CP331-CZT2000-WN [CENTRAL]
Transistor;
| 型号： | CP331-CZT2000-WN |
| 厂家： | 
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 描述： | Transistor |
| 文件： | 总2页 (文件大小：713K) |
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PROCESS CP331
Power Transistor
NPN - High Voltage Darlington Transistor Chip
PROCESS DETAILS
Die Size
39.4 x 39.4 MILS
Die Thickness
9.1 MILS
Base Bonding Pad Area
Emitter Bonding Pad Area
Top Side Metalization
Back Side Metalization
7.9 x 7.9 MILS
7.9 x 7.9 MILS
Al-Si - 30,000Å
Au-As - 18,000Å
GEOMETRY
GROSS DIE PER 5 INCH WAFER
11,055
PRINCIPAL DEVICE TYPE
CZT2000
BACKSIDE COLLECTOR
R0
R0 (19-September 2011)
www.centralsemi.com
PROCESS CP331
Typical Electrical Characteristics
R0 (19-September 2011)
www.centralsemi.com
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