UNR411H(UN411H) [ETC]
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ ;
| 型号： | UNR411H(UN411H) |
| 厂家： | 
ETC |
| 描述： | 複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
| 文件： | 总15页 (文件大小：494K) |
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抵抗内蔵トランジスタ
UNR411xシリーズ (UN411xシリーズ)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
4.0 0.2
2.0 0.2
デジタル回路用
0.75 max.
■ 特ꢀ長
• 機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能
• New S型パッケージのため、ラジアルテーピングでの供給が
可能
■ 品
種別抵抗値
(R1)
47 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
22 kΩ
0.51 kΩ
1 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
2.2 kΩ
4.7 kΩ
(R2)
+0.20
–0.10
0.45
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
UNR4110 (UN4110)
UNR4111 (UN4111)
UNR4112 (UN4112)
UNR4113 (UN4113)
UNR4114 (UN4114)
UNR4115 (UN4115)
UNR4116 (UN4116)
UNR4117 (UN4117)
UNR4118 (UN4118)
UNR4119 (UN4119)
UNR411D (UN411D)
UNR411E (UN411E)
UNR411F (UN411F)
UNR411H (UN411H)
UNR411L (UN411L)
UNR411M
+0.20
–0.10
0.45
(2.5) (2.5)
10 kΩ
22 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
0.7 0.1
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
1
2
3
NS-B1 Package
内部接続図
5.1 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
22 kΩ
10 kΩ
10 kΩ
4.7 kΩ
47 kΩ
47 kΩ
R1
R2
C
E
B
UNR411N
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
項目
記号
定格
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) VCBO
コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) VCEO
−50
−50
V
コレクタ電流
全許容損失
IC
−100
300
mA
mW
PT
接
合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
注) 形名の( )内は, 従来品
番です
発行年月 : 2003年12月
SJH00018EJD
1
UNR411x シリーズ
■ 電気的特性 Ta = 25°C 3°C
項目
記号
VCBO
VCEO
ICBO
ICEO
条件
IC = −10 µA, IE = 0
最小 標準 最大
単位
V
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
コレクタ・ベース間遮断電流(E開放時)
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)
−50
IC = −2 mA, IB = 0
VCB = −50 V, IE = 0
VCE = −50 V, IB = 0
VEB = −6 V, IC = 0
−50
V
− 0.1
− 0.5
− 0.01
− 0.1
− 0.2
µA
µA
mA
エミッタ
UNR4110/4115/4116/4117
UNR4113
IEBO
・ベース間
遮断電流
UNR4112/4114/411D/
411E/411M/411N
(C 開放時)
UNR4111
− 0.5
−1.0
−1.5
−2.0
UNR411F/411H
UNR4119
UNR4118/411L
UNR4118/411L
UNR4119/411D/411F/411H
UNR4111
直
流電流
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
20
30
35
60
80
増幅率
UNR4112/411E
UNR4113/4114/411M
UNR411N
80
400
460
UNR4110 */4115 */4116 */
4117 *
160
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
出力電圧ハイレベル
出力電圧ローレベル
UNR4113
VCE(sat) IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
− 0.25
− 0.2
V
V
V
VOH
VOL
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −3.5 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −10 V, RL = 1 kΩ
VCC = −5 V, VB = −6 V, RL = 1 kΩ
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
−4.9
UNR411D
UNR411E
トランジション周 波数
fT
80
MHz
入力抵抗
UNR4118
R1
−30% 0.51 +30%
kΩ
UNR4119
1.0
2.2
4.7
10
UNR111H/411M
UNR4116/411F/411L/411N
UNR4111/4114/4115
UNR4112/4117
UNR4110/4113/411D/411E
22
47
注) 1. 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2.
:
ランク分類
ランク
hFE
*
Q
R
S
ノンランク品
160 ∼ 260
210 ∼ 340
290 ∼ 460
160 ∼ 460
SJH00018EJD
2
UNR411x シリーズ
■ 電気的特性(つづき) Ta = 25°C 3°C
項目
記号
条件
最小 標準 最大
単位
抵抗比率
UNR411M
UNR411N
R1/R2
0.047
0.1
UNR4118/4119
UNR4114
0.08
0.17
0.17
0.37
0.8
0.10
0.21
0.22
0.47
1.0
0.12
0.25
0.27
0.57
1.2
UNR411H
UNR411F
UNR4111/4112/4113/411L
UNR411E
1.70
3.7
2.14
4.7
2.60
5.7
UNR411D
注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
共通特性図
PT Ta
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
(
)
周
囲温度 Ta °C
UNR4110特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
−100
−10
400
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = –10 V
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
− 0.3mA
300
200
100
0
Ta = 75°C
−1
25°C
Ta = 75°C
− 0.2mA
− 0.1mA
−25°C
25°C
− 0.1
−25°C
− 0.01
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
− 0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
(
)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE
V
(
)
コレクタ電流 IC mA
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
3
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
f = 1 MHz
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
− 0.1
− 0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
− 0.1
−1
−10
−100
(
)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN
V
(
)
出力電流 IO mA
UNR4111特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
160
120
80
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
Ta = 75°C
25°C
VCE = −10 V
Ta = 25°C
−0.9 mA
IB = −1.0 mA
−0.8 mA
−25°C
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.1
40
−0.2 mA
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
0
−1
−1
−10
−100
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
4
UNR411x シリーズ
UNR4112特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
−0.9mA
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.8mA
−0.7mA
−0.6mA
−0.5mA
−0.4mA
Ta = 75°C
25°C
−0.3mA
−0.2mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−25°C
−0.1mA
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
UNR4113特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
Ta = 25°C
VCE = −10 V
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
25°C
−0.1
−25°C
− 0.1 mA
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
5
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
UNR4114特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
400
300
200
100
0
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
Ta = 75°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−1000
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
出力電流 IO (mA)
SJH00018EJD
6
UNR411x シリーズ
UNR4115特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−
0.01
−0.1
−1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
V
O
= − 0.2 V
VO = −5 V
Ta = 25˚C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR4116特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
−160
−120
−80
−40
0
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
25°C
−0.3 mA
−0.2 mA
Ta = 75°C
−25°C
25°C
−0.1
−0.1 mA
−25°C
−1
−
0.01
−0.1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
SJH00018EJD
7
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR4117特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
−100
−10
−1
400
300
200
100
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
T
= 75°C
a
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
25°C
−0.1
−25°C
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00018EJD
8
UNR411x シリーズ
UNR4118特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−1
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
160
120
80
40
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
25°C
Ta = 75°C
−0.6 mA
−25°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
−0.1
−25°C
−0.1 mA
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
5
4
3
2
1
0
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
UNR4119特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
160
120
80
−100
−10
−1
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
Ta = 75°C
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−0.6 mA
−0.5 mA
25°C
40
−0.1
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
−0.1 mA
−10 −12
−25°C
0
−1
−
0.01
−0.1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
9
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
E = 0
Ta = 25°C
I
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
UNR411D特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
160
120
80
−60
−100
IC / IB = 10
IB = − 1.0 mA
− 0.9 mA
Ta = 25˚C
VCE = −10 V
− 0.8 mA
−50
−40
−30
−20
−10
0
Ta = 75°C
−
10
25°C
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−25°C
−
1
− 0.7 mA
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
40
−
0.1
− 0.1 mA
−25°C
0
−1
−
0.01
−0.1
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
VO = −5 V
Ta = 25°C
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−1.5
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
SJH00018EJD
10
UNR411x シリーズ
UNR411E特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
400
300
200
100
0
−60
−50
−40
−30
−20
−10
0
−100
−10
IC / IB = 10
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
Ta = 25°C
VCE = −10 V
− 0.8 mA − 0.7 mA
− 0.3 mA
− 0.2 mA
−1
Ta = 75°C
− 0.6 mA
− 0.5 mA
− 0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
− 0.1 mA
25°C
−0.1
−25°C
−25°C
−0.01
−1
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−0.1
−1
−10
−100
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
6
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
VO = −5 V
Ta = 25°C
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
−1.5
−2.0
−2.5
−3.0
−3.5
−4.0
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411F特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
160
120
80
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
−100
−10
−1
IC / IB = 10
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
Ta = 75°C
25°C
−25°C
Ta = 75°C
−0.5 mA
−0.4 mA
−0.3 mA
−0.2 mA
25°C
40
−0.1
−25°C
−0.1 mA
−10 −12
0
−1
−
0.01
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10
−100
−1000
−1
−10
−100
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
11
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−104
−103
−102
−10
−1
−100
−10
6
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
5
4
3
2
1
−1
−0.1
−0.01
0
−0.1
−0.1
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−0.4 −0.6 −0.8
−1.0
−1.2
−1.4
出力電流 IO (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411H特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−120
240
200
160
120
80
−100
−10
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
−100
−80
−60
−40
−20
0
IB = −0.5 mA
−0.4 mA
Ta = 75°C
25°C
−1
Ta = 75°C
25°C
−0.3 mA
−25°C
−0.2 mA
−0.1 mA
−0.1
−0.01
40
−25°C
0
−0.1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1
−10
−100
−1000
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
VIN IO
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
−0.1
−0.01
−1
−10
−100
−0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00018EJD
12
UNR411x シリーズ
UNR411L特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−100
−10
−240
−200
−160
−120
−80
−40
0
240
200
160
120
80
IC / IB = 10
VCE = −10 V
Ta = 25°C
IB = −1.0 mA
− 0.8 mA
−1
Ta = 75°C
Ta = 75°C
25°C
− 0.6 mA
25°C
−25°C
−0.1
− 0.4 mA
− 0.2 mA
−25°C
40
− 0.01
0
−1
−1
−10
−100
−1000
0
–2
–4
–6
–8
–10 –12
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
VIN IO
6
5
4
3
2
1
0
−100
−10
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−1
− 0.1
− 0.01
−1
−10
−100
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
UNR411M特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
200
160
120
80
−140
−100
−10
−1
I
C / IB = 33.3
Ta = 25°C
VCE = −10 V
IB = −1.0 mA
−0.9 mA
Ta = 75°C
25°C
−120
−0.8 mA
−0.7 mA
−100
−25°C
−0.6 mA
−0.5 mA
−80
Ta = 75°C
25°C
−0.4 mA
−60
−40
−20
0
−0.3 mA
−0.2 mA
−25°C
− 0.1
40
−0.1 mA
0
−1
− 0.01
−10
−100
−1000
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−1
−10
−100
−1000
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
SJH00018EJD
13
UNR411x シリーズ
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
10
−100
−10
−1000
−100
−10
VO = −0.2 V
Ta = 25°C
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
Ta = 25°C
−1
−1
− 0.1
− 0.01
1
− 0.1
0
−10
−20
−30
−40
0
− 0.5 −1.0
−1.5
−2.0
−2.5
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
入力電圧 VIN (V)
UNR411N特性図
IC VCE
VCE(sat) IC
hFE IC
−140
−120
−100
−80
−60
−40
−20
0
−1
− 0.1
− 0.01
300
250
200
150
100
50
IB = −1.0 mA
Ta = 25°C
VCE = −10 V
−0.9 mA
−0.8 mA
−0.7 mA
−0.6 mA
−0.5 mA
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−0.4 mA
−0.3 mA
Ta = 75°C
25°C
−25°C
−0.2 mA
−0.1 mA
IC / IB = 10
−10 −100
0
−1
0
−2
−4
−6
−8
−10 −12
−10
−100
−1000
− 0.1
−1
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
コレクタ電流 IC (mA)
コレクタ電流 IC (mA)
Cob VCB
IO VIN
VIN IO
−100
−10
−1
10
−100
VO = −5 V
Ta = 25°C
f = 1 MHz
Ta = 25°C
−10
−1
− 0.1
1
0
− 0.5 −1.0
−1.5
−2.0
−2.5
− 0.1
−1
−10
−100
0
−10
−20
−30
−40
入力電圧 VIN (V)
出力電流 IO (mA)
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
SJH00018EJD
14
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1) 本資
料に記載の製品および技術情 報のうちで「、外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸
出する時、または、国外に持ち出す時は、日本政府の許可が必要です。
(2) 本資
しくは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を意味するものではあ
りません。
料に記載の技術情 報は製品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、弊社も
(3) 上記技術情 報のご使用
に起因して第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、当社はそ
の責を負うものではありません。
料に記載されている製品は、標準用途 一般電子機器(事務機器、通信機器、計測機器、家
(4) 本資
電製品など)に使用されることを意図しております。
特別な品質、信頼性が要求され、その故障や誤動作が直 人命を脅かしたり、人体に危害を及ぼ
す恐れのある用 特定用途(航 空・宇 宙 用 、交通機器、燃焼機器、生命維持装置、安全装置など)
にご使用をお考えのお客様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお客様は、事
に弊社営業窓口までご相談願 います。
接
途
前
(5) 本資
ありますのでご了承ください。したがって、最終的な設計、ご購入、ご使用に際しましては、事前
最新の製品規格書または仕様書をお求め願 い、ご確認ください。
料に記載しております製品および製品仕様は、改良などのために予告なく変更する場合が
に
(6) 設計に際して、特に最大定格、動作電源
だきますようお願 い致します。保証値を超えてご使用された場合、その後に発生した機器の欠陥に
ついては弊社として責任を負いません。
また、保証値内のご使用であっても、半導体製品について通常予測される故障発生率、故障モー
ドをご考慮の上、弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、火災事故、社会的な損害などを
電圧範囲、放熱特性については保証範囲内でご使用いた
生じさせない冗長設計、延焼対策設計、誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きます
ようお願 い致します。
(7) 防湿包装を必要
とする製品につきましては、個々の仕様書取り交わしの折、取り決めた条件(保
存期間、開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8) 本資
料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、転載または複製することを堅くお断
り致します。
2003 SEP
相关型号：
UNR411HQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN
PANASONIC
UNR411HS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN
PANASONIC
UNR411LR
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN
PANASONIC
UNR411MQ
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, NS-B1, 3 PIN
PANASONIC
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