IRFU9022 [SAMSUNG]
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET;
| 型号： | IRFU9022 |
| 厂家： | 
SAMSUNG |
| 描述： | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| 文件： | 总1页 (文件大小：33K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
相关型号：
IRFU9024
Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
SAMSUNG
IRFU9024NC
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, PLASTIC, IPAK-3
INFINEON
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明