OM6055SJ1 [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-267, 3 PIN;型号: | OM6055SJ1 |
厂家: | Infineon |
描述: | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-267AA, HERMETIC SEALED, METAL, TO-267, 3 PIN |
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