DTA143EH [ETC]
トランジスタ ;
ETC 
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
トランジスタ
デジタルトランジスタ
(抵抗内蔵トランジスタ)
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA /
DTA143EKA / DTA143ESA
!内部等価回路図
!特長
1) バイアス用の抵抗を内蔵しているため、入力側の外
付け抵抗なしでインバータ回路が構成できる。（等価
回路図参照）
OUT
R1
IN
2) バイアス用の抵抗は、薄膜抵抗により構成し、完全
にアイソレーションしているため、入力を正にバイ
アスできる。また、寄生効果がほとんど生じないと
いう利点がある。
R2
GND(+)
OUT
IN
3) ON/OFF 条件の設定だけで動作するため、機器の設
計が容易に行える。
GND(+)
!構造
PNP デジタルトランジスタ
（抵抗内蔵トランジスタ）
!外形寸法図（Units : mm）
1.6 0.2
1.0 0.1
DTA143EM
DTA143EE
1.2
0.2 0.8 0.2
0.7 0.1
0.50.5
+0.1
+0.1
0.2
−0.05
0.2
( )
2
0.55 0.1
−0.05
(3)
( )
1
(1) (2)
0~0.1
0.15Max.
(3)
(1) IN
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
+0.1
0.3
−0.05
(2) GND
(3) OUT
ROHM
:
VMT3
ROHM : EMT3
0.15 0.05
標印略記号 : 13
標印略記号 : 13
2.0 0.2
1.3 0.1
2.9 0.2
DTA143EUA
DTA143EKA
+0.2
1.1
0.9 0.1
0.7 0.1
−0.1
1.9 0.2
0.8 0.1
0.65 0.65
0.2
0.95 0.95
(1)
(2)
(2)
(1)
0~0.1
0~0.1
(3)
(3)
+0.1
−0
0.3
0.15 0.05
+0.1
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
0.15
(1) GND
(2) IN
(3) OUT
+0.1
−0.06
各端子とも同寸法
0.4
−0.05
各端子とも同寸法
ROHM
EIAJ
:
UMT3
ROHM
EIAJ
:
SMT3
:
SC-70
:
SC-59
標印略記号 : 13
標印略記号 : 13
4
0.2
2 0.2
DTA143ESA
+
0.15
0.45
−
0.05
+
−
0.15
+
0.4
0.45
2.5
0.5
0.05
−
0.1
5
(1) GND
(2) OUT
(3) IN
ROHM
EIAJ
:
SPT
(1) (2) (3)
:
SC-72
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
トランジスタ
!絶対最大定格（Ta=25°C）
Limits(DTA143E
)
Parameter
Symbol
Unit
M
E
UA
−50
KA
SA
電源電圧
VCC
V
V
入力電圧
出力電流
VIN
−30~+10
−100
I
O
mA
I
C(Max.)
Pd
−100
許容損失
150
200
300
mW
°C
接合部温度
保存温度範囲
Tj
150
Tstg
−55~+150
°C
!電気的特性（Ta=25°C）
Parameter
Symbol Min.
Typ.
−
Max.
−0.5
−
Unit
Conditions
=−100µA
=−20mA
=−10mA/−0.5mA
=−5V
CC=−50V, V
V
I(off)
I(on)
−
−3
−
V
CC=−5V, I
=−0.3V, I
/I
O
入力電圧
V
V
−
V
O
O
出力電圧
V
O(on)
−0.1
−
−0.3
−1.8
−0.5
−
V
mA
µA
−
I
O
I
入力電流
I
I
−
V
V
V
I
出力電流
I
O(off)
−
−
I
=0V
直流電流増幅率
入力抵抗
G
I
20
3.29
0.8
−
−
O
=−5V, I
O
=−10mA
R1
4.7
1
6.11
1.2
−
kΩ
−
−
−
抵抗比率
R
2/R
1
利得帯域幅積
f
T
250
MHz
VCE=−10V, I
E=5mA, f=100MHz
∗
∗ 構成トランジスタの特性です。
!包装仕様
パッケージ
包装名
VMT3
EMT3
UMT3
SMT3
SPT
テーピング
T2L
テーピング
TL
テーピング テーピング
テーピング
記号
T106
3000
−
T146
TP
Type
個本発注単位 (個)
8000
3000
−
3000
5000
DTA143EM
DTA143EE
DTA143EUA
DTA143EKA
DTA143ESA
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
DTA143EM / DTA143EE / DTA143EUA
DTA143EKA / DTA143ESA
トランジスタ
!電気的特性曲線
−100
1k
−10m
−5m
VO=−0.3V
VO=−5V
V
CC=−5V
−50
500
Ta=100°C
25°C
−40°C
−2m
−1m
−
20
10
200
100
−
−500µ
Ta=100°C
25°C
−40°C
Ta=−40°C
25°C
100°C
−200µ
−5
50
−100µ
−50µ
−2
20
10
5
−1
−20µ
−500m
−10µ
−5µ
−200m
−100m
2
1
−2µ
−1µ
−100µ −200µ −500µ −1m −2m
−5m −10m −20m −50m−100m
−100µ −200µ −500µ −1m −2m
−5m −10m −20m −50m−100m
0
−0.5 −1.0 −1.5 −2.0 −2.5 −3.0
OUTPUT CURRENT : I (A)
O
OUTPUT CURRENT : I
O
(A)
INPUT VOLTAGE : VI(off) (V)
Fig.3 直流電流増幅率
Fig.1 入力電圧－出力電流
(ON特性)
Fig.2 出力電流－入力電圧
(OFF特性)
－出力電流特性
−1
lO/lI=20
−500m
Ta=100°C
25°C
−40°C
−200m
−100m
−50m
−20m
−10m
−5m
−2m
−1m
−100µ −200µ −500µ −1m −2m
−5m −10m −20m −50m−100m
OUTPUT CURRENT : IO (A)
Fig.4 出力電圧－出力電流特性
相关型号：
DTA143EHT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-89, 3 PIN
ROHM
DTA143EKAT147
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM
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