D5810N06TVFXPSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5800A, 600V V(RRM), Silicon,;![D5810N06TVFXPSA1](http://pdffile.icpdf.com/pdf2/p00230/img/icpdf/D5810N06TVFH_1351771_icpdf.jpg)
型号: | D5810N06TVFXPSA1 |
厂家: | ![]() |
描述: | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5800A, 600V V(RRM), Silicon, 二极管 |
文件: | 总8页 (文件大小:239K) |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5810N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PeriodischeSpitzensperrspannung
VRRM
400 V
600 V
Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
IFAVM
IFAVM
IFRMS
9100 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
5800 A
3000 A
5880 A
TC = 58 °C
TC = 130 °C
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
9240 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
I²t
81000 A
70000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
32800 10³A²s
24500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 18,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 6,0 kA
vF
max.
max.
1,47 V
0,92 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,7 V
mΩ
0,04
A=
B=
C=
D=
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
1500 A ≤ iF ≤ 29000 A
vF = A + B iF + C ln ( iF + 1 ) + D
iF
max.
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
max. 0,0166 °C/W
max. 0,0160 °C/W
max. 0,0326 °C/W
max. 0,0320 °C/W
max. 0,0326 °C/W
max. 0,0320 °C/W
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,0025
max.
max.
°C/W
0,0050 °C/W
180
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
°C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Lagertemperatur
storage temperature
H.Sandmann
date of publication: 2009-05-13
prepared by:
revision:
1.0
approved by: M.Leifeld
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IFBIP D AEC / 2008-10-13, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D5810N
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
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page 3
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
30...60 kN
Gewicht
weight
G
typ.
530 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
50 m/s²
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
D5810N
Rectifier Diode
1: Anode/
Anode
1
2
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5810N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
-
Rthn [°C/W] 0,000045 0,000909 0,000852 0,001994 0,00473
0,00747
beidseitig
two-sided
0,000048 0,000843 0,005420 0,057200 0,22900
1,13000
0,0185
6,1100
0,0185
6,1100
-
-
-
-
-
τn [s]
Rthn [°C/W]
0,000049 0,001061 0,00118
0,000049 0,000969 0,01070
0,000049 0,001061 0,00118
0,000049 0,000969 0,01070
0,00679
0,16900
0,00679
0,16900
0,00442
2,79000
0,00442
2,79000
anodenseitig
anode-sided
τn [s]
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5810N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00188
0,00060
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
0,00332
0,00458
0,00676
0,01150
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00110
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
0,00186
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
0,00347
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
0,00790
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
30.000
25.000
20.000
15.000
10.000
5.000
Tvj= Tvj max
0
0,7
0,9
1,1
1,3
1,5
1,7
1,9
VF [V]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5810N
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
a
b
c
d
Parameter:
e
a - DC
f
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
0
1000
2000
3000
4000
5000
IFAV [A]
6000
7000
8000
9000
10000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180
160
140
120
100
80
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
60
40
20
a
c
f
e
d
b
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
FAV [A]
6000
7000
8000
9000
10000
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5810N
10000
iFM
=
6200A
1600A
800A
400A
200A
1000
100
-di/dt [A/µs]
0,1
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 1,5Ω, C = 3,3µF
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
F(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
D5810N
Rectifier Diode
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