D5810N04T VF [INFINEON]

D5810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。;


型号：	D5810N04T VF
厂家：	Infineon
描述：	D5810N 整流二极管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 75mm，高度 26mm。整流二极管
文件：	总8页 (文件大小：239K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D5810N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

_PerK_iode_isn_cn_heda_St_pe_itzn_{ensperrspannung}

V_RRM

400 V

600 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FRMS

9100 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

5800 A

3000 A

5880 A

T_C= 58 °C

T_C= 130 °C

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms

9240 A

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}t_P= 10 ms

I_FSM

I²t

81000 A

70000 A

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

32800 10³A²s

24500 10³A²s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

on-state voltage

T_vj= T_{vj max}, i_F= 18,0 kA

T_vj= T_{vj max}, i_F= 6,0 kA

v_F

max.

1,47 V

0,92 V

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlaßkennlinie

on-state characteristic

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,7 V

mΩ

0,04

4,617E-01

2,002E-05

7,441E-03

4,190E-03

1500 A ≤ i_F≤ 29000 A

v_F= A + B i_F+ C ln ( i_F+ 1 ) + D

i_F

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

100 mA

Thermische Eigenschaften

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided, θ = 180°sin

beidseitig / two-sided, DC

Anode / anode, θ = 180°sin

Anode / anode, DC

R_thJC

max. 0,0166 °C/W

max. 0,0160 °C/W

max. 0,0326 °C/W

max. 0,0320 °C/W

max. 0,0326 °C/W

max. 0,0320 °C/W

Kathode / cathode, θ = 180°sin

Kathode / cathode, DC

Kühlfläche / cooling surface

beidseitig / two-sided

einseitig / single-sided

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

0,0025

max.

°C/W

0,0050 °C/W

180

thermal resistance, case to heatsink

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

Betriebstemperatur

operating temperature

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

°C

-40...+180 °C

Lagertemperatur

storage temperature

H.Sandmann

date of publication: 2009-05-13

prepared by:

revision:

1.0

approved by: M.Leifeld

A 57/08

1/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D5810N

Rectifier Diode

^{Mechanische Eigenschaften / Mechanica}M^{l pro}e^pec^rtih^esanische Eigenschaften

Seite 3

page 3

Gehäuse, siehe Anlage

case, see annex

Si-Element mit Druckkontakt

Si-pellet with pressure contact

Anpreßkraft

clamping force

30...60 kN

Gewicht

weight

typ.

530 g

Kriechstrecke

creepage distance

25 mm

50 m/s²

Schwingfestigkeit

vibration resistance

f = 50 Hz

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in

Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging

technical notes.

A 57/08

2/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D5810N

Rectifier Diode

Maßbild

1: Anode/

Anode

2: Kathode/

Cathode

A 57/08

3/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D5810N

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z _thJCfür DC

Analytical elements of transient thermal impedance Z _thJCfor DC

Transienter Wärmewiderstand

Kühlung /

Cooling

Pos. n

R_thn[°C/W] 0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,00473

0,00747

beidseitig

two-sided

0,000048 0,000843 0,005420 0,057200 0,22900

1,13000

0,0185

6,1100

0,0185

6,1100

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

0,000049 0,001061 0,00118

0,000049 0,000969 0,01070

0,000049 0,001061 0,00118

0,000049 0,000969 0,01070

0,00679

0,16900

0,00679

0,16900

0,00442

2,79000

0,00442

2,79000

anodenseitig

anode-sided

τ_n[s]

R_thn[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

τ_n[s]

n_max

-t

τ_n

−

Z_thJC

R_thn1 e

Analytische Funktion / Analytical function:

n=1

0,04

0,03

0,02

0,01

0,00

0,001

0,01

0,1

100

t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z _thJC= f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

A 57/08

4/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D5810N

Erhöhung des Z_{th DC}bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ

Rise of Z_{th DC}for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ

Diagramme

∆Z_{th Θ rec}/ ∆Z_{th Θ sin}

Diagramme

Kühlung / Cooling

Θ = 180°

Θ = 120°

Θ = 90°

Θ = 60°

Θ = 30°

∆Z_{th Θ rec}

0,00188

0,00060

0,00448

0,00334

0,00448

0,00334

0,00332

0,00458

0,00676

0,01150

[°C/W]

beidseitig

two-sided

∆Z_{th Θ sin}

0,00110

0,00759

0,00489

0,00759

0,00489

0,00186

0,00985

0,00693

0,00985

0,00693

0,00347

0,01292

0,01005

0,01292

0,01005

0,00790

0,01725

0,01518

0,01725

0,01518

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

anodenseitig

anode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

∆Z_{th Θ rec}

[°C/W]

kathodenseitig

cathode-sided

∆Z_{th Θ sin}

[°C/W]

Z_{th Θ rec}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ rec}

Z_{th Θ sin}= Z_{th DC}+ ∆Z_{th Θ sin}

30.000

25.000

20.000

15.000

10.000

5.000

Durchlasskennlinie

T_vj= T_{vj max}

0,7

0,9

1,1

1,3

1,5

1,7

1,9

V_F[V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i_F= f(v_F)

T_vj= T_{vj max}

A 57/08

5/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D5810N

12000

Durchlassverluste

10000

8000

6000

4000

2000

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

4000

5000

I_FAV[A]

6000

7000

8000

9000

10000

Durchlassverlustleistung / On-state power loss P_FAV= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Tc beidseitig

180

160

140

120

100

Parameter:

a - DC

b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)

c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)

d - rec 60°el (M 6)

e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-

belastung / Reverse voltage load)

1000

2000

3000

4000

5000

_FAV[A]

6000

7000

8000

9000

10000

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T_C= f(I_FAV

)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

A 57/08

6/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

Rectifier Diode

D5810N

10000

i_FM

6200A

Qr Diagramm

1600A

800A

400A

200A

1000

100

-di/dt [A/µs]

0,1

100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge

Q_r=f(-di/dt)

T_vj= T_vjmax, v_R≤ 0,5 V_RRM, v_RM= 0,8 V_RRM

RC-Glied / RC-Network: R = 1,5Ω, C = 3,3µF

0-50V

0,33 V_RRM

0,67 V_RRM

Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I_F(OV)Mvon der Anzahl für eine Folge von Sinus

Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V_RM

Typical dependency of maximum overload on-state current I_F(OV)Mas a number of a sequence of

sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V_RM

_F(OV)M= f (pulses, V_RM) ; T_vj= T_{vj max}

A 57/08

7/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

Datenblatt / Data sheet

Netz-Gleichrichterdiode

D5810N

Rectifier Diode

Disclaimer

Nutzungsbedingungen

Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung

der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten

Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.

In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine

solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien

jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.

Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine

spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in

Verbindung (siehe www.infineon.com). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.

Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in

diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden

Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle

- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;

- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;

- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend

empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig

machen.

Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.

Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.

Terms & Conditions of usage

The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will

have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such

application.

This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted

exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its

characteristics.

Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of

our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com). For those that are specifically interested

we may provide application notes.

Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the

sales office, which is responsible for you.

Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please notify. Please

note, that for any such applications we urgently recommend

- to perform joint Risk and Quality Assessments;

- the conclusion of Quality Agreements;

- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on

the realization of any such measures.

If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.

Changes of this product data sheet are reserved.

A 57/08

8/8

IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann

Seite/page

D5810N04T VF [INFINEON]

相关型号：

D5810N06T VF

D5810N06TVFHOSA1

D5810N06TVFXPSA1

D5884

D5885

D5886

D5887

D5889

D58M

D58MM

D58V0F1A10LP37

D58V0F1A10LP37B