DZ1070N26KHPSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2600V V(RRM), Silicon, MODULE-2;
| 型号： | DZ1070N26KHPSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2600V V(RRM), Silicon, MODULE-2 局域网 二极管 |
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
Key Parameters
VDRM / VRRM
IFAVM
2600 V
1070 A (TC=100°C)
41000 A
IFSM
vT0
0,8 V
rT
0,17 mΩ
RthJC
0,0435 K/W
70 mm
Baseplate
Weight
2750 g
For type designation please refer to actual
shortform catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt- Technologie für hohe
Verlässlichkeit
Pressure contact technology for high reliability
Industrie-Standard-Gehäuse
Industial standard package
Elektrisch isolierte Grundplatte
Advanced medium power technology
Electrically insulated baseplate
Advanced medium power technology
Typische Anwendungen
Typical Applications
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichricher für UPS
Rectifier for Drives Applications
Rectifiers for UPS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
content of customer DMX code DMX code DMX code
digit
digit quantity
serial number
1..7
8..16
7
9
2
2
2
4
4
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
QR class
Date of Publication 2017-02-07
Revision 3.1
Seite/page 1/10
Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
DZ1070N26K
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
2600 V
2700 V
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VRRM
Stoßspitzensperrspannung
VRSM
non-repetitive peak reverse voltage
1700 A
1070 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
IFAVM
IFSM
Dauergrenzstrom
TC = 100 °C
average on-state current
41.000 A
35.000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
8.405.000 A²s
6.12.5000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
max.
max.
max.
1,52 V
0,8 V
Tvj = Tvj max , iF = 3400A
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
mΩ
0,17
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
150 mA
3,6 kV
reverse current
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
kV
3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
max.
0,045 K/W
max.
0,0435 K/W
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
max.
0,01 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
thermal resistance, case to heatsink
160
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
°C
Betriebstemperatur
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
AG
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technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 4
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
AlN
6
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
M2
G
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
18 Nm
Gewicht
weight
typ.
2750
g
Kriechstrecke
creepage distance
64 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
file-No.
vibration resistance
E 83335
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
2
1
DZ
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [K/W]
τn [s]
1
2
3
4
5
6
7
0,0072
9,98
0,0232
4,994
0,0094
0,3035
0,0028
0,0188
0,0011
0,01
nmax
– t
n
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
0,050
0,040
0,030
0,020
0,010
0,000
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
0,00128
Θ = 120°
0,00766
Θ = 90°
0,00223
0,04606
Θ = 60°
0,00260
0,04648
Θ = 30°
0,00300
0,04674
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,04507
0,04499
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
2000
1500
1000
500
0
DC
180ꢀ rec
180ꢀ sin
120ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
0
200
400
600
800
IFAV [A]
1000
1200
1400
1600
1800
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
80
60
180ꢀ sin
40
DC
120ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
600 800
180ꢀ rec
20
0
200
400
1000
1200
1400
1600
1800
IFAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
6000
5500
ID
B2
R thCA [ꢀK/W]
+
R-Last
0,005
0,010
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
L-Last
~
-
0,015
0,020
0,030
0,040
0,050
0,060
0,075
0,100
0,150
0,200
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
500
1000
1500
ID [A]
2000
2500
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
ID
B6
R thCA [ꢀK/W]
+
3~
0,015
-
0,020
0,025
0,030
0,040
0,050
0,060
0,075
0,100
0,150
0,250
0
20
0,25
40
60
80
T A [°C]
100
120
140
0
500
1000
1500
2000
ID [A]
2500
3000
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
100000
iFM
=
3200A
1600A
800A
400A
200A
100A
10000
1000
0,1
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
28.000
24.000
20.000
16.000
12.000
8.000
a
b
4.000
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KW70 (4 l/min)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DZ1070N26K
Nutzungsbedingungen
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Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem
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Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.
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- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.
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相关型号：
DZ1070N28KHPSA1
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1070A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-2
INFINEON
DZ1100N22KHPSA2
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1100A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-2
INFINEON
DZ11391-NB201-4F
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB201-7F
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB201-AF
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, Locking, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB204-4F
D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Female, Solder Terminal, #4-40, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB206-4F
D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Female, 0.109 inch Pitch, Solder Terminal, #4-40, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB206-AF
D Subminiature Connector, 25 Contact(s), Female, 0.109 inch Pitch, Solder Terminal, #4-40, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
DZ11391-NB611-4F
D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Female, Solder Terminal, #4-40, Plug, LEAD FREE
FOXCONN
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