IPA90R1K0C3XKSA1 [INFINEON]
Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN;型号: | IPA90R1K0C3XKSA1 |
厂家: | Infineon |
描述: | Power Field-Effect Transistor, 5.7A I(D), 900V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 900V, 0.34ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
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IPA90R500C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 900V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
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IPA90R800C3XKSA1
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN
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IPAN60R125PFD7S
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R125PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7 系列产品,可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R125PFD7S 具有 125mOhm 的 RDS(on) ,降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。
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IPAN60R180P7S
600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
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IPAN60R210PFD7S
600V CoolMOS™ PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R210PFD7S) 补充了CoolMOS™ 7 系列产品,可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R210PFD7S 具有 210mOhm 的 RDS(on) ,降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。
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