F1200A [DIOTEC]
Fast Silicon Rectifiers; 快速矽整流器
| 型号： | F1200A |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Fast Silicon Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：85K) |
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F1200A, F1200D
Fast Silicon Rectifiers
Schnelle Silizium Gleichrichter
Version 2004-04-06
Nominal current – Nennstrom
12 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50V, 200 V
Ø 8±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P-600 Style
Type
Weight approx. – Gewicht ca.
1.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions / Maße in mm
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
F1200A
F1200D
50
50
200
200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
IFSM
i2t
12 A 1)
80 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
680 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
– 50…+150°C
TS – 50…+175°C
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
F1200A, F1200D
Characteristics
Forward voltage – Durchlaßspannung Tj = 25°C
Kennwerte
IF = 5 A
VF
IR
< 0.82 V
< 25 µA
< 200 ns
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
< 10 K/W 1)
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Pulse thermal resistance versus pulse duration 1)
Impulswärmewiderstand in Abh. v.d. Impulsdauer 1)
1) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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