MGFC38V3642-01 [MITSUBISHI]
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN;
| 型号： | MGFC38V3642-01 |
| 厂家： | 
Mitsubishi Group |
| 描述： | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, GF-18, 2 PIN 局域网 放大器 CD 晶体管 |
| 文件： | 总2页 (文件大小：83K) |
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相关型号：
MGFC38V5964-51
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET
MITSUBISHI
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