F3L400R10W3S7_B11 概述
PressFIT
F3L400R10W3S7_B11 数据手册
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EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VCES = 950V
IC nom = 400A / ICRM = 800A
PotentielleꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarꢀAnwendungen
PotentialꢀApplications
• 3-level-applications
• Solarꢀapplications
ElektrischeꢀEigenschaften
• HoheꢀStromdichte
ElectricalꢀFeatures
• Highꢀcurrentꢀdensity
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• TrenchstopTMꢀIGBT7
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• TrenchstopTMꢀIGBT7
MechanischeꢀEigenschaften
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• PressFITꢀVerbindungstechnik
MechanicalꢀFeatures
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
235
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 150 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,40 1,61
1,48
1,50
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 6,50 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
4,35 5,10 5,85
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,90
0,75
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
25,2
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
0,078
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 950 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,07 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,089
0,092
0,093
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,022
0,026
0,027
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,27
0,34
0,36
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,041
0,075
0,088
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 5800 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
5,00
7,05
7,50
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 4000 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
4,30
7,16
8,00
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
1200
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,224
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
380
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
800
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 150 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,07 1,14
1,04
1,02
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 6,50 mA, VCE = 20 V, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
4,15 4,90 5,65
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
4,10
0,75
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
49,2
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
0,228
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 950 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,07 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,189
0,191
0,192
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,026
0,032
0,034
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,76
0,92
0,94
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,23
0,44
0,49
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 5200 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3,10
4,00
4,30
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 1200 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
24,5
35,3
37,9
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
1200
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,200
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
IGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
200
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
140
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
400
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
+/-20
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 150 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,68 1,98
1,88
1,92
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 3,25 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
4,35 5,10 5,85
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,45
1,5
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
12,6
0,039
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 950 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,05 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,086
0,095
0,096
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,02
0,022
0,023
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,18
0,22
0,23
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 150 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,032
0,089
0,112
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 5300 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
5,00
6,43
6,79
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 150 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 6000 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 3,9 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3,73
6,35
7,26
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
600
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,340
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
200
150
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1620
1530
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,33 2,58
2,12
2,08
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
119
173
189
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
5,84
11,6
14,0
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 5300 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
1,70
3,62
4,53
mJ
mJ
mJ
VR = 500 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,460
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
200
150
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1620
1530
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,33 2,58
2,12
2,08
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
154
189
200
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
6,65
14,9
20,0
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 5200 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
2,39
6,24
7,49
mJ
mJ
mJ
VR = 500 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,552
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Datasheet
5
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
Diode,ꢀD5-D6ꢀ/ꢀDiode,ꢀD5-D6
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
200
150
400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1620
1530
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
IF = 150 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
2,33 2,58
2,12
2,08
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
145
189
205
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 500 V
VGE = -15 V
7,70
15,0
18,7
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 150 A, - diF/dt = 5800 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
2,59
5,01
6,44
mJ
mJ
mJ
VR = 500 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,490
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
DeviationꢀofꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
-5
5
%
Verlustleistung
Powerꢀdissipation
TNTC = 25°C
20,0 mW
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,2
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
9,6
5,8
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
8,8
4,7
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 400
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
M
15
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
Schraubeꢀꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
Screwꢀꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,30
1,50 Nm
g
Gewicht
Weight
G
78
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
IGBT- und Dioden-RthJH-Parameter mit einer Wärmeleitpaste λPaste = 3.3 W/(m·K) gemessen
IGBT- and diode- RthJH parameters measured with thermal grease of λpaste = 3.3 W/(m·K)
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
300
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
0,0
1,0
2,0
3,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
300
18
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
250
200
150
100
50
15
12
9
6
3
0
4
0
5
6
7
8
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
VGE [V]
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
30
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdon
tr
tdoff
tf
25
20
15
10
5
1
0,1
0,01
0,001
0
0
10
20
RG [Ω]
30
40
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
10
1
tdon
tr
ZthJH : IGBT
tdoff
tf
1
0,1
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0046 0,0214 0,099 0,099
τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146
0,01
0,001
0,001
0
10
20
RG [Ω]
30
40
0,01
0,1
t [s]
1
10
Datasheet
9
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
Cꢀ=ꢀf(VCE)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
900
1000
IC, Modul
IC, Chip
Cies
Coes
Cres
800
700
600
500
400
300
200
100
0
100
10
1
0,1
0,01
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
VCE [V]
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V]
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
15
300
VCC = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
10
5
250
200
150
100
50
0
-5
-10
-15
0
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
0,0
0,5
1,0
1,5
QG [µC]
VCE [V]
Datasheet
10
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
300
300
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
VGE
= 9V
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5
4,0
5,0
6,0
VGE [V]
7,0
8,0
VCE [V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
60
50
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
50
40
30
20
10
0
40
30
20
10
0
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
0
10
20
RG [Ω]
30
40
Datasheet
11
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
100
10
tdon
tr
tdon
tr
tdoff
tf
tdoff
tf
10
1
1
0,1
0,1
0,01
0,01
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
0
10
20
RG [Ω]
30
40
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
1
900
ZthJH : IGBT
IC, Modul
IC, Chip
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0044 0,0191 0,0882 0,0883
τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
VCE [V]
Datasheet
12
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
Cꢀ=ꢀf(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
ICꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
1000
15
Cies
Coes
Cres
VCC = 600 V
10
5
100
10
0
1
-5
0,1
0,01
-10
-15
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V]
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
QG [µC]
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
300
300
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
250
200
150
100
50
250
200
150
100
50
VGE
=
9V
0
0
0,0
1,0
2,0
3,0
0,0
1,0
2,0
VCE [V]
3,0
4,0
VCE [V]
Datasheet
13
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
300
15
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
250
200
150
100
50
12
9
6
3
0
4
0
5
6
7
8
9
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
VGE [V]
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
30
10
Eon, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdon
tr
tdoff
tf
25
20
15
10
5
1
0,1
0
0,01
0
10
20
RG [Ω]
30
40
0
50
100
150
IC [A]
200
250
300
Datasheet
14
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150ꢀ°C
1
1
tdon
tr
ZthJH : IGBT
tdoff
tf
0,1
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,0075 0,0325 0,15 0,15
τi[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146
1
2
3
4
0,01
0,001
0,001
0
10
20
RG [Ω]
30
40
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(RBSOA)
KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
Cꢀ=ꢀf(VCE)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
VGEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz
500
100
IC, Modul
IC, Chip
Cies
Coes
Cres
400
300
200
100
0
10
1
0,1
0,01
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE [V]
VCE [V]
Datasheet
15
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)
gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)
VGEꢀ=ꢀf(QG)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀTvjꢀ=ꢀ25°C
15
300
VCC = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
10
5
250
200
150
100
50
0
-5
-10
-15
0
0,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,0
1,0
2,0
VF [V]
3,0
4,0
QG [µC]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
IFꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
8
6
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
6
4
2
0
4
2
0
0
50
100
150
IF [A]
200
250
300
0
10
20
RG [Ω]
30
40
Datasheet
16
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
1
300
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
250
200
150
100
50
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,025
τi[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103
1
2
3
4
0,114 0,16 0,161
0,001
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
1,0
2,0
VF [V]
3,0
4,0
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
IFꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
12
10
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
10
8
8
6
4
2
0
6
4
2
0
0
50
100
150
IF [A]
200
250
300
0
10
20
RG [Ω]
30
40
Datasheet
17
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
1
300
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
250
200
150
100
50
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,021 0,1
τi[s]: 0,0005 0,0114 0,112 0,112
1
2
3
4
0,215 0,216
0,001
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
1,0
2,0
VF [V]
3,0
4,0
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
IFꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
15
8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
12
9
6
4
2
0
6
3
0
0
50
100
150
IF [A]
200
250
300
0
10
20
RG [Ω]
30
40
Datasheet
18
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Rꢀ=ꢀfꢀ(TNTC
)
1
100000
ZthJH : Diode
10000
1000
100
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,029
τi[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103
1
2
3
4
0,121 0,17 0,17
0,001
0,001
10
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
Datasheet
19
Vꢀ3.0
2020-02-27
F3L400R10W3S7_B11
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
dimensioned for EJOT Delta PT WN5451 25
r
e
h
s
a
P3,5 4x
choose length according to pcb thickness
(P2,3) Dome
pcb hole pattern
P0,25ABC
B
L
4x
4x
w
d
a
e
h
w
e
DC+
DC-
N
N
26
14
r
c
s
24
20,8
17,6
14,4
NTC1
NTC2
o
t
x
E4
G4
g
2
n
i
2
1
d
,
1
r
0
P
o
c
B
x
c
4
2
a
,
5
5
P
4
,
0
B
0
0
2
6
C1 G1 E1
C2
E3
G3
4,8
8
G5
E5
C
B
G6 E6
A
5
14
26
2
,
0
P
G2
E2
x
20,8
24
L
2
AC
AC
0
7
7
4
4
4
4
,
,
,
,
,
,
9
9
7
7
4
4
4
4
4
4
4
4
109,9B0,45
C
0
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
6
2
0
8
6
2
0
0
2
6
8
0
2
6
0
4
4
4
4
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
9
3
0
6
3
7
7
3
6
0
3
9
6
6
0
4
4
0
6
1
1
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
3
2
2
A
1
,
0
)
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Datasheet
20
Vꢀ3.0
2020-02-27
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
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Editionꢀ2020-02-27
©ꢀ2020ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
AllꢀRightsꢀReserved.
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?
Email:ꢀerratum@infineon.com
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WICHTIGERꢀHINWEIS
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes
(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,
dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
WARNHINWEIS
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem
ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.
SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten
Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen
vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu
Personenverletzungenꢀführen.
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IMPORTANTꢀNOTICE
Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany
applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies
inꢀcustomer’sꢀapplications.
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin
thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.
Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon
Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).
WARNINGS
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour
nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.
ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon
Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof
theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.
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