US1A-Q_13 [DIOTEC]
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes;
| 型号： | US1A-Q_13 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes |
| 文件： | 总2页 (文件大小：130K) |
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US1J-Q
US1J-Q
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101)
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101)
Version 2014-10-17
5± 0.2
Nominal current – Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
600 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMA
~ DO-214AC
1± 0.3
0.15
Weight approx. – Gewicht ca.
0.07 g
Type
Typ
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
4.5± 0.3
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
US1J-Q
600
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1 A
Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
TA = 25°C
IFRM
IFSM
6 A 1)
30 A
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms - Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
-50...+150°C
-50...+150°C
Tj
TS
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 2)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
US1J-Q
< 75
< 1.4 1.5
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = 660 V IR
< 0.7 µA
< 10 µA
Tj = 100°C VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 70 K/W 3)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
RthT
< 30 K/W
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
1
2
Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
3
Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
US1J-Q
10
120
[%]
[A]
100
80
1
US1J-Q
60
0.1
40
10-2
IF
20
IFAV
0
Tj = 25°C
10-3
0
TT
100
150
VF
[V]
50
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
12
[A]
10
8
IFRM
[A]
2x IFAV
IFAV
T_T = 100°C
T_T = 125°C
1
6
0.5x IFAV
4
Tj = 25°C
Tj = 125°C
2
IRM
0
0,1
0,1
1
10
tp [ms]
Rep. Peak Forward Current vs pulse duration
Periodischer Spitzenstrom über Pulsdauer
0
-diF/dt 200
300
50
[A/µs]
Typical reverse recovery current versus -diF/dt
Typische Rückstromspitze in Abhängigkeit von -diF/dt
120
[ns]
-diF/dt = 50A/µs
-diF/dt = 200A/µs
100
80
60
Tj = 125°C
Tj = 25°C
40
20
trr
0
0
IF
Typical reverse recovery time versus IF
Typische Sperrverzugszeit in Abhängigkeit von IF
1
1.5
2
0.5
[A]
2
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