DD540N22KHPSA2 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 540A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3;
| 型号： | DD540N22KHPSA2 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 540A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3 局域网 二极管 |
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Key Parameters
VDRM / VRRM
IFAVM
2000 V - 2600 V
540 A (TC=100 °C)
16500 A
IFSM
VT0
0,78 V
rT
0,31 mΩ
0,078 K/W
60 mm
RthJC
Base plate
Weight
1500 g
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehäuse
Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Gleichrichter für UPS
Rectifier for drives applications
Rectifiers for UBS
Batterieladegleichrichter
Battery chargers
1
2
3
content of customer DMX code
DMX code
digit
DMX code
digit quantity
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
5
7
8
2
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Date of Publication 2014-04-23
Revision 3.1
Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
2000
2400
2200 V
2600 V
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
Tvj = +25°C... Tvj max
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
2100
2500
2300 V
2700 V
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
900 A
540 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 100°C
average on-state current
16500 A
14000 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
1360000 A²s
980000 A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
max.
1,48 V
0,78 V
Tvj = Tvj max , iF = 1700A
vF
max.
max.
max.
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
mΩ
0,31
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Sperrstrom
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
40 mA
3,6 kV
reverse current
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
VISOL
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
kV
3,0
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
max.
max.
0,039 K/W
0,078 K/W
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
max.
max.
0,0373 K/W
0,0745 K/W
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
max.
max.
0,01 K/W
0,02 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
thermal resistance, case to heatsink
150
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
°C
Betriebstemperatur
- 40...+150 °C
- 40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
HR
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prepared by:
revision:
3.1
approved by: ML
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 4
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case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
AlN
6
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
M2
G
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
12 Nm
Gewicht
weight
typ.
1500
g
Kriechstrecke
19 mm
50 m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
file-No.
E 83335
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Höhe der Bodenplatte /
Height of Baseplate
X
8,5mm
2000V
8,5mm
2200V
10mm
2400V
10mm
2600V
Periodische Spitzensperrspannung /
repetitive peak reverse voltages
VRRM
1
2
3
DD
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
Rthn [K/W]
τn [s]
1
0,0267
3
2
3
4
5
6
7
0,0254
0,57
0,01465
0,108
0,00584
0,00824
0,00194
0,000732
nmax
– t
n
ZthJC
Rthn 1 - e
Analytische Funktion / Analytical function:
n=1
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
0,00605
0,0778
Θ = 120°
0,00996
Θ = 90°
0,01306
0,08439
Θ = 60°
0,01824
0,08982
Θ = 30°
0,02897
0,10152
ΔZth Θ rec
[K/W]
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,08008
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
1200
1000
800
600
400
200
0
DC
180ꢀ rec
180ꢀ sin
120ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
IFAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
120
100
80
60
180ꢀ sin
40
DC
180ꢀ rec
600
120ꢀ rec
Θ = 60ꢀ rec
300 400
20
0
100
200
500
IFAVM [A]
700
800
900
1000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
3500
ID
B2
R thCA [ꢀK/W]
0,001
+
3000
0,005
R-Last
~
0,010
L-Last
2500
0,015
-
0,020
2000
0,030
0,040
1500
0,060
1000
0,100
0,150
500
0,300
0,600
0
0
20
40
60
80
100
120
140
0
200
400
600
800
ID [A]
1000
1200
1400
T A [°C]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0,012
ID
B6
0,016
0,020
R thCA [ꢀK/W]
+
3~
0,025
0,030
-
0,040
0,050
0,060
0,075
0,100
0,150
0,250
0,500
0
0
20
0,50
40
60
80
T A [°C]
100
120
140
0
600
1200
1800
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Technische Information /
technical information
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD540N
10000
iFM
=
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
1000
1
10
100
-di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
12.000
10.000
8.000
6.000
4.000
2.000
a
TA = 45 ꢀC
b
TA = 35 ꢀC
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
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