F1200A_07 [DIOTEC]
Superfast Silicon-Rectifiers; 超快硅整流器
| 型号： | F1200A_07 |
| 厂家： | 
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
| 描述： | Superfast Silicon-Rectifiers |
| 文件： | 总2页 (文件大小：93K) |
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F1200A ... F1200G
Version 2007-05-09
F1200A ... F1200G
Superfast Silicon-Rectifiers
Superschnelle Silizium-Gleichrichter
Nominal Current
Nennstrom
12 A
Ø 8±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Type
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Ø 1.2±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
F1200A
F1200B
F1200D
F1200G
50
100
200
400
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
IFRM
IFSM
i2t
12 A 1)
80 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
375/390 A
680 A2s
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
VR ≤ 80% VRRM
VR ≤ 20% VRRM
Tj
Tj
-50...+150°C
-50...+200°C
bei reduzierter Sperrspannung
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
F1200A ... F1200G
Characteristics
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Kennwerte
< 0.82 V
< 25 µA
Tj = 25°C
IF = 5 A
VF
IR
trr
Tj = 25°C VR = VRRM
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
< 200 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
RthL
< 10 K/W 1)
< 2 K/W
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
103
120
[%]
[A]
102
100
Tj = 125°C
80
Vr < 20% Vrrm
Tj = 25°C
10
60
40
Vr < 80% Vrrm
1
IF
20
IFAV
0
400a-(5a-0,8v)
10-1
0.4
1.0
1.4
VF 0.8
1.2
[V] 1.8
0
TA
100
150
50
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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