ELM14822AA-N [ELM-TECH]
Dual N-channel MOSFET; 双N沟道MOSFET
| 型号： | ELM14822AA-N |
| 厂家： | 
ELM Technology Corporation |
| 描述： | Dual N-channel MOSFET |
| 文件： | 总4页 (文件大小：86K) |
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㪉㪅 㪩㪼㫇㪼㫋㫀㫋㫀㫍㪼㩷㫉㪸㫋㫀㫅㪾㪃㩷㫇㫌㫃㫊㪼㩷㫎㫀㪻㫋㪿㩷㫃㫀㫄㫀㫋㪼㪻㩷㪹㫐㩷㫁㫌㫅㪺㫋㫀㫆㫅㩷㫋㪼㫄㫇㪼㫉㪸㫋㫌㫉㪼㪅㩷
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㪋㪄㪉
㪛㫌㪸㫃㩷㪥㪄㪺㪿㪸㫅㫅㪼㫃㩷㪤㪦㪪㪝㪜㪫
㪜㪣㪤㪈㪋㪏㪉㪉㪘㪘㪄㪥
䂓㪫㫐㫇㫀㪺㪸㫃㩷㪼㫃㪼㪺㫋㫉㫀㪺㪸㫃㩷㪸㫅㪻㩷㫋㪿㪼㫉㫄㪸㫃㩷㪺㪿㪸㫉㪸㪺㫋㪼㫉㫀㫊㫋㫀㪺㫊
30
25
20
15
10
5
20
16
12
8
4V
10V
4.5V
Vds=5V
3.5V
125°C
25°C
Vgs=3V
4
0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
26
24
22
20
18
16
14
12
10
1.6
1.4
1.2
1
Vgs=10V
Id=8.5A
Vgs=4.5V
Vgs=4.5V
Vgs=10V
0.8
0
5
10
15
20
0
25
50
75
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
100
125
150
175
Id (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage
50
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
40
30
20
10
Id=8.5A
125°C
125°C
25°C
25°C
0.0
0.2
0.4
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
0.6
0.8
1.0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
㪋㪄㪊
㪛㫌㪸㫃㩷㪥㪄㪺㪿㪸㫅㫅㪼㫃㩷㪤㪦㪪㪝㪜㪫
㪜㪣㪤㪈㪋㪏㪉㪉㪘㪘㪄㪥
1500
1250
1000
750
10
8
Vds=15V
Id=8.5A
Ciss
6
4
500
Coss
2
250
Crss
0
0
0
0
4
8
12
16
20
5
10
15
20
25
30
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
1.0
50
40
30
20
10
0
Rds(on)
limited
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10ꢂs
100ꢂs
1ms
10ms
0.1s
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10s
DC
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Vds (Volts)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
1
D=Ton/T
j,pk=Ta+Pdm.Zꢁja.Rꢁja
ꢁja=62.5°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
R
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.001
0.01
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
㪋㪄㪋
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