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IXTQ24N55Q

更新时间：2024-09-18 18:21:02
品牌：IXYS
描述：Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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PCB计价

IXTQ24N55Q 概述

Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN 功率场效应晶体管

IXTQ24N55Q 规格参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3P
包装说明：PLASTIC, TO-3P, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：550 V
最大漏极电流 (ID)：24 A最大漏源导通电阻：0.27 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：96 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTQ24N55Q 数据手册

通过下载IXTQ24N55Q数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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Advanced Technical Information  
IXTQ 24N55Q  
VDSS  
ID25  
= 550 V  
= 24 A  
Power MOSFETs  
Q-Class  
RDS(on) = 0.27 Ω  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
TO-3P(IXTQ)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
550  
550  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
ID25  
IDM  
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
TC = 25°C  
24  
96  
24  
A
A
A
D
S
(TAB)  
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
30  
mJ  
J
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source TAB = Drain  
1.5  
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
10  
V/ns  
Features  
PD  
TC = 25°C  
400  
W
z IXYS advanced low Qg process  
z Low gate charge and capacitances  
- easier to drive  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 to +150  
150  
-55 to +150  
°C  
°C  
°C  
- faster switching  
z International standard packages  
z Low RDS (on)  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
°C  
z Rated for unclamped Inductive load  
switching (UIS) rated  
Md  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
6
g
z Molding epoxies meet UL 94 V-0  
flammability classification  
Advantages  
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
z
Easy to mount  
Space savings  
min.  
typ.  
max.  
z
VDSS  
VGS(th)  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
550  
2.5  
V
V
z
High power density  
4.5  
IGSS  
IDSS  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
100  
nA  
VDS = V  
T
= 25°C  
25  
1
µA  
VGS = 0DVSS  
TJJ = 125°C  
mA  
RDS(on)  
V
= 10 V, ID = 0.5 ID25  
0.27  
Ω
PGuSlse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99079(08/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
IXTQ 24N55Q  
Symbol  
gfs  
TestConditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
TO-3P Outline  
VDS = 20 V; ID = 0.5 • ID25, pulse test  
14  
19  
S
Ciss  
Coss  
Crss  
3000  
300  
100  
pF  
pF  
pF  
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
16  
20  
46  
11  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
RG = 2.0 Ω (External),  
Qg(on)  
Qgs  
Qgd  
80  
20  
35  
nC  
nC  
nC  
VGS = 10 V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 0.5 • ID25  
RthJC  
RthCK  
0.31 K/W  
K/W  
0.25  
Source-DrainDiode  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
Symbol  
IS  
TestConditions  
VGS = 0 V  
24  
96  
A
A
V
ISM  
Repetitive; pulse width limited by TJM  
VSD  
IF = I , VGS = 0 V,  
1.5  
PulsSe test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
trr  
IF = IS, -di/dt = 100 A/µs, VR = 100 V  
500  
ns  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore  
ofthefollowingU.S.patents:  
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1  
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343  

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