1KB page size  
products  
37.5  
50  
37.5  
50  
37.5  
50  
Four Activate Window for 2KB page size  
products  
tFAW  
CAS to CAS command delay  
Write recovery time  
tCCD  
tWR  
2
15  
x
x
x
2
15  
2
15  
2
15  
tCK  
ns  
x
x
x
x
x
x
x
x
x
Auto precharge write recovery + precharge time tDAL  
WR+tRP  
7.5  
WR+tRP  
7.5  
WR+tRP  
7.5  
WR+tRP  
10  
tCK  
ns  
Internal write to read command delay  
Internal read to precharge command delay  
Exit self refresh to a non-read command  
Exit self refresh to a read command  
tWTR  
tRTP  
7.5  
7.5  
7.5  
7.5  
ns  
tXSNR  
tXSRD  
tRFC + 10  
200  
tRFC + 10  
200  
tRFC + 10  
200  
tRFC + 10  
200  
ns  
x
x
x
tCK  
Exit precharge power down to any non-read  
command  
tXP  
2
2
2
2
x
x
2
2
x
x
2
2
x
x
tCK  
tCK  
tCK  
Exit active power down to read command  
tXARD  
tXARDS  
Exit active power down to read command  
(slow exit, lower power)  
8 - AL  
7 - AL  
6 - AL  
6 - AL  
CKE minimum pulse width  
(high and low pulse width)  
tCKE  
3
2
3
2
tCK  
3
2
3
2
ODT turn-on delay  
tAOND  
tAON  
2
2
2
2
tCK  
ns  
tAC(max)  
+ 0.7  
tAC(max)  
+0.7  
tAC(max)  
+1  
tAC(max)  
+1  
ODT turn-on  
tAC(min)  
tAC(min)  
tAC(min)  
tAC(min)  
2tCK +  
tAC(max)  
+1  
2tCK+tA  
C(max)+  
1
tAC(min)+  
2
tAC(min)+ 2tCK+tA tAC(min)+  
tAC(min)+ 2tCK+tAC  
ODT turn-on(Power-Down mode)  
tAONPD  
ns  
2
C(max)+1  
2
2
(max)+1  
ODT turn-off delay  
ODT turn-off  
tAOFD  
tAOF  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
2.5  
tCK  
ns  
tAC(max)  
+ 0.6  
tAC(max)  
+ 0.6  
tAC(max)+  
0.6  
tAC(max)+  
0.6  
tAC(min)  
tAC(min)  
tAC(min)  
tAC(min)  
2.5tCK +  
tAC(max)  
+1  
2.5tCK+  
tAC(max)  
+1  
2.5tCK+  
tAC(max)  
+1  
2.5tCK+  
tAC(max)  
+1  
tAC(min)+  
2
tAC(min)+  
2
tAC(min)+  
2
tAC(min)+  
2
ODT turn-off (Power-Down mode)  
tAOFPD  
ns  
ODT to power down entry latency  
ODT power down exit latency  
OCD drive mode output delay  
tANPD  
tAXPD  
tOIT  
3
8
0
3
8
0
3
8
0
3
8
0
tCK  
tCK  
ns  
12  
12  
12  
12  
Minimum time clocks remains ON after CKE  
asynchronously drops LOW  
tIS+tCK  
+tIH  
tIS+tCK  
+tIH  
tIS+tCK  
+tIH  
tIS+tCK  
+tIH  
tDelay  
ns  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Physical Dimensions: 64Mbx8 based 64Mx64/x72 Module(1 Rank)  
M378T6553CZ3 / M378T6553CZ0  
M391T6553CZ3 / M391T6553CZ0  
Units : Millimeters  
133.35  
131.35  
128.95  
N/A  
(for x64)  
SPD  
ECC  
(for x72)  
30.00  
(2)  
2.50  
B
A
2.7  
63.00  
55.00  
1.270 ± 0.10  
3.00  
5.00  
4.00  
0.80±0.05  
0.20  
4.00  
3.80  
4.00  
2.50  
1.00  
1.50±0.10  
Detail A  
Detail B  
The used device is 64M x8 DDR2 SDRAM, FBGA.  
DDR2 SDRAM Part NO : K4T51083QC  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Physical Dimensions: 64Mbx8 based 128Mx64/x72 Module(2 Ranks)  
M378T2953CZ3 / M378T2953CZ0  
M391T2953CZ3 / M391T2953CZ0  
Units : Millimeters  
133.35  
131.35  
128.95  
N/A  
(for x64)  
SPD  
ECC  
30.00  
(for x72)  
(2)  
2.50  
B
A
4.00  
63.00  
55.00  
N/A  
(for x64)  
ECC  
(for x72)  
1.270 ± 0.10  
3.00  
5.00  
4.00  
0.80±0.05  
0.20  
4.00  
3.80  
4.00  
2.50  
1.00  
Detail B  
1.50±0.10  
Detail A  
The used device is 64M x8 DDR2 SDRAM, FBGA.  
DDR2 SDRAM Part NO : K4T51083QC  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Physical Dimensions: 32Mbx16 based 32Mx64 Module(1 Rank)  
M378T3354CZ3 / M378T3354CZ0  
Units : Millimeters  
133.35  
131.35  
128.95  
SPD  
30.00  
(2)  
2.50  
B
A
2.7  
63.00  
55.00  
1.270 ± 0.10  
3.00  
5.00  
4.00  
0.80±0.05  
0.20  
4.00  
3.80  
4.00  
2.50  
1.00  
1.50±0.10  
Detail A  
Detail B  
The used device is 32M x16 DDR2 SDRAM, FBGA.  
DDR2 SDRAM Part NO : K4T51163QC  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered DIMMs  
DDR2 SDRAM  
Revision History  
Revision 1.0 (Feb. 2005)  
- Initial Release  
Revision 1.1 (Mar. 2005)  
- Changed the IDD0/IDD3N/IDD3P current values.  
Revision 1.2 (Aug. 2005)  
- Revised the IDD Current Values.  
Rev. 1.2 Aug. 2005  
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