MAX3297 [MAXIM]
Dual-Output (Positive and Negative).DC-DC Converter for CCD and LCD[MAX685/MAX685C/D/MAX685EEE/MAX685EEE-T/MAX685EVKIT ] ; 双输出（正负） .DC -DC转换器，用于CCD及LCD [ MAX685 / MAX685C / D / MAX685EEE / MAX685EEE -T / MAX685EVKIT ]\n
| 型号： | MAX3297 |
| 厂家： | 
MAXIM INTEGRATED PRODUCTS |
| 描述： | Dual-Output (Positive and Negative).DC-DC Converter for CCD and LCD[MAX685/MAX685C/D/MAX685EEE/MAX685EEE-T/MAX685EVKIT ]
|
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19-1550; Rev 2; 3/01
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
概要___________________________________ 特長___________________________________
M AX3286/M AX3296シリーズは、ギガビットイーサ
ネットアプリケーション用に最適化された光ファイバ
LANトランスミッタ用高速レーザドライバです。各素子は、
バイアス発生器、レーザ変調器及び総合的な安全機能を
備えています。自動電力制御(APC)によってレーザバイ
アス電流が調整され、温度又はレーザ特性の変化に関係
なく平均光パワーを一定レベルに維持します。モニタ
フォトダイオードを持っていないレーザ用に、これらの
製品は一定電流モードを提供しています。本回路は、従来
の短波(780nm ～850nm )又は長波(1300nm )レーザ
ダイオード及び垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)
用に設定できます。
◆ 確定的ジッタ：7 p s(M A X 3 2 9 6 )
2 2 p s(M A X 3 2 8 6 )
◆ 電源電圧：+ 3 .0 V ～+ 5 .5 V
◆ 選択可能なレーザピン接続(コモンカソード又は
コモンアノード)(M A X 3 2 8 6 /M A X 3 2 9 6 )
◆ レーザ変調電流：3 0 m A
◆ 変調電流の温度補償
◆ 自動レーザパワー制御又は一定バイアス電流
◆ 安全回路の集積化
◆ パワーオンリセット信号
◆ パッケージ：Q FN も提供
M AX3286シリーズ(M AX3286～M AX3289)は
1.25G bps動作用に最適化されており、M AX3296
シリーズ(M AX3296～M AX3299)は2.5Gbps動作用に
最適化されています。各素子は、仕様のデータ速度で 型番___________________________________
30m Aのレーザ変調電流をスイッチングすることができ
TEMP.
RANGE
PIN-
PACKAGE
ます。全動作温度範囲で消光比を仕様内に維持するために、
可変温度補償が提供されています。このシリーズの
素子は、低コストTO -46ヘッダに収められたレーザの
駆動用に最適化されています。M AX3286の確定的ジッタ
(DJ)は22ps(typ)であるため、ギガビットイーサネット
DJ規格に対して72% のマージンを持っています。
PART
✕
0°C to +70°C 28 QFN (5mm 5mm)**
MAX3286CGI
MAX3286CHJ
MAX3286C/D
✕
0°C to +70°C 32 TQFP (5mm 5mm)
0°C to +70°C Dice*
型番はデータシートの最後に続いています。
*Dice are designed to operate from T = 0°C to +110°C, but are
J
これらのレーザドライバは、単一ポイントの耐障害性
を保証するために充実した安全機能を提供しています。
安全機能としては、デュアルイネーブル入力、デュアル
シャットダウン回路及びレーザパワーモニタを備えて
います。安全回路は、危険な光出力レベルを生じる
可能性のある障害を検出します。プログラマブルな
パワーオンリセットパルスによって、スタートアップ時
にレーザドライバが初期化されます。
tested and guaranteed only at T = +25°C.
A
**Exposed pad.
ピン配置_______________________________
TOP VIEW
GND
GND
M AX3286/M AX3296は、小型の5m m x5m m 28ピン
QFNパッケージ、5m m x5m m 32ピンTQFPパッケージ
又はチップの形で提供されています。M AX3287/
M AX3288/M AX3289及びM AX3297/M AX3298/
M AX3299は、16ピンTSSO P-EPパッケージで提供
されています。
FAULT
1
2
3
4
5
6
7
21 BIASDRV
20 SHDNDRV
19 GND
FAULT
POR
MAX3286
MAX3296
GND
18 MON
17 MD
EN
EN
16 POL
アプリケーション_______________________
ギガビットイーサネット光トランスミッタ
ファイバチャネル光トランスミッタ
PORDLY
15 POL
GND
GND
ATM LAN光トランスミッタ
QFN*
標準アプリケーション回路及び選択ガイドはデータシートの
最後に記載されています。
*Exposed pad is connected to GND.
Pin Configurations continued at end of data sheet.
________________________________________________________________ Maxim Integrated Products
1
本データシートに記載された内容は、英語によるマキシム社の公式なデータシートを翻訳したものです。翻訳により生じる相違及び誤りに
ついての責任は負いかねます。正確な内容の把握にはマキシム社の英語のデータシートをご参照下さい。
無料サンプル及び最新版データシートの入手にはマキシム社のホームページをご利用下さい。w w w .m axim -ic.com
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Supply Voltage at V ..........................................-0.5V to +7.0V
Voltage at EN, EN, PORDLY, FLTDLY, LV, IN+, IN-,
REF, POL, POL, MD, MON, BIASDRV,
32-Pin TQFP (derate 14.3mW/°C above +70°C).........1100mW
28-Pin QFN (derate 28.7mW/°C above +70°C) ..........2300mW
16-Pin TSSOP (derate 27mW/°C above +70°C) .........2162mW
Operating Temperature Range ...............................0°C to +70°C
Operating Junction Temperature Range ..............0°C to +150°C
Processing Temperature (die) .........................................+400°C
Storage Temperature Range .............................-55°C to +150°C
Lead Temperature (soldering, 10s) .................................+300°C
CC
MODSET, TC ......................................................-0.5V to (V + 0.5V)
CC
Voltage at OUT+, OUT-.........................(V - 2V) to (V + 2V)
CC
CC
Current into FAULT, FAULT, POR, SHDNDRV....-1mA to +25mA
Current into OUT+, OUT-....................................................60mA
Continuous Power Dissipation (T = +70°C)
A
Stresses beyond those listed under “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. These are stress ratings only, and functional
operation of the device at these or any other conditions beyond those indicated in the operational sections of the specifications is not implied. Exposure to
absolute maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(V = +3.0V to +5.5V, T = 0°C to +70°C, unless otherwise noted. Typical values are at V = +3.3V and T = +25°C, R = open;
CC
A
CC
A
TC
see Figure 1a.)
PARAMETER
Supply Current
SYMBOL
CONDITIONS
= 1.82kΩ
MOD
MIN
TYP
MAX
75
UNITS
mA
mV
µA
I
CC
Figure 1a, R
52
Data Input Voltage Swing
TTL Input Current
V
ID
Total differential signal, peak-to-peak, Figure
0 ≤ V ≤ V
200
-100
2.0
1660
100
PIN
CC
TTL Input High Voltage
TTL Input Low Voltage
V
IH
V
V
IL
0.8
V
FAULT, FAULT Output High
Voltage
V
I
= -100µA
= 1mA
OL
2.4
V
V
OH
OH
FAULT, FAULT Output Low
Voltage
V
OL
I
0.4
1
BIAS GENERATOR (Note 1)
BIASDRV Current, Shutdown
BIASDRV Current Sink
BIASDRV Current Source
REF Voltage
EN = GND
-1
µA
FAULT = low, V
FAULT = low, V
≥ 0.6V
0.8
BIASDRV
mA
≤ V - 1V
0.8
BIASDRV
CC
I
≤ 2mA, MON = V
2.45
1.55
2.65
1.7
2.85
1.85
1.2
V
V
REF
CC
MD Nominal Voltage
V
MD
APC loop is closed
Common-cathode configuration
Common-anode configuration
Normal operation (FAULT = low)
0.4
MD Voltage During Fault
V
2
V
- 0.8
CC
MD Input Current
MON Input Current
POWER-ON RESET
-2
0.16
0.44
2
6
µA
µA
V
= V
CC
MON
LV = GND
LV = open
3.9
4.5
3.0
POR Threshold
V
2.65
POR Hysteresis
150
mV
FAULT DETECTION
REF Fault Threshold
MD High Fault Threshold
MD Low Fault Threshold
2.95
V
V
+ 5%
V
+ 20%
MD
MD
V
MD
- 20%
V
- 5%
MD
V
600
-
V
CC -
480
CC
MON Fault Threshold
MAX3286/MAX3288/MAX3296/MAX3298
mV
V
MODSET, TC Fault Threshold
0.9
2
_______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V = +3.0V to +5.5V, T = 0°C to +70°C, unless otherwise noted. Typical values are at V = +3.3V and T = +25°C, R = open;
CC
A
CC
A
TC
see Figure 1a.)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
SHUTDOWN
I
= 10µA, FAULT asserted
V
CC
- 0.4
SHDNDRV
Voltage at SHDNDRV
I
= 15mA, FAULT not asserted
= 1mA, FAULT not asserted
0
V
- 1.2
- 2.4
V
SHDNDRV
CC
I
0
V
CC
SHDNDRV
LASER MODULATOR
MAX3286 series
MAX3296 series
1.25
2.5
Data Rate
Gbps
mA
mA
%
Minimum Laser Modulation
Current
2
Maximum Laser Modulation
Current
R
L
≤ 25Ω
30
R
R
= 1.9kΩ (i
= 30mA)
= 5mA)
-10
-15
10
15
MOD
MOD
Tolerance of Modulation Current
= 13kΩ (i
MOD
MOD
MAX3286 series
MAX3296 series
130
90
220
150
Modulation-Current Edge
Speed
20% to 80%
ps
R
= 13kΩ
= 5mA)
MOD
46
29
22
14
8
65
45
35
35
22
20
(i
MOD
R
MOD
= 4.1kΩ
= 15mA)
MAX3286 series
(i
MOD
R
MOD
= 1.9kΩ
= 30mA)
(i
MOD
Deterministic Jitter (Note 2)
ps
R
MOD
= 13kΩ
= 5mA)
(i
MOD
R
MOD
= 4.1kΩ
= 15mA)
MAX3296 series
(i
MOD
R
MOD
= 1.9kΩ
= 30mA)
7
(i
MOD
MAX3286 series
MAX3296 series
2
2
8
4
Random Jitter, RMS (Note 3)
Shutdown Modulation Current
ps
15
200
µA
Tempco = max, R
= open; Figure 5
4000
50
MOD
Modulation-Current
Temperature Coefficient
ppm/°C
Tempco = min, R = open; Figure 5
TC
Differential Input Resistance
Output Resistance
620
42
800
50
980
58
Ω
Ω
V
Single ended
Input Bias Voltage
V
- 0.3
CC
LASER SAFETY CIRCUIT
PORDLY = open
0.3
3
1.25
5.5
µs
POR Delay
t
PORDLY
C
= 0.01µF,
PORDLY
ms
MAX3286/MAX3296 only
Fault Time
t
(Note 4)
22
20
µs
µs
FAULT
Glitch Rejection at MD
10
_______________________________________________________________________________________
3
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
(V = +3.0V to +5.5V, T = 0°C to +70°C, unless otherwise noted. Typical values are at V = +3.3V and T = +25°C, R = open;
CC
A
CC
A
TC
see Figure 1a.)
PARAMETER
FLTDLY Duration
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
0.2
TYP
1
MAX
UNITS
C
C
= 0
FLTDLY
FLTDLY
t
µs
FLTDLY
= 270pF
100
140
EN or EN Minimum Pulse Width
Required to Reset a Latched
Fault
MAX3286/MAX3296 only,
Figure 1b
t
6
10
ns
EN_RESET
MAX3286/MAX3296 only,
Figure 1b
FAULT Reset After EN, EN, or
POR Transition
t
1
2
µs
µs
RESET
SHDNDRV Asserted After EN =
low or EN = high
MAX3286/MAX3296 only,
Figure 1b
t
3.5
5.5
SHUTDN
Note 1: “Common-anode configuration” refers to a configuration where POL = GND, POL = V , and an NPN device is used to set
CC
the laser bias current. “Common-cathode configuration” refers to a configuration where POL = V , POL = GND, and a PNP
CC
device is used to set the laser bias current.
Note 2: Deterministic jitter measured with a repeating K28.5 bit pattern 00111110101100000101. Deterministic jitter is the peak-to-
peak deviation from the ideal time crossings per ANSI X3.230, Annex A.
Note 3: For Fibre Channel and Gigabit Ethernet applications, the peak-to-peak random jitter is 14.1 times the RMS jitter.
Note 4: Delay from a fault on MD until FAULT is asserted high.
標準動作特性 ______________________________________________________________________
(T = +25°C, unless otherwise noted.)
A
POR DELAY vs. C
PORDLY
FLTDLY DURATION vs. C
FLTDLY
EYE DIAGRAM
100,000
10,000
1000
10,000
1000
100
100
10
1
10
1
10
100
1000
10,000
100,000
1
10
100
1000
10,000
50ps/div
CAPACITANCE (pF)
CAPACITANCE (pF)
7
2.5Gbps, 1310nm LASER, 2 - 1 PRBS, i
= 15mA
MOD
4
_______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
標準動作特性(続き)_________________________________________________________________
(T = +25°C, unless otherwise noted.)
A
EN STARTUP
(COMMON-ANODE CONFIGURATION)
MD SHUTDOWN
EYE DIAGRAM
MD
EN
FAULT
FAULT
BIASDRV
SHDNDRV
OPTICAL
OUTPUT
OPTICAL
OUTPUT
10µs/div
5µs/div
100ps/div
7
1.25Gbps, 1310nm LASER, 2 - 1 PRBS, i = 15mA
mod
端子説明 __________________________________________________________________________
端子
TSSOP-EP
MAX3287
MAX3297
MAX3289
MAX3299
QFN
MAX3286
MAX3296
TQFP
MAX3286
MAX3296
TSSOP-EP
MAX3288
MAX3298
機ꢀ能
名称
反転障害インジケータ。表1を参照。
1
—
2
1
2, 16, 19
3
—
—
—
—
—
—
FAULT
N.C.
無接続
FAULT
非反転障害インジケータ。表1を参照。
パワーオンリセット。PORはTTLコンパチ
ブル出力です。図14を参照。
3
4
2
2
POR
GND
4, 13, 19
5, 14, 22, 30
6
1, 6
1, 6
グランド
イネーブルTTL入力。レーザ出力は、ENがハイで
さらにENがローの時にイネーブルされます。EN
が未接続の場合、レーザはディセーブルされます。
5
6
—
—
—
—
EN
反転イネーブルTTL入力。レーザ出力は、EN
がロー又はグランドでさらにENがハイの時に
イネーブルされます。ENが未接続の場合、
7
8
EN
レーザはディセーブルされます。
パワーオンリセット遅延。パワーオンリセット
回路の遅延を延長するには、PORDLYにコン
7
—
—
PORDLY
デンサを接続して下さい。「設計手順」を参照。
_______________________________________________________________________________________
5
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
端子説明(続き)_____________________________________________________________________
端子
TSSOP-EP
QFN
MAX3286
MAX3296
TQFP
MAX3286
MAX3296
TSSOP-EP
MAX3288
MAX3298
MAX3287
MAX3297
MAX3289
MAX3299
名称
機ꢀ能
障害遅延入力。FAULT及びFAULT出力の
t
遅延を決定します。FLTDLYに接続された
コンデンサが適正なスタートアップを保証し
(
ます。「( 標準動作特性」を参照。)FLTDLY=
8
9
—
—
FLTDLY
GNDの時、FAULTがローに、FAULTがハイ
に保持されます。FLTDLY= GND、EN =
ハイ、EN = ローで、V が動作範囲内に
CC
ある時、安全回路は動作しません。
i
低電圧動作。GNDに接続すると4.5V～5.5V
動作になります。オープンにしておくと、
9
10
—
—
LV
3.0V～5.5V動作になります。
t
10, 22, 23,
26
11, 25, 26,
29
3, 11, 14
3, 11, 14
V
CC
電源電圧
非反転データ入力
11
12
12
13
4
5
4
5
IN+
IN-
I反転データ入力
リファレンス電圧。REFとM Dの間に接続
された抵抗がレーザパワーを決定します
(コモンカソードレーザでAPCを使用した場合)。
14
15
16
17
18
20
21
15
17
18
20
21
23
24
7
—
—
8
7
—
—
8
REF
POL
極性入力。POLはレーザピン接続極性の設定
tに使用されます(表4)。
I
反転極性入力。POLはレーザピン接続極性の
設定に使用されます(表4)。
POL
(
モニタダイオード(M D)接続。M Dは自動電力
制御用に使用されます。
MD
レーザバイアス電流モニタ。VCSELアプリ
—
9
9
MON
ケーションにおいてレーザバイアス電流を
設定するために使用されます。
シャットダウンドライバ出力。冗長レーザ
—
10
SHDNDRV
BIASDRV
rシャットダウン機能を提供します。
バイアス制御トランジスタドライバ。外付け
t
PNP又はNPNトランジスタのベースに接続
10
されます。
t
6
_______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
端子説明(続き)_____________________________________________________________________
端子
TSSOP-EP
MAX3287
MAX3297
MAX3289
MAX3299
QFN
MAX3286
MAX3296
TQFP
MAX3286
MAX3296
TSSOP-EP
MAX3288
MAX3298
名称
機ꢀ能
変調電流出力。「標準アプリケーション回路」
を参照して下さい。
24
25
27
28
12
13
12
13
OUT+
OUT-
変調電流出力。「標準アプリケーション回路」
を参照して下さい。
変調電流設定。M ODSETの抵抗がレーザ変調
電流の温度安定成分を設定します。
27
28
EP
31
32
—
15
16
EP
15
16
EP
MODSET
TC
温度補償設定。TCの抵抗がレーザ変調電流の
温度増加成分を設定します。
グランド。適正な放熱性能を得るには、これを
Exposed
Pad
基板のグランドにハンダ付けする必要があり
ます。「レイアウト上の考慮」を参照して下さい。
表2. LV動作範囲
表1. 標準的な障害条件
PIN
FAULT CONDITION
OPERATING VOLTAGE
RANGE (V)
LV
LV = open and V < 3V;
CC
V
CC
Open
>3.0
>4.5
LV = GND and V < 4.5V
CC
Grounded
REF
POL and POL
MON
V
REF
> 2.95V
POL = POL
V
< V - 540mV
CC
MON
◆
V
V
MD
> 1.15
< 0.85
V
,
MD
MD(nom)
MD
◆
V
MD(nom)
EN and EN
EN = low or open, EN = high or open
and V ≤ 0.8V
MODSET
and TC
V
MODSET
TC
_______________________________________________________________________________________
7
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
V
CC
I
CC
I
OUT
FERRITE BEAD*
VOLTS
0.01µF
DIFFERENTIAL INPUT
RESULTING SIGNAL
V
IN+
100mVp-p MIN
830mVp-p MAX
0.01µF
V
CC
OUT-
OUT+
V
IN-
V
CC
V
CC
L = 3.9nH
MAX3286
MAX3296
200mVp-p MIN
1660mVp-p MAX
V
= V - V
ID IN+ IN-
50Ω
50Ω
i
MOD
R
L
25Ω
CURRENT
i
MOD
IN+
IN-
L = 3.9nH
V
ID
BIASDRV
(OPEN)
TIME
MODSET
MODULATION
CONTROL
R = 25Ω
L
i
3/2
MOD
*MURATA
LASER
BLM11HA102
R
MOD
EQUIVALENT
LOAD
TC
図1a. AC仕様用の出力負荷
詳細___________________________________
V
レーザドライバのM AX3286/M AX3296シリーズは、
APC付のバイアス発生器、レーザ変調器、パワーオン
リセット(POR)回路及び安全回路を備えています(図2a
及び2b)。
CC
t
PORDLY
POR
t
t
RESET
FAULT
FAULT
t
SHUTDN
SHDNDRV
バイアス発生器
OPTICAL
OUT
図3に、電力制御アンプ、制御されたリファレンス電圧、
スムーズスタート回路及びウィンドウコンパレータを
含むバイアス発生器回路を示します。このバイアス
発生器及び外付けトランジスタ(PNPあるいはNPN)に
より、発光状態でレーザをバイアスするためにDCレーザ
電流を供給します。レーザパッケージにモニタダイ
オード(M D)がある場合は、APC回路がレーザバイアス
電流を調整して、全温度範囲及びレーザ特性の変動範囲
にわたって平均パワーを維持します。M D入力は、モニタ
フォトダイオードのアノード又はカソード、あるいは
t
EN_RESET
EN
FAULT ON MD RESET BY EN SHUTDOWN
BY EN
NOTE: TIMING IS
NOT TO SCALE.
図1b. 障害タイミング
8
_______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
抵抗分圧器に接続されます。接続先は特定のアプリケー
ションによります。3つのアプリケーション回路(フォト
ダイオード付コモンカソードレーザ、フォトダイオード
LV
POR
POR CIRCUIT
SAFETY
PORDLY
FAULT
EN
EN
なしのコモンカソードレーザ、フォトダイオード付
コモンアノードレーザ)がサポートされています「( 設計
手順」を参照)。PO L及びPOL入力はレーザのピン接続
(コモンカソード、コモンアノード)を決定します(表4)。
FAULT
SHDNDRV
FLTDLY
POL
MD
POL
BIASDRV
REF
BIAS GENERATOR
MON
スムーズスタート回路は、パワーアップ又はイネーブル
時にレーザに電流スパイクが流れ込むのを防ぎます。
これにより、安全基準への適合及びレーザの長寿命が
保証されます。
MD
IN+
OUT+
OUT-
LASER
MODULATOR
IN-
MODSET
TC
電力制御アンプは、外部トランジスタを駆動することに
よってレーザのバイアス電流を制御します。障害条件に
おいては、電力制御アンプの出力がディセーブルされ
ます(ハイインピーダンス)。これにより、PNP又はNPN
トランジスタがターンオフされて、レーザバイアス電流
が除去されることが保証されます「( アプリケーション
情報」を参照)。
図2a. レーザドライバの簡略化ファンクション
ダイアグラム
LV
PORDLY
REF
MAX3286
MAX3296
CONTROLLED
REFERENCE
GENERATOR
POR
1.7V
REF
POR CIRCUIT
FAULT
FAULT
MON
V
CC
- 0.54V
SHDNDRV
1.97V
SAFETY
CIRCUITRY
FLTDLY
EN
EN
MD
1.53V
POL
POL
BIASDRV
SMOOTH-
START
BIAS GENERATOR
+1.7V
OUT-
IN+
IN-
OUT+
INPUT BUFFER
50Ω
50Ω
LASER
MODULATOR
V
CC
MODULATION CURRENT
GENERATOR
TC
MODSET
R
TC
R
MOD
図2b. レーザドライバのファンクションダイアグラム
_______________________________________________________________________________________
9
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
REFピンは、M ONの電圧に依存して制御されたリファ
レンス電圧を提供します。REF電圧は、VREF = 2.65 -
POLARITY_FAULT
+1.53V
2.25(VCC -VM ON)です。コモンカソードレーザでAPC
が使用されている場合、REFに接続されている抵抗が
レーザパワーを決定します。レーザパワーの設定に
ついては「設計手順」を参照して下さい。
MD
FAULT
GLITCH
REJECT
POL
POL
SMOOTH-
START
WINDOW
COMPARATOR
+1.97V
ENABLE
POWER-
CONTROL
AMPLIFIER
変調回路
ENABLE
MD
REF
BIASDRV
MON
変調回路は入力バッファ、電流発生器及び高速電流
スイッチからなっています(図4)。変調器は、25Ω負荷
に最大30m Aの変調電流を流します。
+1.7V
CONTROLLED REFERENCE VOLTAGE
V
REF
= 2.65 - 2.25 (V - V
)
CC MON
変調器の性能仕様の多くは、全変調器電流(IOUT)に依存
します(図1a)。ドライバが良好に機能するためには、
O U T+及びO U T-における電圧がVCC -1Vよりも低く
ならないようにする必要があります。
V
CC
- 540mV
REF_FAULT
MONITOR_FAULT
2.95V
変調電流の振幅は、M ODSET及びTC(温度係数)のピンの
図3. バイアス発生回路
抵抗で設定されます。M ODSETピンからの抵抗(RM OD
)
は変調電流の温度安定部分を設定し、TCピンからの抵抗
(RTC)は変調電流の温度増加部分を設定します。図5に、
2つの極端な場合について変調電流を温度の関数として
示します。即ち、RTCがオープンの場合(変調電流の温度
係数がゼロ)及びRM ODがオープンの場合(変調電流の温度
係数が4000ppm )です。中間的な変調電流の温度係数
を得る方法については、「設計手順」を参照して下さい。
表3はRTC及びRM ODの選択表です。
V
CC
MAX3286
MAX3296
50Ω
50Ω
OUT+
OUT-
IN+
CURRENT
SWITCH
INPUT
BUFFER
400Ω
V
CC
- 0.3V
400Ω
安全回路
IN-
ENABLE
本レーザドライバは、2つの一般的な安全システムと
共に使用できます。APCは、ローカルフィードバック
を使用してレーザの安全性を保持します。安全機能は
レーザドライバの動作を監視し、障害を検出すると
強制的にシャットダウンします。シャットダウン状態は
ラッチされ、EN、EN又は電源のトグルによってリセット
されるまでラッチ状態に留まります。
CURRENT AMPLIFIER
96X
MODULATION CURRENT
GENERATOR
4000ppm/°C
REFERENCE
1.2V
REFERENCE
MOD_FAULT
TC_FAULT
表3. R 及びR
の選択表
M O D
TC
0.8V
0.8V
i
= 30mA
i
= 15mA
i
= 5mA
MOD
MOD
MOD
TEMPCO
(ppm/°C)
R
R
TC
R
R
TC
R
MOD
R
TC
MOD
MOD
TC
MODSET
(kΩ)
26.7
9.53
5.76
4.12
3.24
2.67
2.26
(kΩ)
1.69
2.0
(kΩ)
53.6
18.7
11.3
8.06
6.19
5.11
4.22
(kΩ)
3.65
4.32
5.23
6.49
8.87
13.3
26.7
(kΩ)
162
(kΩ)
11.5
13.3
16.2
20.0
26.7
40.2
80.6
R
TC
R
MOD
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
57.6
34.8
24.9
19.1
15.8
13.3
2.49
3.16
4.32
6.49
13.3
図4. レーザ変調回路
10 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
もう1つの安全システムであるオープンファイバコント
ドライバが動作を開始できるようにしています。この
パルスの長さは、FLTD LYに接続されたコンデンサに
よって決定されますが、APCの時間定数の5～10倍の
長さに設定します。内部安全機能は、FLTDLYをGNDに
接続することによってディセーブルできます。レーザが
動作するには、ENはハイ、ENはロー、更にVCCが動作
範囲内に収まっている必要があることに注意して下さい。
ロール(OFC)は、目への危険を防ぐために安全インター
ロックを使用します。M AX3286/M AX3296シリーズ
は、OFC標準規格を満たすためにデュアルイネーブル
入力及びデュアル障害出力を提供しています。
安全回路は障害検出、デュアルイネーブル入力、ラッチ付
障害出力及びパルス発生器を含んでいます(図6)。
安全回路はAPC回路を監視して、単一ポイントの障害の
危険なレーザ発光レベルを検出します。単一ポイントの
障害としては、VCC又はGNDへの短絡又は任意の2つの
ICピンの間の短絡の可能性があります。
障害検出
M AX3286/M AX3296シリーズは、充実した総合障害
検出機能を備えています。全ての重要なノードは安全な
障害かどうか監視され、予想値より著しく異なるノード
電圧があれば、障害として検出されます(表1)。障害条件
が検出されると、レーザはシャットダウンされます。
レーザの安全性の詳細については、「アプリケーション
情報」を参照して下さい。
パルス発生器
スタートアップ中、レーザは発光しておらず、APC
ループが閉じていないため、障害信号がトリガされます。
スタートアップが可能になるように、内部障害遅延パルス
が設定された時間だけ安全システムをディセーブルして、
シャットダウン
本レーザドライバは、デュアル冗長バイアスシャット
ダウン機構を提供しています。SHDNDRV出力は任意の
外部M OSFETを駆動します。バイアスと変調ドライバは
別々の内部ディセーブル信号を持っています。
1.3
R
≥ 1.9kΩ
= OPEN
TC
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
R
MOD
TEMPCO = 4000ppm/°C
ラッチ付障害出力
R
= OPEN
TC
M AX3286/M AX3296シリーズは、2つのコンプリメン
タリFAU LT出力を持っています。障害が発生すると、
これらの出力は下記の3つのどれかが起こるまでラッチ
されます。
TEMPCO = 50ppm/°C
1) 電源が一旦オフになって、それからオンになる。
2) ENが一旦ローになって、それからハイになる。
3) ENが一旦ハイになって、それからローになる。
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
図5. 最大及び最小温度係数における変調電流対温度
PULSE GENERATOR
FLTDLY
(FROM POR CIRCUIT)
EN
t
FLTDLY
R
Q
FAULT
RESET
DOMINANT
FAULT
LATCH
FAULT
DETECTION
REF_FAULT
S
V
CC
MONITOR_FAULT
MD_FAULT
FAULT
200ns
DELAY
POLARITY_FAULT
TC_FAULT
MOD_FAULT
EN
SHDNDRV
MAX3286
MAX3296
ENABLE
図6. 簡略化安全回路図
______________________________________________________________________________________ 11
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
温度安定部分を設定し、抵抗RTCは変調電流の温度増加
PORDLY
部分を設定します。
V
CC
レーザのスロープ効率(α )から適切な温度係数を決定
MAX3286
MAX3296
するには、次式を使用して下さい。
28k
α70 − α25
α25(70°C −25°C)
+6
25k
レーザ温度係数 =
× 10
ppm/°C
[
]
LV
VARIABLE
DELAY
POR
ここで、αはレーザ電流に対するレーザ出力パワーの
= 0.7s/µF C
PORDLY
36k
スロープです。
1.2V
BANDGAP
例えば、レーザのスロープ効率α25が+25℃において
0.021m W /m Aで、+70℃において0.018m W /m Aまで
減少するとします。上式に従うと、レーザ温度係数が
-3175ppm /℃となります。
図7. パワーオンリセット回路
希望の変調電流と温度係数を得るために必要なRM O D
及びRTCの値は、次の2つの式を使用して決定すること
ができます。
パワーオンリセット(PO R)
図7に、M AX3286/M AX3296シリーズのPO R回路を
示します。PO R信号は、VCCが動作範囲内にある時に
ローになります。電圧動作範囲は、表2に示すようにLV
ピンで決定されます。PO Rは、パワーオン又はホット
プラグ挿入時のVCC上のノイズを除去するための内部遅延
を備えています。この遅延は、PO RD LYピンに容量を
追加することによって延長できます。PORコンパレータ
は、ノイズ除去を改善するためにヒステリシスを備えて
います。VCCが動作範囲外にある時、レーザドライバは
シャットダウンされます。
0.21
R
=
− 250Ω
TC
Tempco i
MOD
(R +250Ω)52 × Tempco
TC
R
=
− 250Ω
MOD
(0.19 − 48 × Tempco)
ここで、Tem pco = -レーザ温度係数です。
図8aはこれらの式から得られた曲線群です。斜めの直線
は一定温度係数を示しています。曲線は一定変調電流を
表しています。温度補償を希望しない場合は、RM ODを
変化した時の様々な負荷におけるレーザ変調電流を図8b
に示します。
設計手順_______________________________
レーザの選択
下記の有用な式から、図8a及び本節の始めの式が導出
されています。最初の式ではRL = 25Ωとして仮定して
います。
1.25G bpsアプリケーションの場合は立上がり時間が
260ps以下、2.5G bpsアプリケーションの場合は
立上がり時間が130ps以下の通信グレードのレーザを
選択して下さい。M AX3286/M AX3296のAC特性を
満足するには、OUT+における出力電圧が急変しても常に
VCC -1Vを上回っている必要があります。必要な変調
電流が小さく、OUT+で発生する電圧スイングが小さい
高効率レーザを選択して下さい。レーザのパッケージ
インダクタンスは、リードをトリミングすることに
よって小さくすることができます。標準的なパッケージ
リードのインダクタンスは25nH/インチ(1nH/m m )です。
このインダクタンスは、レーザの両端に大きな電圧
スイングを生じる原因となります。リンギング、エッジ
速度及び電圧スイングを低減するために、補償フィルタ
ネットワークを使用することもできます。
1.15
+250Ω
1.06
R +250Ω
TC
+
×
R
MOD
i
= 51 ×
A
[ ]
MOD
−3
1+ 4.0 × 10 T– 25°C
(
)
)
(
i
= i
+ i
MOD(70°C)
MOD(25°C) MOD(25°C)
(TEMPCO)(70°C–25°C) A
[ ]
バイアス電流/APCの設定
以下に、3つのアプリケーション回路について説明します
(フォトダイオード付コモンカソードレーザ、フォトダイ
オードなしのコモンカソードレーザ、フォトダイオード
付コモンアノードレーザ)。POL及びPOL入力はレーザ
のピン接続(コモンカソード、コモンアノード)を決定し、
スムーズスタート回路に影響します(表4)。
変調電流の設定
M O D SETピン及びTC ピンからの抵抗によって、変調
電流の振幅が設定されます。抵抗RM O D は変調電流の
12 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
フォトダイオード付コモンカソード
(光フィードバック)
1000
500ppm
1000ppm
1500ppm
2000ppm
2500ppm
フォトダイオード付コモンカソード構成では、外付け
PNP Q1、レーザダイオード、モニタダイオード、RSET
及び電力制御アンプによってサーボ制御ループが形成
されます(図9)。M Dにおける電圧は1.7Vに安定化されて
3000ppm
3500ppm
5mA
10
10mA
います。モニタフォトダイオード電流(I )は、(VREF
-
D
15mA
20mA
VM D)/RSET = 0.95/RSETによって設定されます。希望の
モニタ電流(I )を決めてから、RSET= 0.95/I を選択して
25mA
30mA
D
D
R = 25Ω
L
下さい。
1
1
10
100
1000
APCループはCBIASDRVによって補償されます。BIASDRV
とVCC 間にコンデンサを取り付けて、低ノイズ動作を
補償し、電源ノイズを除去する必要があります。この時
間定数により、平均全レーザ電流(IBIASDRV+ iM OD)に
反応するレーザバイアス電流の応答速度が決まります。
RDEGが適切に選択されていれば、0.1µFの容量で1µsを
超えるループ時定数を得ることができます。バイアス
電流を小さくする場合、APCループの安定性を確保する
ために抵抗RDEGが必要な場合があります。
R
(kΩ)
MOD
図8a. 様々な条件におけるRTC対RM OD
40
35
30
10Ω
LOAD
25
20
15
10
5
NOTE: R = OPEN
TC
最大バイアス電流において、RDEGの電圧降下が250m V
を超えないようにして下さい。
25Ω
LOAD
50Ω
LOAD
フォトダイオード付のコモンカソード構成において使用
されるディスクリート部品は、以下の通りです。
RSET = 0.88/I
D
0
0
2
4
6
8
(kΩ)
10
12
14
CBIASDRV = 0.1µF(typ)
RDEG = 0.25/I
R
MOD
BIAS(M AX)
図8b. レーザ変調電流対RM OD
表4. 各レーザ構成タイプのPO Lピンセットアップ
DEVICE
POL
DESCRIPTION
LASER PINNING
POL
MAX3286/MAX3296
V
CC
GND
Common cathode with
photodiode
MAX3287/MAX3297
MAX3286/MAX3296
MAX3288/MAX3298
MAX3286/MAX3296
MAX3289/MAX3299
—
—
GND
—
V
CC
Common cathode without
photodiode
—
V
CC
GND
—
V
CC
Common anode with
photodiode
—
MAX3286/MAX3296
MAX3286/MAX3296
V
V
Not allowed; fault occurs
Not allowed; fault occurs
—
—
CC
CC
GND
GND
______________________________________________________________________________________ 13
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
Q1 = 汎用PNP、β > 100、f > 5M Hz
定数を得ることができます。これにより電源ノイズ除去
t
が改善されます。
B1 = フェライトビーズ(「バイアスフィルタ」の項を
参照)
外部部品の選択は以下の手順に従って下さい。
1) 必要なレーザバイアス電流を決めます。
M 1 = 汎用PM OS(オプション)
I
BIAS
= I + i
TH M OD/2
電流フィードバック付コモンカソード
2) RM DとRSETを選択します。
電流フィードバック付コモンカソード構成においては、
外付けPN Pトランジスタ(Q 1)、RM O N 、制御された
リファレンス電圧ブロック、RSET、RM D、及び電力制御
アンプによってサーボ制御ループが形成されます(図10)。
M Dにおける電圧は1.7Vに安定化されています。M ON
の電圧は抵抗RSET及びRM Dによって設定されます。短波
構成の場合と同様に、BIASDRVとVCCの間に0.1µFの
CBIASDRVを接続することによって、約1µsのAPCループ時
マキシム社ではRSET =1kΩ、RM D = 5kΩを推奨して
います。これにより、VCC -VM ON ≈ 250m Vとなり
ます。
3)RM O N = 250m V/IBIASとしてRM O N を選択します
(RSET = 1kΩ、RM D = 5kΩと仮定)。
レーザバイアス電流とRM ONの特性を図11に示します。
V
CC
V
CC
R
DEG
MAX3286
V
CC
MAX3287
MAX3296
MAX3297
REF
CONTROLLED REFERENCE VOLTAGE
MON
C
BIASDRV
V
REF
= 2.65V
MAX3286/96
SHDNDRV
V
CC
ONLY
M1
R
SET
POL
SMOOTH-
START
1.7V
POL
MD
Q1
BIASDRV
I
D
POWER-CONTROL
AMPLIFIER
I
BIAS
PHOTO
DIODE
FERRITE
BEAD
B1
LASER
図9. フォトダイオード付コモンカソードレーザ
V
CC
V
CC
R
MON
MAX3286
MAX3288
MAX3296
REF
CONTROLLED REFERENCE VOLTAGE
= 2.65V - 2.25V (V - V
MON
C
BIASDRV
V
REF
)
MON
CC
MAX3298
MAX3286/96
SHDNDRV
V
CC
ONLY
M1
Q1
R
POL
SET
SMOOTH-
START
1.7V
POL
MD
BIASDRV
I
D
POWER-CONTROL
AMPLIFIER
I
BIAS
R
MD
FERRITE
BEAD
B1
LASER
図10. 電流フィードバック付コモンカソード(PNP構成)
14 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
フォトダイオードなしのコモンカソード構成で使用
希望のAPCループ時定数を得るには、CBIASDRV及び抵抗
(RDEG)をバイアストランジスタ(この場合はNPN)に接続
する必要があります。これにより、電源(及びグランド)
のノイズ除去が改善されます。殆どの場合、0.1µFの
容量で5µsまでの時間定数を得ることができます。最大
バイアス電流において、RDEGの電圧降下が250m Vを
超えないようにして下さい。
されるディスクリート部品を以下に記します。
Q1 = 汎用PNP、β > 100、f > 5M Hz
t
B1 = フェライトビーズ(「バイアスフィルタ」の項を
参照)
M 1 = 汎用PM OS(オプション)
CBIASDRV = 0.1µF(typ)
フォトダイオード付のコモンアノード構成で使用される
ディスクリート部品を以下に記します。
フォトダイオード付コモンアノード
RSET = 1.7/I
D
フォトダイオード付コモンアノード構成では、外付け
N PN トランジスタ(Q 1)、レーザダイオード、モニタ
ダイオード、RSET及び電力制御アンプによってサーボ
制御ループが形成されます。M Dにおける電圧は1.7Vに
安定化されています。モニタフォトダイオード電流は、
CBIASDRV = 0.1µF(typ)
RDEG = 0.25/I
BIAS(M AX)
Q1 = 汎用NPN、β > 100、f > 5M Hz
t
B1 = フェライトビーズ(「バイアスフィルタ」の項を
参照)
I = VM D/RSETによって設定されます(図12)。希望の
D
モニタ電流(I )を決めてから、RSET =1.7V/I を選んで
D
D
下さい。
M 1 = 汎用PM OS素子(オプション)
100
PO R遅延の設定
R
R
MD
= 1kΩ
= 5kΩ
SET
PO RD LYにコンデンサを追加することにより、素子を
パワーアップする時のPO Rのロー(VCCが動作範囲内に
あることを意味します)になる遅延時間を長くすること
ができます。
10
1
この遅延は次の近似式になります。
C
PORDLY
t =
s
[ ]
−6
1.4 10
(
)
0.1
10
100
1k
10k
「標準動作特性」を参照して下さい。
R
MON
(Ω)
図11. フォトダイオードなしのコモンカソードレーザ
V
CC
MAX3286
MAX3289
V
CC
MAX3296
MAX3299
V
LASER
CC
MON
MAX3286/96
FERRITE
MONITOR
DIODE
ONLY
SHDNDRV
POL
BEAD
B1
SMOOTH-
START
1.7V
V
CC
POL
MD
Q1
BIASDRV
C
BIASDRV
POWER-CONTROL
AMPLIFIER
I
D
R
SET
I
BIAS
R
DEG
図12. フォトダイオード付コモンアノード
______________________________________________________________________________________ 15
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
バイアスフィルタ及び
出力プルアップビーズの設計
UNCOMPENSATED
確定的ジッタを低減させるには、バイアストランジスタ
のコレクタとレーザのアノード又はカソード(レーザの
タイプに依存)の間にフェライトビーズインダクタを追加
して下さい「( 標準動作特性」を参照)。フェライトビーズ
インダクタとしては、f=10M Hz～2GHzの間でインピー
ダンスが100Ωより大きく、DC抵抗が3Ω以下のものを
使って下さい。マキシム社ではM urata BLM 11HA102SG
を推奨しています。これらのインダクタは、OUT+及び
OUT-ピンをVCCに接続する場合にも最適です。
CORRECTLY COMPENSATED
OVERCOMPENSATED
TIME
図13. レーザ補償
レーザ補償フィルタネットワークの設計
レーザパッケージのインダクタンスにより、高周波に
おけるレーザのインピーダンスは増加します。このため、
リンギング、オーバシュート及び出力アイパターンの
悪化が発生します。レーザ補償フィルタネットワークを
使用して高周波におけるレーザドライバから見た出力
負荷を低減することにより、出力リンギングとオーバ
シュートを低減できます。
これらのレーザドライバを使用するだけで、トランス
ミッタがIEC 825に準拠するとは限りません。全トランス
ミッタ回路及び部品も考慮する必要があります。アプリ
ケーションが必要とする耐障害性のレベルは、各ユーザ
が決定する必要があります。その際、マキシム社の
製品は、人体移植を目的とする機器の部品としての使用、
生命維持を目的とするアプリケーション、マキシム社の
製品の故障が人体の傷害又は死亡を引き起こすような
その他のアプリケーションのために設計されておらず、
そのような認可も受けていないことを認識して下さい。
補償部品(RCOM P及びCCOM P)は、実験によって容易に
決めることができます。RCOM P = 25Ω、CCOM P = 2pF
から開始し、希望のトランスミッタアイが得られるまで
CCOM Pを増やして下さい(図13)。
レイアウト上の考慮
クイックシャットダウン
M AX3286/M AX3296シリーズは高周波製品であるため、
性能は回路基板のレイアウトに大きく依存します。
図10に示すようにFETをSHDNDRVに接続することに
より、レーザシャットダウン時間を短縮できます。
これにより、標準レーザパワーシャットダウン時間が
10µs以下になります。
回路基板は専用のグランドプレーンを持った多層基板を
使用して下さい。レーザパッケージのリードは短くし、
変調器出力の近くに配置して下さい。電源は、表面実装
コンデンサを電源ピンの近くに配置されたグランド
プレーンにバイパスする必要があります。
アプリケーション情報___________________
レーザの安全性及びIEC 825
APC回路の主要ポールは通常BIASDRVに位置しています。
APCにセカンドポール(発振の原因となります)が生じる
のを防ぐために、M Dにおける寄生容量を最小限に抑えて
下さい。
国際電気技術委員会(IEC)は、光ファイバトランスミッタ
からの危険な光放射の基準を決めています。IEC 825は
様々な危険なレベルの最大光出力を規定したものです。
M AX3286/M AX3296シリーズは、IEC 825準拠の
ために役立つ機能を提供しています。
よくある質問
レーザ出力にリンギング又はオーバシュートがある。
これは多くの場合、レーザパッケージの誘導性が原因に
なっています。レーザ端子のリードを短くして下さい。
補償部品を変更し、ドライバの出力エッジ速度を遅く
して下さい「( 設計手順」を参照)。O U T± ピンの電圧が
低いために極端なリンギングが生じることがあります。
これは、プルアップビーズの使用あるいは変調電流の
低減が必要であることを意味します。
一般的な安全条件は、単一ポイントの耐障害性です。
これは、予期しない短絡、オープン又は抵抗性接続が
1つでも過剰な光出力が発生しないという条件です。
これらのレーザドライバを「標準動作回路」に示すよう
にして使用した場合、障害に対する応答は表5のように
なります。
16 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
表5. 様々な一点障害に対する回路の応答
CIRCUIT RESPONSE TO OVERVOLTAGE OR
SHORT TO V
CIRCUIT RESPONSE TO UNDERVOLTAGE OR
SHORT TO GROUND
PIN NAME
CC
MAX3286/MAX3296 ONLY
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Fault state* occurs.
FAULT
FAULT
POR
PORDLY
EN
Normal condition for circuit operation.
Fault state* occurs.
Fault state* occurs.
Normal condition for circuit operation.
EN
LV
Does not affect laser power.
Fault state* occurs if V is less than +4.5V.
CC
If POL is a TTL HIGH, a fault state* occurs; other-
wise, the circuit is in normal operation.
If POL is a TTL LOW, a fault state* occurs; other-
wise, the circuit is in normal operation.
POL
If POL is a TTL HIGH, a fault state* occurs; other-
wise, the circuit is in normal operation.
If POL is a TTL LOW, a fault state* occurs; other-
wise, the circuit is in normal operation.
POL
In common-cathode without photodiode configura-
tion, a fault state* occurs; otherwise, does not affect
laser power.
MON
(Also MAX3288/98)
A fault state* occurs.
SHDNDRV
(Also MAX3287/97/
89/99)
Does not affect laser power. If optional FET is used,
the laser output is shut off.
Does not affect laser power.
ALL DEVICES
FLTDLY
IN+, IN-
REF
Any fault that occurs cannot be reset. Does not
affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Fault state* occurs.
In common cathode configurations, a fault state*
occurs; otherwise, does not affect laser power.
MD
Fault state* occurs.
A fault state* occurs.
In common cathode configurations, the laser bias
current is shut off. In common anode, high laser
power triggers a fault state*. Shutdown occurs if a
shutdown FET (M1) is used. If shutdown FET is not
used, other means must be used to prevent high
laser power.
In common anode configurations, the laser bias
current is shut off. In common cathode, high laser
power triggers a fault state*. Shutdown occurs if a
shutdown FET (M1) is used (Figures 9,10).
BIASDRV
OUT+, OUT-
MODSET
TC
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Does not affect laser power.
Fault state* occurs.
Fault state* occurs.
* A fault state will assert the FAULT pins, disable the modulator outputs, disable the bias output, and assert the SHDNDRV pin.
______________________________________________________________________________________ 17
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
レーザ出力に低周波数の発振がある。これは低温で生じ
やすい現象です。APCが発振している可能性があります。
CBIASDRV又はRDEGの値を増やして下さい。M Dノードに
おける寄生容量をできるだけ小さく(< 1 0 pF)して
下さい。
ワイヤボンディングチップ
M AX3286/M AX3296シリーズは、金配線のボンド
パッドを使っています。チップへの配線は金ワイヤで
のみ行い、ボールボンディング法を使用して下さい。
ウェッジボンディングは推奨されていません。ボンド
パッドサイズは100µm (4m il)四方、チップの厚さは
標準0.38m m (15m il)です。
ACPが必要ない場合は、FLTDLYをグランドに接続する
ことにより、障害検出をディセーブルして下さい。M Dを
REFに、M ONをVCCに接続して下さい。BIASDRV及び
SHDNDRVはオープンにしておいて構いません。
インタフェースモデル
図14～18に、M AX3286/M AX3296シリーズのレーザ
ドライバの標準的な入出力モデルを示します。チップを
使用する場合は、パッケージの寄生パラメータをボンド
ワイヤの寄生パラメータで置き換えて下さい。
変調器が必要ない場合。この場合はTC及びM ODSETを
オープンにしておいて下さい。IN +をVCCに接続して
下さい。IN-をREFに接続し、OUT+とOUT-をオープン
にしておいて下さい。
V
CC
V
CC
MAX3286
MAX3296
MAX3286
MAX3296
10k
4k
550Ω
60Ω
2.5k
SHDNDRV
FAULT, FAULT, POR
図15. SHDNDRV出力
図14. ロジック出力
V
CC
V
CC
PACKAGE
1.5nH
PACKAGE
50Ω
50Ω
OUT-
OUT+
1.5nH
0.2pF
1pF
1pF
0.2pF
図16. 変調器出力
18 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
V
CC
PACKAGE
1.5nH
MAX3286
MAX3296
V
CC
IN+
IN-
Q1
0.2pF
0.2pF
1pF
400Ω
400Ω
V
CC
1.5nH
Q2
1pF
INPUT COMMON MODE VOLTAGE ≈ V - 0.3V
CC
R
IN
Q1, Q2 > 100kΩ
図17. データ入力
V
CC
MAX3286
MAX3296
40Ω
BIASDRV
40Ω
図18. BIASDRV出力
______________________________________________________________________________________ 19
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
選択ガイド ________________________________________________________________________
DATA RATE/DEVICE
LASER CONFIGURATION
COMMON
ANODE
WITH
COMMON
CATHODE
WITH
COMMON
CATHODE
WITH
PACKAGE
1.25Gbps
2.5Gbps
PHOTODIODE
PHOTODIODE
PHOTODIODE
Shortwave or
VCSEL
Longwave
VCSEL
MAX3286
MAX3287
MAX3288
MAX3289
MAX3296
MAX3297
MAX3298
MAX3299
✕
✕
✕
✕
32 TQFP/28 QFN/dice
16 TSSOP-EP
✕
16 TSSOP-EP
✕
16 TSSOP-EP
ピン配置(続き)_____________________________________________________________________
TOP VIEW
32 31 30 29 28 27 26 25
FAULT
N.C.
1
2
3
4
5
6
7
8
24 BIASDRV
SHDNDRV
GND
POR
1
2
3
4
5
6
7
8
16 TC
GND
POR
1
2
3
4
5
6
7
8
16 TC
23
15 MODSET
15 MODSET
22 GND
21 MON
20 MD
19 N.C.
18 POL
17 POL
V
CC
14
V
CC
V
CC
14 V
CC
FAULT
POR
IN+
IN-
MAX3287
MAX3289
MAX3297
MAX3299
13 OUT-
12 OUT+
IN+
IN-
MAX3288
MAX3298
13 OUT-
12 OUT+
MAX3286
MAX3296
GND
GND
REF
MD
11
10 BIASDRV
SHDNDRV
V
GND
REF
MD
11
10 BIASDRV
MON
V
CC
CC
EN
EN
9
9
PORDLY
TSSOP-EP*
TSSOP-EP*
9
10 11 12 13 14 15 16
*EXPOSED PAD IS CONNECTED TO GND.
TQFP
型番(続き) _____________________________
*Dice are designed to operate from T = 0°C to +110°C, but are
tested and guaranteed only at T = +25°C.
A
**Exposed pad.
J
TEMP.
PIN-
PACKAGE
PART
RANGE
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
MAX3287CUE
MAX3288CUE
MAX3289CUE
MAX3296CGI
MAX3296CHJ
MAX3296C/D
MAX3297CUE
MAX3298CUE
MAX3299CUE
✕
0°C to +70°C 28 QFN (5mm 5mm)**
✕
0°C to +70°C 32 TQFP (5mm 5mm)
0°C to +70°C Dice*
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
0°C to +70°C 16 TSSOP-EP**
20 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
標準アプリケーション回路 __________________________________________________________
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
PMOSFET
MAX3286/MAX3296
COMMON-CATHODE LASER
WITH PHOTODIODE
0.01µF
0.01µF
V
CC
SHDNDRV
BIASDRV
(OPTIONAL)
MON
FLTDLY
EN
POL
C
0.1µF
BIASDRV
PNP
TRANSISTOR
PORDLY
IN+
0.01µF
V
CC
FERRITE
BEAD
DATA
INPUT
115Ω
MAX3286
MAX3296
0.01µF
0.01µF
IN-
OUT+
OUT-
0.01µF
C
COMP
POR
FAULT
R
COMP
25Ω
FAULT
LV
V
CC
POL EN
MODSET
R
REF MD
GND
TC
R
TC
MOD
R
SET
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
R
MON
0.01µF
0.01µF
MAX3286/MAX3296
COMMON-CATHODE LASER
WITHOUT PHOTODIODE
V
CC
EN
POL
FLTDLY
PORDLY
MON
C
0.1µF
BIASDRV
PNP
TRANSISTOR
BIASDRV
0.01µF
V
CC
IN+
FERRITE
BEAD
DATA
INPUT
115Ω
MAX3286
MAX3296
0.01µF
0.01µF
OUT+
OUT-
IN-
SHDNDRV
0.01µF
C
COMP
POR
FAULT
FAULT
LV
25Ω
R
COMP
V
CC
POL EN
MODSET
R
REF MD
GND
TC
R
MD
5k
R
TC
MOD
R
SET
1k
______________________________________________________________________________________ 21
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
標準アプリケーション回路(続き)_____________________________________________________
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
0.01µF
0.01µF
MAX3286/MAX3296
COMMON-ANODE LASER
WITH PHOTODIODE
V
CC
MON
FLTDLY
EN
POL
V
CC
PORDLY
IN+
0.01µF
0.01µF
0.01µF
18Ω
OUT-
FERRITE
BEAD
DATA
INPUT
115Ω
C
COMP
OUT+
MAX3286
MAX3296
IN-
R
25Ω
COMP
0.01µF
POR
FAULT
FAULT
LV
V
CC
NPN
TRANSISTOR
BIASDRV
C
BIASDRV
0.1µF
SHDNDRV
POL EN
MD
REF
MODSET
R
GND
TC
R
DEG
R
TC
MOD
R
SET
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
MAX3287/MAX3297
COMMON-CATHODE LASER
WITH PHOTODIODE
V
CC
R
DEG
C
0.1µF
BIASDRV
PNP
TRANSISTOR
BIASDRV
0.01µF
V
CC
IN+
IN-
FERRITE
BEAD
DATA
115Ω
INPUT
MAX3287
MAX3297
0.01µF
0.01µF
OUT+
OUT-
0.01µF
C
COMP
0.01µF
R
COMP
25Ω
FLTDLY
SHDNDRV
V
CC
MODSET
R
REF MD
GND
TC
R
TC
MOD
R
SET
22 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
標準アプリケーション回路(続き)_____________________________________________________
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
R
MON
MAX3288/MAX3298
COMMON-CATHODE LASER
WITHOUT PHOTODIODE
V
CC
MON
C
0.1µF
BIASDRV
PNP
TRANSISTOR
BIASDRV
0.01µF
V
CC
IN+
FERRITE
BEAD
DATA
INPUT
115Ω
MAX3288
MAX3298
0.01µF
OUT+
OUT-
IN-
0.01µF
C
COMP
0.01µF
0.01µF
FLTDLY
25Ω
R
COMP
V
CC
MODSET
R
REF MD
GND
TC
R
MD
5k
R
TC
MOD
R
SET
1k
+3.0V TO +5.5V
0.01µF
18Ω
MAX3289/MAX3299
COMMON-ANODE LASER
WITH PHOTODIODE
V
CC
V
CC
0.01µF
IN+
IN-
0.01µF
0.01µF
OUT-
FERRITE
BEAD
DATA
INPUT
115Ω
C
COMP
OUT+
MAX3289
MAX3299
R
25Ω
COMP
0.01µF
0.01µF
V
CC
FLTDLY
NPN
TRANSISTOR
BIASDRV
C
BIASDRV
SHDNDRV
0.1µF
MD
REF
MODSET
R
GND
TC
R
DEG
R
TC
MOD
R
SET
______________________________________________________________________________________ 23
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
チップ構造図 ______________________________________________________________________
MAX3286
MAX3296
FLTDLY
LV
TC
TC
FLTDLY
LV
MODSET
MODSET
HF34Z-1Z
HF34Z
V
CC
V
CC
V
CC
V
CC
0.072"
0.072"
(1.829mm
(1.829mm)
IN+
IN-
OUT-
IN+
IN-
OUT-
OUT+
OUT+
GND
REF
V
GND
REF
V
CC
CC
V
CC
V
CC
0.053"
0.053"
(1.346mm)
(1.346mm)
TRANSISTOR COUNT: 1154
TRANSISTOR COUNT: 1154
SUBSTRATE CONNECTED TO GND
SUBSTRATE CONNECTED TO GND
24 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
パッケージ ________________________________________________________________________
______________________________________________________________________________________ 25
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
パッケージ(続き)___________________________________________________________________
26 ______________________________________________________________________________________
3.0V～5.5V、1.25Gbps/2.5Gbps
LAN レーザドライバ
パッケージ(続き)___________________________________________________________________
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