DD500S33HE3BPSA1 [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-7;
DD500S33HE3BPSA1
型号: DD500S33HE3BPSA1
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-7

局域网 二极管
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DD500S33HE3  
IHM-BꢀModul  
IHM-Bꢀmodule  
VCES = 3300V  
IC nom = 500A / ICRM = 1000A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Mittelspannungsantriebe  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• Mediumꢀvoltageꢀconverters  
• Motorꢀdrives  
• Traktionsumrichter  
• USV-Systeme  
• Tractionꢀdrives  
• UPSꢀsystems  
• Windgeneratoren  
• Windꢀturbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• GroßeꢀDC-Festigkeit  
ElectricalꢀFeatures  
• HighꢀDCꢀstability  
• NiedrigeꢀSchaltverluste  
• Lowꢀswitchingꢀlosses  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
AlSiC base plate for increased thermal cycling  
Lastwechselfestigkeit  
capability  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600  
• IHMꢀBꢀhousing  
• IsolierteꢀBodenplatte  
• Isolatedꢀbaseꢀplate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
Digit  
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
DMXꢀ-ꢀCode  
Datasheet  
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument  
Vꢀ3.2  
www.infineon.com  
2016-12-06  
DD500S33HE3  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = -40°C  
Tvj = 150°C  
3300  
3300  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
500  
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
tP = 1 ms  
1000  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
65,0  
61,0  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Tvj = 125°C  
800  
kW  
µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
10,0  
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 500 A, VGE = 0 V  
IF = 500 A, VGE = 0 V  
IF = 500 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
3,10 3,85  
2,75 3,25  
2,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
500  
600  
625  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
225  
450  
525  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C  
225  
550  
650  
mJ  
mJ  
mJ  
VR = 1800 V  
VGE = -15 V  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
43,1 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
16,5  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
-40  
150  
°C  
Datasheet  
2
Vꢀ3.2  
2016-12-06  
DD500S33HE3  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
RMS, f = 50 Hz, QPD 10 pC  
Tvj = 25°C, 100 fit  
VISOL  
VISOL  
VCE D  
6,0  
2,6  
kV  
kV  
Teilentladungs-Aussetzspannung  
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage  
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung  
DCꢀstability  
2100  
V
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
AlSiC  
32,2  
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
CTI  
> 600  
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
LsCE  
18  
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
RAA'+CC'  
0,37  
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
150  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
800  
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R33HE3 Modul.  
Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R33HE3 module.  
Datasheet  
3
Vꢀ3.2  
2016-12-06  
DD500S33HE3  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
RGonꢀ=ꢀꢀ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
1000  
1000  
Tvj = 150°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 25°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
900  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5  
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000  
IF [A]  
VF [V]  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
IFꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV  
1000  
100  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
900  
ZthJC : Diode  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 6,197 15,481 13,442 8,003  
τi[s]: 0,004 0,047 0,319 9,255  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
28  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
RG []  
Datasheet  
4
Vꢀ3.2  
2016-12-06  
DD500S33HE3  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
1200  
IR, Modul  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
0
500  
1000 1500 2000 2500 3000 3500  
VR [V]  
Datasheet  
5
Vꢀ3.2  
2016-12-06  
DD500S33HE3  
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines  
Datasheet  
6
Vꢀ3.2  
2016-12-06  
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG  
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,  
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,  
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,  
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,  
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,  
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™  
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015  
OtherꢀTrademarks  
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Editionꢀ2016-12-06  
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SENSITRON

DD502S

50A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
WTE

DD503

50A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
WTE

DD503S

50A 8.4mm/9.5mm DISH DIODE
WTE