MAX3296SWEVKIT [MAXIM]
Evaluation Kit for the MAX3760[MAX3760EVKIT ] ; 评估板MAX3760 [ MAX3760EVKIT ]\n
| 型号： | MAX3296SWEVKIT |
| 厂家： | 
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS |
| 描述： | Evaluation Kit for the MAX3760[MAX3760EVKIT ]
|
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19-1644; Rev 1; 6/00
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
概要___________________________________ 特長___________________________________
M AX3296短波長又は縦型空洞表面放出レーザ(VCSEL)
評価キット(EVキット)は、コモンカソード構成の
M AX3286 1.25G bpsレーザドライバ又はM AX3296
2.5Gbpsレーザドライバの光学的及び電気的評価を容易
にする実装済みの表面実装デモ基板です。短波長レーザ
ダイオード(波長≦980nm )及びVCSELは、通常コモン
カソード構成を必要とします。コモンカソード構成では、
レーザのカソードがグランドに接続されており、レーザは
アノードで駆動されます。
ꢀ コモンカソードレーザを駆動
ꢀ レーザ挿入用ソケット付
ꢀ LE D フォルトインジケータ
ꢀ M A X 3 2 8 6 又はM A X 3 2 9 6 (実装済み)を評価
ꢀ V C S E L用の可変D C バイアス電流
ꢀ 可変フォトダイオード電流
ꢀ 可変変調電流
M AX3296短波長又はVCSEL EVキットはレーザバイアス
電流を安定化してフォトダイオード電流を一定に保つか、
直接レーザバイアス電流を検出して一定に保ちます。
ꢀ 可変変調電流温度係数
ꢀ 電気動作用に設定済み、レーザ不要
型番___________________________________
コモンアノード構成の長波長レーザダイオードを備えた
M AX3286/M AX3296の評価については、M AX3296
EVKIT-LW を参照して下さい。
PART
TEMP. RANGE IC PACKAGE
MAX3296EVKIT-SW
MAX3296CGIS
0°C to +70°C
0°C to +70°C
32 TQFP
28 QFN
部品リスト ________________________________________________________________________
DESIGNATION QTY
DESCRIPTION
DESIGNATION QTY
DESCRIPTION
C1–C5, C13,
C14, C22, C25, 10
C26
Ferrite bead (included but not installed)
Murata BLM11HA102SG
0.01µF ±10%, 16V min, X7R ceramic
capacitors (0402)
L8
1
Q1
Q2
Q4
R2
0
1
1
1
Open
0.1µF ±10%, 16V min, X7R ceramic
capacitor (0402)
Zetex FMMT491A
Zetex FMMT591A
115Ω ±1% resistor (0402)
C11
C12
C23
1
0
1
Open, user supplied (0402)*
10µF ±10%, 16V tantalum capacitor
AVX TAJC106K016
100kΩ variable resistor
Bourns or Digi-Key 3296W-104-ND
R3
R4
R5
1
1
1
Open, user supplied (laser diode and
photodiode assembly; see Figure 1)
D1
D3
0
1
50kΩ variable resistor
Bourns or Digi-Key 3296W-503-ND
Red LED
10kΩ variable resistor
Bourns or Digi-Key 3296W-103-ND
SMA connectors (edge mount)
EFJohnson 142-0701-801 or
Digi-Key J502-ND
J1, J2, J5
3
R9, R30
R10
2
1
1kΩ ±5% resistors (0402)
5.1kΩ ±5% resistor (0402)
Test points
Digi-Key 5000K-ND
J7, J8
JU1–JU5
L1, L2
L4
2
5
2
1
200Ω variable resistor
Bourns or Digi-Key 3296W-201-ND
R11
1
2-pin headers (0.1in centers)
Digi-Key S1012-36-ND
R12
R13
R20
R22
1
1
1
1
0Ω resistor (0402)
Ferrite beads
Murata BLM11HA102SG
24.9Ω ±1% resistor (0402)*
49.9Ω ±1% resistor (0402)
36Ω ±5% resistor (0603)
Ferrite bead
Murata BLM11HA601SG
部品リストは次のページに続きます。
* これらの部品は補償ネットワークの一部で、オーバシュート及びリンギングを低減します。寄生直列インダクタンスは、ゼロを
レーザの周波数応答に生成します。R13及びC12は、ポールを追加してこのゼロを取り消します。最適値は使用するレーザによって
異なります。マキシム社では、R13 = 24.9Ω及びC12 = 2pFをまず試してみることを奨励します。
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
本データシートに記載された内容は、英語によるマキシム社の公式なデータシートを翻訳したものです。翻訳により生じる相違及び誤りに
ついての責任は負いかねます。正確な内容の把握にはマキシム社の英語のデータシートをご参照下さい。
無料サンプル及び最新版データシートの入手にはマキシム社のホームページをご利用下さい。w w w .m axim -ic.com
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
SHUNT
SP3
STATUS
Open
部品リスト(続き) _______________________
DESIGNATION QTY
DESCRIPTION
0Ω resistor (0603)
SP4
Closed
Closed
Closed
Closed
Closed
Open
R23
R24
R25
1
1
1
SP5
24.9Ω ±1% resistor (0402)
511Ω ±1% resistor (0402)
SP6
SP7
TP1, TP3, TP4,
TP9, TP10,
TP14, TP15,
TP19, TP20
Test points
Digi-Key 5000k-NO
SP8
9
SP9
SP10
SP11
Open
U1**
U1**
U1**
U1**
U2
1
1
1
1
1
MAX3296CHJ (32-pin TQFP)
Closed
MAX3286CHJ (32-pin TQFP, included
but not installed)
4) L8が取り付けられていないことを確認します。
MAX3296CGI (28-pin QFN)
5) C 12がオープンになっていることを確認します。
レーザは取り付けられていないため、補償ネット
ワークは必要ありません。
MAX3286CGI (28-pin QFN included
but not installed)
MAX4322EUK (5-pin SOT23)
6) R5(RSET)ポテンショメータを中央位置に設定し
ます。これを行うには、カチッと収まったことが
かすかに感じられる位置までねじを反時計回りに
回し、次に時計回りに15回転(30フル回転、0～
10kΩの多回転ポテンショメータ)します。これに
より、擬似フォトダイオード電流のレギュレー
ション点が(2.65V -1.7V)/5kΩ=190µAに設定
されます。フォトダイオードエミュレータ回路は、
Q 4からのDCバイアス電流を28 x190µA 5m Aに
調整します。
**The MAX3296/MAX3286CHJ parts are included with the
MAX3296EVKIT-SW. The MAX3296/MAX3286CGI parts are
included with the MAX3296CGIS.
M AX3286の評価_______________________
TQ FPパッケージ
M AX3296EVKIT-SW ボードは、M AX3286用に容易に
変更できます。はんだを除去してM AX3296を取り外し
(評価ボードにはM AX3296CHJが実装されて出荷され
ます)、M AX3286C H J(EVキットに付属)と交換して
下さい。他の回路変更は一切必要ありません。
7) R4(RM O D)ポテンショメータを最大抵抗に設定し
ます。これを行うには、カチッと収まったことが
かすかに感じられる位置までねじを反時計回りに
回します(30フル回転、0～50kΩ多回転ポテンショ
メータ)。これにより、変調電流が最小になります。
Q FNパッケージ
M AX3296CGIS評価ボードはM AX3286用に変更する
ことができます。電熱板と加熱ブロックを用いて製品
直下に熱を集め、はんだを溶かしてM AX3296を取り
外し(評価ボードにはM AX3296CGIが実装されて出荷
されます)、M AX3286CGIと交換して下さい。他の回路
変更は一切必要ありません。
8) R3(RTC)ポテンショメータを最大抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回します
(30フル回転、0～100kΩ多回転ポテンショメータ)。
これにより、変調電流の温度係数(tem pco)が最小
になります。
電気的クイックスタート_________________
9) R11ポテンショメータを30Ωの抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを時計回りに回し、次に
反時計回りに5回転します。
擬似フォトダイオードフィードバックを
使用した電気的クイックスタート
1) 基板がDCバイアス電流を制御してフォトダイオード
電流を一定にし、フォトダイオードエミュレータ
回路を有効にできるよう基板を構成します。次の
シャントを設定します。
10)JU2(EN)、JU3(EN)、及びJU4(PORDLY)にジャンパ
を取り付けます。
11)+5Vの電源で基板に電力を供給する場合は、JU1(LV)
にジャンパを取り付けます。電源はまだ投入しない
で下さい。
M AX3286～M AX3289/M AX3296～M AX3299
データシートのフォトダイオードアプリケーション
回路のM AX3286/M AX3296コモンカソードレーザ
を参照して下さい。
12)JU5(FLTDLY)にジャンパがないことを確認します。
13)50Ω特性インピーダンスのケーブルを、J5 SM A
出力コネクタとオシロスコープの入力の間に接続
します。オシロスコープの入力が50Ωで終端処理
されていることを確認します。
2) レーザソケットに何も取り付けられていないことを
確認します(図1)。
3) R24が取り付けられていることを確認します。
2
_______________________________________________________________________________________
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
14)差動信号源をSM AコネクタJ1及びJ2に接続します。
各ソースは、100m V及び830m Vの間のピーク・
トゥ・ピーク振幅を持っている必要があります。
7) R4(RM O D)ポテンショメータを最大抵抗に設定し
ます。これを行うには、カチッと収まったことが
かすかに感じられる位置までねじを反時計回りに回し
ます(30フル回転、0～50kΩの多回転ポテンショ
メータ)。これにより、変調電流が最小になります。
15)+3.3V又は+5Vの電源を、基板のJ7(VC C )及び
J8(GND)のテスト点に印可します。電流リミットを
300m Aに設定します。
8) R3(RTC)ポテンショメータを最大抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回します(30
フル回転、0～100kΩの多回転ポテンショメータ)。
これにより、変調電流の温度係数が最小になります。
16)TP19の電圧を監視しながら、目的のDCバイアス
電流が得られるまでR5(RSET)を調整します。R5
ポテンショメータのねじを時計回りに回すと、DC
バイアス電流が増加します。
9) JU 2(EN )、JU 3(EN )、及びJU 4(PO RD LY)に
17)オシロスコープでJ5 SM Aコネクタ出力を監視し
ジャンパを取り付けます。
ながら、目的の変調電流が得られるまでR4(RM OD
を調整します。R4ポテンショメータのねじを時計
回りに回すと、変調電流が増加します。
)
10)+5Vの電源で基板に電力を供給する場合は、JU1(LV)
にジャンパを取り付けます。電源はまだ投入しない
で下さい。
バイアス電流フィードバック(VCSEL)を
使用した電気的クイックスタート
11)JU5(FLTDLY)にジャンパがないことを確認します。
12)50Ω特性インピーダンスのケーブルを、J5 SM A
出力コネクタ及びオシロスコープの入力間に接続
します。オシロスコープの入力が50Ωで終端処理
されていることを確認します。
1) DC バイアス電流を直接安定化するように基板を
構成します。次のシャントを設定します。
M AX3286～M AX3289/M AX3296～M AX3299
データシートの、フォトダイオードアプリケー
ション回路無しのM AX3286/M AX3296コモン
カソードレーザを参照して下さい。
13)差動信号源をSM AコネクタJ1及びJ2に接続します。
各ソースは、100m V及び830m Vの間のピーク・
トゥ・ピーク振幅を持っている必要があります。
14)+3.3V又は+5Vの電源を、基板のJ7(VCC)及びJ8
(GND)のテスト点に印可します。電流リミットを
300m Aに設定します。
SHUNT
SP3
STATUS
Closed
Open
SP4
15)TP19の電圧を監視しながら、目的のDCバイアス
電流が得られるまでR11を調整します。R11ポテン
ショメータのねじを時計回りに回すと、DCバイアス
電流が増加します。
SP5
Closed
Closed
Open
SP6
SP7
SP8
Open
16)オシロスコープでJ5 SM Aコネクタ出力を監視しな
がら、目的の変調電流が得られるまでR4(RM OD)を
調整します。R4ポテンショメータのねじを時計回り
に回すと、変調電流が増加します。
SP9
Closed
Closed
Open
SP10
SP11
電気的評価でのフォトダイオードの
エミュレーション
2) レーザソケットに何も取り付けられていないことを
確認します(図1)。
M AX3286/M AX3296をレーザ無しで評価する場合
「( 電気的クイックスタート」の項参照)、M AX3286/
M AX3296のDCバイアス回路はフォトダイオードエミュ
レータ回路を使用して動作します。シャントSP6及び
SP7が短絡されている場合、U 2(M AX4322)、Q 2
(FM M T491A)、及びR30はレーザアセンブリの中の
フォトダイオードの動作をエミュレートする電流制御の
電流源を形成します。R22はレーザダイオードの役割を
果たし、フォトダイオードエミューレータ回路がQ 2の
コレクタからR22の電流の3% に等しい電流をシンクし
ます。これは、レーザ光の一部がフォトダイオードに
反射し、放射された光に比例するわずかな電流を出力
するというレーザダイオードとフォトダイオードの
アセンブリの動作をシミュレートするものです。
3) R24が取り付けられていることを確認します。
4) L8が取り付けられていないことを確認します。
5) C 12がオープンになっていることを確認します。
レーザは取り付けられていないため、補償ネット
ワークは必要ありません。
6) R11ポテンショメータを中央位置に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすか
に感じられる位置までねじを反時計回りに回し、
次に時計回りに15回転(30フル回転、0～200kΩ
の多回転ポテンショメータ)します。これにより、
レーザバイアス電流のレギュレーション点が
0.25V/100Ω = 2.5m Aに設定されます。
_______________________________________________________________________________________
3
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
9) 50ΩのSM AターミネータをJ5に接続し、レーザ
負荷と等しくなります。
光学的クイックスタート_________________
フォトダイオードフィードバックを使用した
光学的クイックスタート
10)JU2(EN)、JU3(EN)、及びJU4(PORDLY)にジャンパ
を取り付けます。
1) 基板がレーザバイアス電流を制御してフォトダイ
オード電流を一定に保つよう基板を構成します。
次のシャントを設定します。
11)+5Vの電源で基板に電力を供給する場合は、JU1(LV)
にジャンパを取り付けます。電源はまだ投入しない
で下さい。
M AX3286～M AX3289/M AX3296～M AX3299
データシートの、フォトダイオードアプリケー
ション回路付M AX3286/M AX3296コモンカソード
レーザを参照して下さい。
12)JU5(FLTDLY)にジャンパがないことを確認します。
13)差動信号源をSM AコネクタJ1及びJ2に接続します。
各ソースは、100m V及び830m Vの間のピーク・
トゥ・ピーク振幅を持っている必要があります。
SHUNT
SP3
STATUS
Open
14)+3.3V又は+5Vの電源を、基板のJ7(VCC)及びJ8
(GND)のテスト点に印可します。
SP4
Closed
Closed
Open
15)レーザ出力を監視しながら、目的のレーザバイアス
電流が得られるまでR5(RSET)を調整します。R5
ポテンショメータのねじを時計回りに回すと、レーザ
バイアス電流が増加します。
SP5
SP6
SP7
Open
SP8
Closed
Open
SP9
16)レーザ出力を監視しながら、目的のレーザ変調電流が
得られるまでR4(RM OD)を調整します。R4ポテン
ショメータのねじを時計回りに回すと、レーザの
変調電流が増加します。
SP10
SP11
Open
Closed
2) R24を取り外します。
3) L8を取り付けます。
17)オシロスコープで「アイ」の出力を観察します。レーザ
のオーバシュート及びリンギングはR13及びC12を
適切に選択することにより改善できます。これに
ついては、M AX3286～M AX3289/M AX3296～
M AX3299データシートの「レーザ補償フィルタ
ネットワークの設計」の項で説明されています。
4) レーザを基板に接続します(図1)。
5) R5(RSET)ポテンショメータを中央位置に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回し、次に
時計回りに1 5回転(30フル回転、0～10kΩの
多回転ポテンショメータ)します。これにより、
フォトダイオード電流のレギュレーション点が
(2.65V -1.7V)/5kΩ=190µAに設定されます。
バイアス電流フィードバック(VCSEL)を使用した
光学的クイックスタート
1) 基板がレーザバイアス電流を直接安定化させるよう
基板を構成します。次のシャントを設定します。
6) R4(RM O D)ポテンショメータを最大抵抗に設定し
ます。これを行うには、カチッと収まったことが
かすかに感じられる位置までねじを反時計回りに
回します(30フル回転、0～50kΩの多回転ポテン
ショメータ)。これにより、変調電流が最小になり
ます(ACドライブがレーザに印可されます)。
M AX3286～M AX3289/M AX3296～M AX3299
データシートの、フォトダイオードアプリケー
ション回路無しのM AX3286/M AX3296コモンカ
ソードレーザを参照して下さい。
SHUNT
SP3
STATUS
Closed
Open
7) R3(RTC)ポテンショメータを最大抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回します
(30フル回転、0～100kΩの多回転ポテンショ
メータ)。これにより、変調電流の温度係数が最小
になります。
SP4
SP5
Closed
Open
SP6
SP7
Open
SP8
Open
SP9
Closed
Closed
Open
8) R11ポテンショメータを30Ωの抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを時計回りに回し、次に
反時計回りに5回転します。
SP10
SP11
4
_______________________________________________________________________________________
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
2) R24を取り外します。
7) R3(RTC)ポテンショメータを最大抵抗に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回します(30
フル回転、0～100kΩの多回転ポテンショメータ)。
これにより、変調電流の温度係数が最小になります。
3) L8を取り付けます。
4) レーザを基板に接続します(図1)。
5) R11ポテンショメータを中央位置に設定します。
これを行うには、カチッと収まったことがかすかに
感じられる位置までねじを反時計回りに回し、次に
時計回りに15回転(30フル回転、0～200Ωの
多回転ポテンショメータ)します。これにより、
レーザバイアス電流のレギュレーション点が
0.25V /100Ω= 2.5m Aに設定されます。
8) 50ΩのSM AターミネータをJ5に接続し、レーザの
負荷と等しくします。
9) JU 2(EN )、JU 3(EN )、及びJU 4(PO RD LY)に
ジャンパを取り付けます。
1 0 ページに続きます。
6) R4(RM O D)ポテンショメータを最大抵抗に設定し
ます。これを行うには、カチッと収まったことが
かすかに感じられる位置までねじを反時計回りに回し
ます(30フル回転、0～50kΩの多回転ポテンショ
メータ)。これにより、変調電流が最小になります。
S
M
A
1
2
4
1, 3 = GROUND
2 = LASER-DIODE ANODE
4 = PHOTODIODE CATHODE
(LASER-DIODE CATHODE/PHOTODIODE
ANODE)
3
MAX3286
MAX3296
図1. 光接続図
表1. 調整及び制御の説明
COMPONENT
NAME
FUNCTION
The LED shines red when a fault has occurred. The fault condition can be cleared by
removing, then reinstalling, jumpers at JU2 or JU3.
D3
FAULT
Placing a jumper on JU1 connects the LV pin to ground and programs the power-on
reset circuit for +4.5V to +5.5V operation.
JU1
JU2
JU3
LV
EN
EN
Placing a jumper on JU2 ties the EN pin to VCC. When JU2 is not installed, the EN pin
is pulled low by its internal pull-down.
Placing a jumper on JU3 ties the EN pin to ground. When JU3 is not installed, the EN pin
is pulled high by its internal pull-up.
Placing a jumper on JU4 connects the PORDLY pin to a 0.01µF capacitor (C5). Leaving
JU4 open floats the PORDLY pin and minimizes the power-on reset time.
JU4
JU5
PORDLY
FLTDLY
Placing a jumper on JU5 disables the laser-driver safety features.
Potentiometer R3, in conjunction with potentiometer R4 (R ), sets the tempco of the
MOD
laser modulation current. Turn the potentiometer screw counterclockwise to increase
the resistance. The tempco decreases when the potentiometer screw is turned
counterclockwise.
R3
R4
R
TC
Potentiometer R4, in conjunction with potentiometer R3 (R ), sets the peak-to-peak
TC
amplitude of the laser modulation current. Turn the potentiometer screw counterclockwise
to increase the resistance. The laser modulation-current amplitude decreases when the
potentiometer screw is turned counterclockwise.
R
MOD
Potentiometer R5 adjusts the desired laser DC-current bias point. Potentiometer R5
sets the resistance from MD to ground, and MD regulates to 1.7V. Turn the potentio-
meter screw clockwise to decrease the resistance. The total range is 0 to 100kΩ. The
laser average power increases when the potentiometer screw is turned clockwise.
R5
R
SET
R11 adjusts the amount of degeneration in the bias transistor when using a photodiode.
When directly sensing bias current, R11 sets the regulation point.
R11
—
_______________________________________________________________________________________
5
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
C C
V
N . C .
R E F
G N D
I N -
C C
V
O U T +
O U T -
C C
V
I N +
C C
G N D
M O D S E T
T C
V
L V
F L T D L Y
図2. M AX3296 SW EVキットの回路図
6
_______________________________________________________________________________________
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
C C
R E F
G N D
I N -
V
C C
V
O U T +
O U T -
C C
I N +
C C
V
V
M O D S E T
L V
F L T D L Y
T C
図3. M AX3296EVキット基板回路図
_______________________________________________________________________________________
7
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
1.0"
1.0"
図4. M AX3296 SW EVキット部品配置ガイド
(シルクスクリーン上部)
図5. M AX3296 SW EVキットプリント基板
レイアウト(部品面側)
1.0"
1.0"
図6. M AX3296 SW EVキットプリント基板
レイアウト(グランドプレーン)
図7. M AX3296 SW EVキットプリント基板
レイアウト(パワープレーン)
8
_______________________________________________________________________________________
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
1.0"
1.0"
図8. M AX3296 SW EVキットプリント基板
レイアウト(ハンダ面側)
図9. M AX3296CGIS EVキット部品配置ガイド
(シルクスクリーン上部)
1.0"
1.0"
図10. M AX3296CGIS EVキットプリント基板
レイアウト(部品面側)
図11. M AX3296CGIS EVキットプリント基板
レイアウト(グランドプレーン)
_______________________________________________________________________________________
9
M A X 3 2 9 6 短波長又はV C S EL
(コモンカソード)評価キット
10)+5Vの電源で基板に電源を供給する場合は、JU1
(LV)にジャンパを取り付けます。電源はまだ投入
しないで下さい。
11)JU5(FLTDLY)にジャンパがないことを確認します。
12)差動信号源をSM AコネクタJ1及びJ2に接続します。
各ソースは、100m V及び830m Vの間のピーク・
トゥ・ピーク振幅を持っている必要があります。
13)+3.3V又は+5Vの電源を、基板のJ7(VCC)及びJ8
(GND)のテスト点に印可します。電流リミットを
300m Aに設定します。
14)レーザ出力を監視しながら、目的のDCバイアス電
流が得られるまでR 1 1 を調整します。R 1 1
ポテンショメータのねじを時計回りに回すと、DC
バイアス電流が増加します。
1.0"
15)レーザ出力を監視しながら、目的の変調電流が得
られるまでR4(RM OD)を調整します。R4ポテンシ
ョメータのねじを時計回りに回すと、変調電流が
増加します。
図12. M AX3296CGIS EVキットプリント基板
レイアウト(パワープレーン)
16)オシロスコープで「アイ」の出力を観察します。
レーザのオーバシュート及びリンギングはR13及
びC12を適切に選択することにより改善できます。
これについては、M A X 3 2 8 6 ～M A X 3 2 8 9 /
M AX3296～M AX3299データシートの「レーザ補
償フィルタネットワークの設計」の項で説明
されています。
1.0"
図13. M AX3296CGIS EVキットプリント基板
レイアウト(はんだ面側)
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