DZ1070N20K [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-2;
| 型号： | DZ1070N20K |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-2 局域网 二极管 |
| 文件： | 总10页 (文件大小：225K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N
DZ1070N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
PeriodischeSpitzensperrspannungT = -40°C... T
1800
2200
2600
1900
2300
2700
2000 V
2400 V
2800 V
VRRM
vj
vj max
repetitive peak reverse voltages
1)
2100 V
2500 V
2900 V
Stoßspitzensperrspannung
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
non-repetitive peak reverse voltage
1700 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
IFAVM
IFSM
1070 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
41.000 A
35.000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
8.405.000 A²s
6.125.000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
1,52 V
0,8 V
max.
Tvj = Tvj max , iF = 3400 A
Tvj = Tvj max
vF
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
rT
0,17 mΩ
150 mA
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
max.
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
VISOL
kV
kV
3,6
3,0
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Modul / per Module, DC
max. 0,0450 °C/W
max. 0,0435 °C/W
pro Modul / per Module
max.
0,01 °C/W
160
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
1) 2800V auf Anfrage/ 2800V on request
C. Drilling
date of publication: 06.05.03
prepared by:
revision:
1
approved by: M. Leifeld
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
AlN
6
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
M2
G
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
18 Nm
Gewicht
weight
typ.
2750
g
Kriechstrecke
64 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
file-No.
E 83336
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
2
1
DZ
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,0011
0,01
0,0028
0,0188
0,0094
0,3035
0,0232
4,994
0,0072
9,98
τn [s]
nmax
ꢀ
ꢀ
n
ZthJC
1 - e– t
ꢀ R
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
Θ=
rec 60°
rec120°
rec180°
sin180°
DC
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N
R,Tau_Glieder des Kühlers
Verstärkte Kühlung / Forced cooling
1 Module pro Kühler / 1 modules per heatsink
Kühler / Heatsink type: KW70 (4l/min)
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA
Pos. n
1
2
0,00035
13
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,00214
9,89
0,0245
31,3
τn [s]
nmax
ꢀ
n
ꢀ
ZthCA
1 - e – t
ꢀR
n=1
Analytische Funktion / Analytical function:
thn
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
2000
DC
180 ° rec
1500
1000
500
0
180 ° sin
120 ° rec
Θ= 60 ° rec
0
300
600
900
1200
1500
1800
IFAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
80
60
180 ° sin
40
DC
Θ= 60 ° rec
180 ° rec
120 ° rec
20
0
300
600
900
1200
1500
1800
IFAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
6000
ID
B2
R thCA [°C/W]
0,010
0,015
+
5000
~
R-Last
0,025
0,035
4000
3000
2000
-
L-Last
0,045
0,060
0,080
0,150
0,150
1000
0,150
0,150
0
0
20
40
60
T A [°C]
80
100
120
140
0
500
1000
1500
2000
2500
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
ID
B6
R thCA [°C/W]
3~
0,010
+
0,015
0,025
-
0,035
0,045
0,060
0,080
150
0,150
0,150
1000
0
0,150
0
500
1000
1500
ID [A]
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
100
120
140
T
A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
100000
iFM
=
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
10000
1000
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
eschaltung/Snubber: R = 2,7 Ohm; C = 1,5µF
28.000
24.000
20.000
16.000
12.000
8.000
a
Ta = 25 °C
b
4.000
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 25°C, Wasserkühlung / water cooling Kühlkörper / Heatsink type: KW70 4l/min
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Dioden-Modul
DZ1070N
Rectifier Diode Module
20.000
I FAV (vor)
0 A
500 A
800 A
1050 A
1200 A
1300 A
=
16.000
12.000
8.000
4.000
0
0,01
0,1
1
10
t [s]
100
1000
10000
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular
Kühlkörper / Heatsink type KW70 ( 4l/min. ) Wasserkühlung / water cooling at TA = 25°C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)
BIP AC / 00-09-28, K.-A. Rüther
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1100A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-2
INFINEON
DZ11391-NB201-4F
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB201-7F
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB201-AF
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB204-4F
D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Female, Solder Terminal, #4-40, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
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