DD500S65K3 [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4;


型号：	DD500S65K3
厂家：	Infineon
描述：	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 500A, 6500V V(RRM), Silicon, MODULE-4 局域网二极管
文件：	总7页 (文件大小：794K)
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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

高绝缘等级模块

highꢀinsulatedꢀmodule

V_CES= 6500V

I_{C nom}= 500A / I_CRM= 1000A

典型应用

TypicalꢀApplications

• MediumꢀVoltageꢀConverters

• TractionꢀDrives

• 中压变流器

• 牵引变流器

机械特性

MechanicalꢀFeatures

• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力

• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Capability

• 扩大存储温度范围至ꢀT_stgꢀ=ꢀ-55°C

• Extended Storage Temperature down to T_stg=

-55°C

• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ600

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600

• 加强绝缘封装，10.2kVꢀ交流ꢀ1分钟

• Package with enhanced Insulation of 10.2kV AC

1min

• 高爬电距离和电气间隙

• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

preparedꢀby:ꢀDTH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

ULꢀapprovedꢀ(E83335)

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

反向重复峰值电压

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 125°C

T_vj= 25°C

T_vj= -50°C

6500

5900

V_RRM

ꢀ

连续正向直流电流

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

I_F

ꢀ

500

1000

210

ꢀ

正向重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_FRM

I²t

P_RQM

t_{on min}

I2t-值

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

T_vj= 125°C

ꢀ kA²s

ꢀ kW

ꢀ µs

最大损耗功率

Maximumꢀpowerꢀdissipation

2000

10,0

最小开通时间

Minimumꢀturn-onꢀtime

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

正向电压

Forwardꢀvoltage

I_F= 500 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,00 3,50

2,95 3,50

V_F

反向恢复峰值电流

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 500 A, - di_F/dt = 2000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

730

800

V_R= 3600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

I_RM

恢复电荷

Recoveredꢀcharge

I_F= 500 A, - di_F/dt = 2000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

570

1050

µC

V_R= 3600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

Q_r

反向恢复损耗（每脉冲）

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 500 A, - di_F/dt = 2000 A/µs (T_vj=125°C) T_vj= 25°C

930

2000

V_R= 3600 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

E_rec

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

28,0 K/kW

K/kW

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

23,0

λ_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-50

125

°C

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approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

模块ꢀ/ꢀModule

绝缘测试电压

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

V_{CE D}

ꢀ

10,2

5,1

ꢀ kV

局部放电停止电压

Partialꢀdischargeꢀextinctionꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, Q_PDtyp 10 pC (acc. to IEC 1287)

T_vj= 25°C, 100 fit

DCꢀ稳定性

DCꢀstability

3800

AlSiC

AlN

ꢀ

模块基板材料

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

内部绝缘

Internalꢀisolation

基本绝缘ꢀꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

爬电距离

Creepageꢀdistance

端子至散热器ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

端子至端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

56,0

ꢀ mm

ꢀ

电气间隙

Clearance

端子至散热器ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

端子至端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

26,0

相对电痕指数

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

> 600

min. typ. max.

杂散电感,模块

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

R_AA'+CC'

T_stg

mΩ

°C

模块引线电阻,端子-芯片

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀ每个开关ꢀ/ꢀperꢀswitch

0,37

储存温度

Storageꢀtemperature

-55

4,25

8,0

125

模块安装的安装扭距

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

螺丝ꢀM6ꢀ根据相应的应用手册进行安装

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

5,75 Nm

端子联接扭距

Terminalꢀconnectionꢀtorque

螺丝ꢀM8ꢀ根据相应的应用手册进行安装

ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

重量

Weight

1000

Dynamische Daten gelten in Verbindung mit FZ500R65KE3 Modul

Dynamic Data valid in conjunction with FZ500R65KE3 module

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approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

正向偏压特性ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

R_Gonꢀ=ꢀꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ3600ꢀV

1000

3000

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 125°C

2700

900

800

700

600

500

400

300

200

100

2400

2100

1800

1500

1200

900

600

300

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

I_F[A]

V_F[V]

开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)

瞬态热阻抗ꢀ二极管,逆变器ꢀ

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ

Z_thJCꢀ=ꢀfꢀ(t)

I_Fꢀ=ꢀ500ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ3600ꢀV

2100

1800

1500

1200

900

600

300

100

E_rec, T_vj= 125°C

Z_thJC: Diode

r_i[K/kW]: 4,04 17,24 4,23 2,41

τ_i[s]: 0,005 0,048 0,313 3,348

0,1

0,001

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

R_G[Ω]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,01

0,1

100

t [s]

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approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

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IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

安全工作区ꢀ二极管,逆变器ꢀ(SOA)

safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)

I_Rꢀ=ꢀf(V_R)

T_vjꢀ=ꢀ125°C

1200

I_R, Modul

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000

V_R[V]

preparedꢀby:ꢀDTH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

接线图ꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline

封装尺寸ꢀ/ꢀpackageꢀoutlines

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approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-Module

DD500S65K3

使用条件和条款

ꢀ

使用条件和条款

产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的，您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合

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www.infineon.comꢀ）。对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册

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请注意，对这类应用我们强烈建议

-执行联合的风险和质量评估

-得到质量协议的结论

-ꢀ建立联合的测试和出厂产品检查，ꢀ我们可以根据测试的实际情况供货

如果有必要，请根据实际需要将类似的说明给你的客户

保留产品规格书的修改权

Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage

ꢀ

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill

haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch

application.

Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted

exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits

characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.

Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof

ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically

interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe

salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease

note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon

theꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.

Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.

preparedꢀby:ꢀDTH

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2014-06-17

revision:ꢀ3.1

DD500S65K3 [INFINEON]

相关型号：

DD500S65K3NOSA1

DD500S65K3T

DD500SR

DD501

DD501S

DD501SR

DD502

DD502R

DD502S

DD503

DD503S

DD504