DD500S33HE3BPSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-7;![DD500S33HE3BPSA1](http://pdffile.icpdf.com/pdf2/p00271/img/icpdf/DD500S33HE3B_1625791_icpdf.jpg)
型号: | DD500S33HE3BPSA1 |
厂家: | ![]() |
描述: | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 3300V V(RRM), Silicon, MODULE-7 局域网 二极管 |
文件: | 总7页 (文件大小:575K) |
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DD500S33HE3
IHM-BꢀModul
IHM-Bꢀmodule
VCES = 3300V
IC nom = 500A / ICRM = 1000A
TypischeꢀAnwendungen
• Mittelspannungsantriebe
• Motorantriebe
TypicalꢀApplications
• Mediumꢀvoltageꢀconverters
• Motorꢀdrives
• Traktionsumrichter
• USV-Systeme
• Tractionꢀdrives
• UPSꢀsystems
• Windgeneratoren
• Windꢀturbines
ElektrischeꢀEigenschaften
• GroßeꢀDC-Festigkeit
ElectricalꢀFeatures
• HighꢀDCꢀstability
• NiedrigeꢀSchaltverluste
• Lowꢀswitchingꢀlosses
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische
• AlSiC base plate for increased thermal cycling
Lastwechselfestigkeit
capability
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600
• IHMꢀBꢀGehäuse
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600
• IHMꢀBꢀhousing
• IsolierteꢀBodenplatte
• Isolatedꢀbaseꢀplate
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.2
www.infineon.com
2016-12-06
DD500S33HE3
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = -40°C
Tvj = 150°C
3300
3300
VRRM
IF
IFRM
I²t
PRQM
ton min
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
500
PeriodischerꢀSpitzenstrom
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
1000
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
65,0
61,0
kA²s
kA²s
Spitzenverlustleistung
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 125°C
800
ꢀ kW
ꢀ µs
Mindesteinschaltdauer
Minimumꢀturn-onꢀtime
10,0
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 500 A, VGE = 0 V
IF = 500 A, VGE = 0 V
IF = 500 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
3,10 3,85
2,75 3,25
2,65
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
500
600
625
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
VGE = -15 V
225
450
525
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 500 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
225
550
650
mJ
mJ
mJ
VR = 1800 V
VGE = -15 V
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
43,1 K/kW
K/kW
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
16,5
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.2
2016-12-06
DD500S33HE3
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC
Tvj = 25°C, 100 fit
VISOL
VISOL
VCE D
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
6,0
2,6
ꢀ kV
ꢀ kV
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCꢀstability
2100
ꢀ
ꢀ
V
MaterialꢀModulgrundplatte
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
AlSiC
32,2
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
> 600
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
18
nH
mΩ
°C
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-
Chip
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch
RAA'+CC'
0,37
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
Tstg
M
-40
150
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
4,25
5,75 Nm
2,1 Nm
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse
Terminalꢀconnectionꢀtorque
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
Gewicht
Weight
800
Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R33HE3 Modul.
Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R33HE3 module.
Datasheet
3
Vꢀ3.2
2016-12-06
DD500S33HE3
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
1000
1000
Tvj = 150°C
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
900
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
IF [A]
VF [V]
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ1800ꢀV
1000
100
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
900
ZthJC : Diode
800
700
600
500
400
300
200
100
0
10
1
i:
ri[K/kW]: 6,197 15,481 13,442 8,003
τi[s]: 0,004 0,047 0,319 9,255
1
2
3
4
0,1
0,001
0
4
8
12
16
20
24
28
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
Datasheet
4
Vꢀ3.2
2016-12-06
DD500S33HE3
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
1200
IR, Modul
1000
800
600
400
200
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
VR [V]
Datasheet
5
Vꢀ3.2
2016-12-06
DD500S33HE3
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
Datasheet
6
Vꢀ3.2
2016-12-06
TrademarksꢀofꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG
µHVIC™,ꢀµIPM™,ꢀµPFC™,ꢀAU-ConvertIR™,ꢀAURIX™,ꢀC166™,ꢀCanPAK™,ꢀCIPOS™,ꢀCIPURSE™,ꢀCoolDP™,ꢀCoolGaN™,ꢀCOOLiR™,
CoolMOS™,ꢀCoolSET™,ꢀCoolSiC™,ꢀDAVE™,ꢀDI-POL™,ꢀDirectFET™,ꢀDrBlade™,ꢀEasyPIM™,ꢀEconoBRIDGE™,ꢀEconoDUAL™,
EconoPACK™,ꢀEconoPIM™,ꢀEiceDRIVER™,ꢀeupec™,ꢀFCOS™,ꢀGaNpowIR™,ꢀHEXFET™,ꢀHITFET™,ꢀHybridPACK™,ꢀiMOTION™,
IRAM™,ꢀISOFACE™,ꢀIsoPACK™,ꢀLEDrivIR™,ꢀLITIX™,ꢀMIPAQ™,ꢀModSTACK™,ꢀmy-d™,ꢀNovalithIC™,ꢀOPTIGA™,ꢀOptiMOS™,
ORIGA™,ꢀPowIRaudio™,ꢀPowIRStage™,ꢀPrimePACK™,ꢀPrimeSTACK™,ꢀPROFET™,ꢀPRO-SIL™,ꢀRASIC™,ꢀREAL3™,ꢀSmartLEWIS™,
SOLIDꢀFLASH™,ꢀSPOC™,ꢀStrongIRFET™,ꢀSupIRBuck™,ꢀTEMPFET™,ꢀTRENCHSTOP™,ꢀTriCore™,ꢀUHVIC™,ꢀXHP™,ꢀXMC™
ꢀ
TrademarksꢀupdatedꢀNovemberꢀ2015
ꢀ
OtherꢀTrademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Editionꢀ2016-12-06
©ꢀ2016ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀAG.
AllꢀRightsꢀReserved.
Publishedꢀby
InfineonꢀTechnologiesꢀAG
81726ꢀMünchen,ꢀGermany
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ꢀ
ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
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ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
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WARNHINWEIS
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ꢀ
ꢀ
ꢀ
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DD500SR
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 50V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
![](http://pdffile.icpdf.com/pdf2/p00224/img/page/DD502R_1309073_files/DD502R_1309073_1.jpg)
DD501SR
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
![](http://pdffile.icpdf.com/pdf2/p00224/img/page/DD502R_1309073_files/DD502R_1309073_1.jpg)
DD502R
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
SENSITRON
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