ELM14824AA-N [ELM-TECH]
Dual N-channel MOSFET; 双N沟道MOSFET
| 型号： | ELM14824AA-N |
| 厂家： | 
ELM Technology Corporation |
| 描述： | Dual N-channel MOSFET |
| 文件： | 总7页 (文件大小：125K) |
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30
25
20
15
10
5
20
16
12
8
4V
10V
4.5V
Vds=5V
3.5V
125°C
25°C
Vgs=3V
4
0
0
0
1
2
3
4
5
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Vds (Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
Vgs (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
26
24
22
20
18
16
14
12
10
1.6
1.4
1.2
1
Vgs=10V
Id=8.5A
Vgs=4.5V
Vgs=4.5V
Vgs=10V
0.8
0
5
10
15
20
0
25
50
75
100
125
150
175
Id (A)
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
50
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
40
30
20
10
Id=8.5A
125°C
125°C
25°C
25°C
0.0
0.2
0.4
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
0.6
0.8
1.0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
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1500
1250
1000
750
10
8
Vds=15V
Id=8.5A
Ciss
6
4
500
Coss
2
250
Crss
0
0
0
0
4
8
12
16
20
5
10
15
20
25
30
Qg (nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Vds (Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
1.0
50
40
30
20
10
0
Rds(on)
limited
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10ꢂs
100ꢂs
1ms
10ms
0.1s
1s
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
10s
DC
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Vds (Volts)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
1
D=Ton/T
j,pk=Ta+Pdm.Zꢁja.Rꢁja
ꢁja=62.5°C/W
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
R
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.001
0.01
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
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㫋㫉㫉 㪠㪽㪔㪐㪅㪏㪘㪃㩷㪻㫃㪆㪻㫋㪔㪈㪇㪇㪘㪆㱘㫊
㪨㫉㫉 㪠㪽㪔㪐㪅㪏㪘㪃㩷㪻㫃㪆㪻㫋㪔㪈㪇㪇㪘㪆㱘㫊
㪈㪈㪅㪇 㪈㪌㪅㪇 㫅㪚
㪥㪦㪫㪜㩷㪑
㪈㪅 㪫㪿㪼㩷㫍㪸㫃㫌㪼㩷㫆㪽㩷㪩㱔㫁㪸㩷㫀㫊㩷㫄㪼㪸㫊㫌㫉㪼㪻㩷㫎㫀㫋㪿㩷㫋㪿㪼㩷㪻㪼㫍㫀㪺㪼㩷㫄㫆㫌㫅㫋㪼㪻㩷㫆㫅㩷㪈㫀㫅㫨㩷㪝㪩㪄㪋㩷㪹㫆㪸㫉㪻㩷㫆㪽㩷㪉㫆㫑㪅㩷㪚㫆㫇㫇㪼㫉㪃㩷㫀㫅㩷㫊㫋㫀㫃㫃㩷㪸㫀㫉㩷
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㪫㪿㪼㩷㪺㫌㫉㫉㪼㫅㫋㩷㫉㪸㫋㫀㫅㪾㩷㫀㫊㩷㪹㪸㫊㪼㪻㩷㫆㫅㩷㫋㪿㪼㩷㫋㩷㻟㩷㪈㪇㫊㩷㫋㪿㪼㫄㪸㫃㩷㫉㪼㫊㫀㫊㫋㪸㫅㪺㪼㩷㫉㪸㫋㫀㫅㪾㪅
㪉㪅 㪩㪼㫇㪼㫋㫀㫋㫀㫍㪼㩷㫉㪸㫋㫀㫅㪾㪃㩷㫇㫌㫃㫊㪼㩷㫎㫀㪻㫋㪿㩷㫃㫀㫄㫀㫋㪼㪻㩷㪹㫐㩷㫁㫌㫅㪺㫋㫀㫆㫅㩷㫋㪼㫄㫇㪼㫉㪸㫋㫌㫉㪼㪅㩷
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㪼㫅㫍㫀㫉㫆㫅㫄㪼㫅㫋㩷㫎㫀㫋㪿㩷㪫㪸㪔㪉㪌㷄㪅㩷㪫㪿㪼㩷㪪㪦㪘㩷㪺㫌㫉㫍㪼㩷㫇㫉㫆㫍㫀㪻㪼㫊㩷㪸㩷㫊㫀㫅㪾㫃㪼㩷㫇㫌㫃㫊㪼㩷㫉㪸㫋㫀㫅㪾㪅㩷
㪎㪄㪌
㪛㫌㪸㫃㩷㪥㪄㪺㪿㪸㫅㫅㪼㫃㩷㪤㪦㪪㪝㪜㪫
㪜㪣㪤㪈㪋㪏㪉㪋㪘㪘㪄㪥
䂓㪫㫐㫇㫀㪺㪸㫃㩷㪼㫃㪼㪺㫋㫉㫀㪺㪸㫃㩷㪸㫅㪻㩷㫋㪿㪼㫉㫄㪸㫃㩷㪺㪿㪸㫉㪸㪺㫋㪼㫉㫀㫊㫋㫀㪺㫊㩷㩿㪨㪉㪀
40
30
20
10
0
30
25
20
15
10
5
10V
Vds=5V
4.5V
2.5V
Vgs=2V
125°C
25°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1
2
3
4
5
Vgs (Volts)
Vds (Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
Fig 1: On-Region Characteristics
13
12
11
10
9
1.8
1.6
1.4
1.2
1
Id=9.8A
Vgs=4.5V
Vgs=10V
Vgs=4.5V
Vgs=10V
0.8
0
5
10
15
20
25
30
0
50
100
150
200
Id (A)
Temperature (°C)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Figure 4: On resistance vs. Junction Temperature
Gate Voltage
30
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
Id=9.8A
25
20
15
10
5
125°C
25°C
125°C
25°C
0.0
0.2
0.4
Vsd (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
Vgs (Volts)
Figure 5: On resistance vs. Gate-Source Voltage
㪎㪄㪍
㪛㫌㪸㫃㩷㪥㪄㪺㪿㪸㫅㫅㪼㫃㩷㪤㪦㪪㪝㪜㪫
㪜㪣㪤㪈㪋㪏㪉㪋㪘㪘㪄㪥
10000
1000
5
4
3
2
1
0
f=1MHz
Vds=15V
Id=9.8A
Ciss
Vgs=0V
Coss
Crss
100
0
5
10
15
20
g (nC)
25
30
35
0
5
10
15
Vds (Volts)
20
25
30
Q
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
Figure 8: Capacitance Characteristics
100.0
10.0
1.0
40
Tj(max)=150°C, Ta=25°C
Tj(max)=150°C
Ta=25°C
Rds(on)
limited
100ꢂs 10ꢂs
1ms
10ms
30
20
10
0
0.1s
1s
10s
DC
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
Vds (Volts)
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note E)
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note E)
10
1
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
D=Ton/T
j,pk=Ta+Pdm.Zꢁja.Rꢁja
ꢁja=62.5°C/W
T
R
Pd
0.1
Ton
T
Single Pulse
0.001
0.01
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
㪎㪄㪎
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