AT-41532-BLKG [AGILENT]
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SC-70, 3 PIN;
| 型号： | AT-41532-BLKG |
| 厂家： | 
AGILENT TECHNOLOGIES, LTD. |
| 描述： | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SC-70, 3 PIN 晶体 晶体管 |
| 文件： | 总14页 (文件大小：146K) |
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汎用N P N シリコン･バイポーラ･
トランジスタ
AT-41532
特ꢀ長
概ꢀ要
3-Lead SC-70 (SOT-323)
Surface Mount Plastic
●低電流、低電圧、汎用トランジスタ
AT-41532は低電圧動作用に最適化された
汎用N PN バイポーラ・トランジスタで
す。パッケージはSOT-323（SC-70３ピ
ン相当）の表面実装プラスチック･パッ
ケージです。
Package
●900M Hz,5m A,5Vの特性
NF:1.0dB(標準)
Ga:15.5dB(標準)
P1dB:+14.5dBm (標準)@ 25m A,5V
●SOT-323（SC-70 3ピン相当）表面
実装プラスチック･パッケージ
●テープ･リール･オプションを用意
5V で特性を最適化しているため、
900M Hz,1.9GHz,2.4GHzでのLNA、ゲイ
ン・ステージ、バッファ、発振器、また
はアクティブ・ミキサなどのようなバッ
テリ動作に最適で、セルラやPCSやISM
バンドのシステムに使用可能です。
900M H zでは、5V,５m Aのバイアスで
1.0dB（標準）NF、15.5dB（標準）のゲ
インが得られます。また、1V,1m Aでも
高ゲインなので、900M Hzのページャに
も使用することができます。900M Hzで
雑音整合が比較的50Ωに近いため、整合
回路を設計し易い製品です。さらに、ブ
レークダウン電圧が高いことが特長で
す。
応ꢀ用
Pin Configuration
●PDC、PHS、CDM Aなどの移動体通
COLLECTOR
信端末およびワイヤレスLANなどの
データ通信機器
41Y
BASE
EMITTER
注：“Y”はデートコードを表わします。
1
AT-41532 Absolute Maximum Ratings
[2]
Absolute
Maximum[1]
Thermal Resistance:
Symbol
VEBO
Parameter
Units
V
θjc = 350°C/W
Emitter-Base Voltage
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Collector Current
Power Dissipation[2,3]
Junction Temperature
Storage Temperature
1.5
20
注1：これらのパラメータのいずれかを超
える状態でデバイスを動作させる
と、永久的な損傷を受ける可能性
があります。
注2：TM OUNTING SURFACE=25℃。
注3：TC>72℃の場合は、2.86mW /℃の割
合で定格を下げてください。
VCBO
V
V
CEO
V
12
IC
PT
mA
mW
°C
°C
50
225
Tj
150
TSTG
-65 to 150
Electrical Specifications, T = 25°C
A
Symbol
Parameters and Test Conditions
Units
Min
Typ
Max
hFE
Forward Current Transfer Ratio VCE = 5 V
IC = 5 mA
-
30
150
270
ICBO
IEBO
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
VCB = 3 V
VEB = 1 V
mA
mA
0.2
1.0
Characterization Information, TA = 25°C
Symbol
Parameters and Test Conditions
Noise Figure
Units
Min
Typ
NF
f = 0.9 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
dB
1.0
1.4
1.9
VCE = 5 V, IC = 5 mA
GA
Associated Gain
f = 0.9 GHz
f = 1.8 GHz
f = 2.4 GHz
dB
15.5
10.5
9.0
V
CE = 5 V, IC = 5 mA
P1dB
G1dB
Power at 1 dB Gain Compression (opt tuning) f = 0.9 GHz
CE = 5 V, IC = 25 mA
Gain at 1 dB Gain Compression (opt tuning)
CE = 5 V, IC = 25 mA
Output Third Order Intercept Point,
CE = 5 V, IC =25 mA (opt tuning)
Gain in 50 Ω system; VCE = 5 V, IC = 5 mA
dBm
dB
14.5
14.5
25
V
f = 0.9 GHz
f = 0.9 GHz
V
IP3
dBm
dB
V
2
|S21E
|
f = 0.9 GHz
f = 2.4 GHz
12.5
13.25
5.2
2
AT-41532 Typical Performance
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
3.5
3.5
3.0
2 mA
5 mA
2 mA
5 mA
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0.5
0
0.5
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
Figure 1. AT-41532 Typical Noise
Figure vs. Frequency at 1V, 1 mA.
Figure 2. AT-41532 Typical Noise
Figure vs. Frequency and Current at
2.7V.
Figure 3. AT-41532 Typical Noise
Figure vs. Frequency and Current at
5V.
10
8
16
16
2 mA
5 mA
2 mA
5 mA
12
8
12
8
6
4
4
4
2
0
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
FREQUENCY (GHz)
Figure 4. AT-41532 Associated Gain
vs. Frequency at 1V, 1 mA.
Figure 5. AT-41532 Associated Gain
vs. Frequency and Current at 2.7V.
Figure 6. AT-41532 Associated Gain
vs. Frequency and Current at 5V.
20
15
10
5
9
8
7
6
5
4
3
0
2
2.7 V
5 V
-5
-10
2.7 V
5 V
1
0
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
COLLECTOR CURRENT (mA)
COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 7. AT-41532 P
CollectorCurrent and Voltage
(validup to 2.4 GHz).
vs.
Figure 8. AT-41532 G
CollectorCurrent and Voltage
(validup to 2.4 GHz).
vs.
1dB
1dB
3
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.787
0.697
0.620
0.554
0.538
0.543
0.559
0.561
0.545
0.534
0.544
0.563
0.597
0.655
0.703
-75
-104
-128
-166
-164
118
79
47
28
14
2
8.79
7.28
5.84
3.40
1.52
-1.06
-2.61
-3.06
-2.81
-2.46
-2.38
-2.49
-2.79
-3.39
-4.03
2.750
2.311
1.960
1.480
1.191
0.886
0.741
0.703
0.724
0.754
0.761
0.751
0.725
0.677
0.629
125
106
90
66
48
22
5
-7
-20
-35
-52
-68
-84
-100
-112
-20.18
-18.74
-18.40
-18.80
-18.69
-13.30
-8.03
-4.83
-3.11
-2.30
-2.08
-2.18
-2.52
-3.15
-3.76
0.098
0.116
0.120
0.115
0.116
0.216
0.397
0.574
0.699
0.768
0.787
0.778
0.748
0.696
0.649
49
38
31
30
42
60
47
24
0
-23
-44
-63
-80
-96
-110
0.860
0.785
0.734
0.678
0.653
0.620
0.568
0.487
0.398
0.362
0.407
0.467
0.523
0.593
0.665
-22
-28
-32
-40
-50
-73
-102
-137
-180
130
88
-10
-23
-34
-42
58
35
16
-6
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 1 V, IC = 1 mA
20
16
1.50
1.25
1.00
Γopt
gmax
dB(S|2,1|)
k
Freq.
GHz
Fmin
dB
Rn
ohms
Gassoc
dB
Mag
Ang
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.4
1.8
1.9
2.2
2.6
3.1
3.6
0.44
0.57
0.60
0.66
0.71
0.75
0.77
92
-183
-169
-140
-116
-95
12.4
3.0
3.3
10.1
27.6
59.9
103.0
9.4
7.6
6.7
5.7
4.6
3.5
2.1
12
8
0.75
0.50
0.25
4
0
-77
-4
0
6
0
1
2
3
4
5
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
FREQUENCY (GHz)
Figure 9. Gain vs. Frequency at
1 V, 1 mA.
S21
MAG =
(k± √k2–1)
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
*
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
4
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.647
0.532
0.455
0.394
0.382
0.397
0.434
0.474
0.497
0.501
0.512
0.532
0.569
0.643
0.687
-82
-111
-134
-171
160
116
80
50
30
15
4
13.45
11.34
9.54
6.70
4.64
4.702
3.691
3.000
2.162
1.707
1.240
1.004
0.871
0.812
0.805
0.804
0.796
0.767
0.762
0.668
119
101
88
68
51
-23.97
-22.60
-21.87
-20.48
-18.50
-13.56
-9.26
-6.05
-3.84
-2.40
-1.73
-1.61
-1.86
-2.41
-3.10
0.063
0.074
0.081
0.095
0.119
0.210
0.344
0.498
0.643
0.759
0.819
0.831
0.808
0.758
0.700
52
46
46
52
59
61
50
32
11
-12
-34
-55
-74
-93
-107
0.808
0.737
0.696
0.658
0.643
0.627
0.604
0.556
0.470
0.377
0.361
0.411
0.476
0.562
0.639
-21
-24
-27
-33
-40
-59
-81
-108
-142
174
123
82
1.87
0.03
26
5
-1.20
-1.81
-1.88
-1.89
-1.99
-2.31
-2.37
-3.51
-10
-23
-36
-51
-67
-83
-97
-112
-9
-22
-32
-40
52
27
1
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 2 mA
20
1.2
1
Γopt
gmax
dB(S|2,1|)
k
Freq.
GHz
Fmin
dB
Rn
ohms
Gassoc
dB
16
12
8
Mag
Ang
0.8
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.6
1.7
1.9
2.2
2.5
2.9
0.35
0.48
0.51
0.60
0.65
0.70
0.74
100
-179
-165
-136
-112
-91
8.7
3.3
3.7
12.9
9.7
9.1
8.0
6.9
5.9
5.1
0.6
0.4
0.2
8.9
4
21.0
42.0
72.0
0
-74
-4
0
6
0
1
2
3
4
5
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
Figure 10. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 2 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
*
S21
MAG =
(k± √k2–1)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
5
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.400
0.312
0.270
0.247
0.253
0.280
0.323
0.379
0.434
0.480
0.522
0.557
0.595
0.662
0.709
-102
-130
-152
175
149
112
80
55
38
24
10
17.03
14.15
11.97
8.82
6.67
3.86
7.106
5.101
3.969
2.762
2.154
1.559
1.269
1.097
0.986
0.920
0.871
0.828
0.779
0.761
0.664
106
91
80
64
50
-25.97
-23.86
-22.09
-19.10
-16.60
-12.48
-9.19
-6.55
-4.50
-2.96
-2.07
-1.73
-1.86
-2.43
-3.03
0.050
0.064
0.079
0.111
0.148
0.238
0.347
0.471
0.595
0.711
0.788
0.820
0.808
0.756
0.705
59
60
61
63
62
55
43
27
9
-11
-32
-53
-73
-92
-107
0.671
0.615
0.588
0.564
0.553
0.535
0.514
0.472
0.398
0.309
0.299
0.366
0.449
0.533
0.633
-22
-24
-25
-30
-37
-54
-75
-99
-130
-174
131
87
26
6
2.07
0.80
-12
-28
-43
-58
-72
-87
-99
-115
-0.13
-0.72
-1.20
-1.64
-2.17
-2.38
-3.56
-5
-19
-29
-39
55
27
3
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2.7 V, IC = 5 mA
25
1.2
1
Γopt
Freq.
GHz
Fmin
dB
Rn
ohms
Gassoc
dB
20
Mag
Ang
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.4
1.5
1.7
1.9
2.2
2.5
0.283
0.41
0.44
0.53
0.60
0.67
0.71
106
-165
-151
-126
-106
-86
7.3
3.9
4.8
14.0
10.7
9.8
8.5
7.5
0.8
0.6
0.4
0.2
15
10
9.2
5
18.4
35.0
58.0
gmax
dB(S|2,1|)
k
0
6.6
5.8
-69
-5
0
6
0
1
2
3
4
5
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
FREQUENCY (GHz)
Figure 11. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 5 mA.
S21
MAG =
(k± √k2–1)
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
*
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
6
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 2. 7 V, IC = 10 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.243
0.199
0.184
0.186
0.199
0.232
0.275
0.334
0.399
0.462
0.521
0.566
0.609
0.678
0.722
-122
-149
-169
161
139
107
79
56
41
27
14
18.39
15.19
12.88
9.64
7.44
4.61
2.84
1.60
0.66
-0.02
-0.67
-1.26
-1.88
-2.97
-3.38
8.310
5.751
4.408
3.034
2.354
1.700
1.387
1.202
1.079
0.997
0.926
0.865
0.805
0.711
0.678
97
85
76
62
49
-26.90
-23.99
-21.74
-18.35
-15.79
-11.93
-9.00
-6.66
-4.79
-3.30
-2.34
-1.89
-1.92
-2.32
-3.02
0.045
0.063
0.082
0.121
0.162
0.253
0.355
0.465
0.576
0.684
0.764
0.805
0.802
0.766
0.706
68
69
69
67
63
52
39
24
7
-12
-32
-52
-72
-91
-106
0.586
0.552
0.536
0.520
0.510
0.491
0.467
0.424
0.349
0.261
0.251
0.328
0.422
0.485
0.620
-21
-21
-23
-28
-35
-52
-72
-95
-125
-167
134
88
27
6
-12
-29
-45
-60
-75
-90
-101
-116
-2
-18
-28
-39
56
29
3
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
25
1.25
20
15
10
1
S21
MAG =
(k± √k2–1)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
0.75
0.5
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
5
0
0.25
0
gmax
dB(S|2,1|)
k
0
1
2
3
4
5
6
FREQUENCY (GHz)
Figure 12. Gain vs. Frequency at
2.7 V, 10 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
*
7
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 2 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.659
0.540
0.456
0.387
0.371
0.387
0.428
0.472
0.494
0.490
0.489
0.506
0.541
0.634
0.670
-79
-108
-131
-169
162
116
79
49
28
13
2
13.43
11.41
9.64
6.81
4.74
4.696
3.720
3.034
2.190
1.726
1.247
1.001
0.860
0.798
0.799
0.812
0.810
0.788
0.754
0.689
121
103
89
69
53
27
7
-8
-20
-33
-48
-64
-80
-94
-109
-25.16
-23.78
-23.06
-21.69
-19.63
-14.40
-9.89
-6.47
-4.05
-2.36
-1.51
-1.28
-1.51
-2.09
-2.75
0.055
0.065
0.070
0.082
0.104
0.191
0.320
0.475
0.627
0.762
0.840
0.863
0.841
0.786
0.729
53
48
48
55
63
67
56
38
17
0.836
0.774
0.738
0.705
0.694
0.685
0.673
0.635
0.556
0.448
0.388
0.408
0.462
0.539
0.625
-18
-22
-24
-30
-37
-54
-75
-100
-131
-170
141
96
1.91
0.01
-1.31
-1.96
-1.95
-1.81
-1.84
-2.07
-2.46
-3.23
-5
-29
-51
-71
-90
-105
-10
-22
-33
-39
62
35
6
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, 5 V, IC = 2 mA
25
1.2
1
Γopt
Freq.
GHz
Fmin
dB
Rn
ohms
Gassoc
dB
20
Mag
Ang
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.2
1.5
1.6
1.9
2.2
2.5
2.9
0.35
0.48
0.51
0.60
0.65
0.70
0.74
100
178
-166
-137
-112
-92
8.5
3.4
3.7
13.5
10.6
9.7
8.8
7.8
0.8
0.6
0.4
0.2
15
10
8.8
5
21.7
44.6
79.5
gmax
dB(S|2,1|)
0
7.1
6.0
-73
k
-5
0
6
0
1
2
3
4
5
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
Figure 13. Gain vs. Frequency at
5 V, 2 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
*
S21
MAG =
(k± √k2–1)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
8
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.402
0.304
0.255
0.225
0.227
0.256
0.301
0.359
0.414
0.457
0.496
0.531
0.573
0.633
0.696
-98
-124
-147
178
151
111
79
53
36
22
10
17.27
14.42
12.25
9.09
6.92
4.06
7.303
5.260
4.095
2.848
2.218
1.596
1.291
1.111
0.997
0.933
0.891
0.849
0.805
0.759
0.682
107
92
82
65
52
-27.15
-25.04
-23.26
-20.23
-17.66
-13.38
-9.92
-7.07
-4.78
-2.97
-1.84
-1.37
-1.44
-2.03
-2.63
0.044
0.056
0.069
0.097
0.131
0.214
0.319
0.443
0.577
0.711
0.809
0.854
0.847
0.792
0.739
60
61
63
66
65
59
48
33
16
0.713
0.663
0.640
0.621
0.613
0.603
0.592
0.562
0.498
0.401
0.344
0.374
0.441
0.516
0.624
-19
-21
-23
-28
-34
-51
-69
-92
-120
-156
154
105
67
28
8
2.22
0.92
-10
-26
-40
-55
-70
-85
-95
-113
-0.02
-0.60
-1.00
-1.42
-1.89
-2.40
-3.32
-4
-26
-49
-69
-88
-105
-4
-19
-28
-38
38
8
AT-41532 Typical Noise Parameters,
Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 5 mA
25
1.2
1
Γopt
Freq.
GHz
Fmin
dB
Rn
ohms
Gassoc
dB
20
Mag
Ang
0.9
1.8
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
1.1
1.4
1.5
1.7
1.9
2.2
2.4
0.29
0.41
0.44
0.53
0.60
0.67
0.71
110
-167
-153
-127
-106
-86
7.0
3.9
4.7
14.8
11.3
10.5
9.3
8.4
7.5
0.8
0.6
0.4
0.2
15
10
9.3
5
18.6
36.8
59.5
gmax
dB(S|2,1|)
0
-70
6.7
k
-5
0
6
0
1
2
3
4
5
FREQUENCY (GHz)
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
Figure 14. Gain vs. Frequency at
5 V, 5 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
S21
*
MAG =
(k± √k2–1)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
9
AT-41532 Typical Scattering Parameters, Common Emitter, ZO = 50 Ω, VCE = 5 V, IC = 10 mA
Freq.
GHz
S11
S21
S12
S22
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
dB
Mag
Ang
Mag
Ang
0.5
0.75
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
0.239
0.182
0.160
0.155
0.167
0.201
0.246
0.306
0.369
0.430
0.489
0.539
0.588
0.638
0.713
-113
-140
-162
164
140
105
76
54
40
27
14
18.69
15.51
13.20
9.95
7.75
4.87
3.05
1.79
0.86
0.23
-0.35
-0.91
-1.58
-3.09
-3.24
8.601
5.966
4.571
3.144
2.440
1.751
1.421
1.229
1.105
1.027
0.961
0.900
0.834
0.701
0.689
98
86
78
63
51
-28.05
-25.18
-22.94
-19.50
-16.89
-12.90
-9.80
-7.24
-5.11
-3.33
-2.11
-1.49
-1.45
-1.93
-2.58
0.040
0.055
0.071
0.106
0.143
0.226
0.324
0.434
0.555
0.682
0.785
0.842
0.846
0.801
0.743
69
70
71
69
66
57
45
31
14
0.641
0.611
0.597
0.585
0.578
0.566
0.553
0.523
0.461
0.366
0.308
0.342
0.419
0.501
0.616
-18
-19
-20
-26
-33
-49
-67
-88
-115
-149
161
110
70
29
9
-10
-26
-42
-58
-73
-88
-102
-115
-5
-26
-47
-68
-88
-104
-1
-16
-29
-38
40
9
25
1.25
gmax = maximum available gain (MAG) if k > 1
gmax = maximum stable gain (MSG) if k < 1
k = stability factor
20
15
10
1
S21
MAG =
(k± √k2–1)
S12
MSG = |S21|/ |S12
1 – |S11
2 – |S22
2 |S12||S21
0.75
0.5
|
|
|
2 + |D|2
–
; D = S11S22 S12S21
k =
|
*
5
0
0.25
0
gmax
dB(S|2,1|)
k
0
1
2
3
4
5
6
FREQUENCY (GHz)
Figure 15. Gain vs. Frequency at
5 V, 10 mA.
Note: dB(|S21|) = 20 log(|S21|)
*
10
AT-41532応用
バイアス回路
C1,C4 10 pF chip capacitor
AT-41532の800-900M HzのLNAとしての
応用についてご紹介します。ここで
は、0.032インチ厚のFR-4のPCボード
を用いて設計しています。
バイアス回路は5.25Vの電源電圧で使用
するように設計されています。抵抗
(R1,R2)がコレクタ電流を調整します。
抵抗(R4)はR5とC5の接続された場所に
接続され、バイアス点の安定性を向上し
ます。
C2
Open circuited stub – see
text
2.7 pF chip capacitor
1000 pF chip capacitor
C3
C5
L1
8 nH chip inductor
(Coilcraft 1008CS-080)
900M HzLNAの設計
L2
L3
Optional (see R1)
15 nH chip inductor
(Coilcraft 1008CS-150)
このLNAはVceが5V、I が５ｍAで設計
c
されているため、5.25Vの電源電圧で使
用可能です。図16は900M HzLNAの回
路図で、図17は部品表です。PCボード
のレイアウトと部品の位置については
図18をご覧ください。
測定結果
図19はこのアンプのゲインを測定した結
果です。ゲインは800-900M Hzで14-15dB
です。図20はNFの測定結果です。
850M Hzで1.0dBのNFを得ることができ
ました。図21は入出力のリターン・ロス
です。入力リターン･ロスは850M Hzで
10dBですが、キャパシタ(C2)の値を調
整することにより、入力リターン･ロス
を改善することもできます。出力リター
ン･ロスは850M Hzで10dBです。一般的
に、雑音、入出力リターン･ロスなどに
はトレード･オフがあります。
Q1
R1
Hewlett-Packard
AT-41532 Silicon Bipolar
Transistor
10K Ω chip resistor (may
want to substitute a
180 nH chip inductor and
50 Ω resistor for lower
noise figure , better low
freq stability, then
OUTPUT
o
C3
C2
C1
Q1
INPUT
L1
R6
Z
L3
C4
Z
o
L2
R1
R5
C5
V
= 5.25 V
CC
R4
R3
C4
R2
readjust R2)
48 K Ω chip resistor
(adjust for rated Ic)
R2
Figure 16. Schematic Diagram.
R3
R4
R5
R6
3.32 K Ω chip resistor
3.32 K Ω chip resistor
51.1 Ω chip resistor
出力インターセプト･ポイント(IP3)は
850M Hzで+12dBm です。1.1kΩの抵抗
入力整合回路は低雑音整合にするた
め、直列インダクタ(L1)が使われてい
ます。最小のNFと入力VSW Rの改善が
必要であれば、並列キャパシタ(C2)を
使用することもできます。この並列
キャパシタはオープン回路スタブを用
いています。また、直列インダクタは
チップ･インダクタを用いています。出
力整合回路は、直列キャパシタ(C3)と
並列インダクタ(L3)を用いてハイ･パス
の構成にしています。並列インダクタ
(L3)に並列の抵抗(R6)は10GHzまでの
広帯域安定性を改善しています。バイ
アス回路はデカップリング用にインダ
クタ(L2,L3)を用いています。また、バ
イアス回路は適切にバイパス(C4,C5)さ
れRFグランドがとられています。
(R 6)を取り去ることにより、IP3
が
1.1K Ω chip resistor (see
text)
50 Ω microstripline
+13.6dBm に向上しますが、安定性が低
下します。抵抗（R6）の値を変更した
り、取り去る場合には、十分な評価を
行ってください。抵抗R6の代わりにト
ランジスタのコレクタに直列に10-27Ω
程度の抵抗を入れることにより、回路の
安定性を向上させることができます。ま
た、出力整合を最小のVSW Rではなく最
大パワーに整合することにより、IP3を
向上することもできますが、出力リター
ン･ロスが10dB以下になります。
Zo
Figure 17. Component Parts List.
AT-3XX32
AT-4XX32
01/98 AJW
.062 FR-4
OUT
IN
Vcc
Figure 18. 1X Artwork showing
Component Placement.
11
16
14
1.6
1.5
0
-2
-4
-6
1.4
12
10
1.3
1.2
-8
-10
8
6
1.1
1
Input
Output
-12
-14
500
600
700
800
900
1000
500
600
700
800
900
1000
500
600
700
800
900
1000
FREQUENCY (MHz)
FREQUENCY (MHz)
FREQUENCY (MHz)
Figure 20. Noise Figure vs Frequency.
Figure 19. Gain vs Frequency.
Figure 21. Input/Output Return Loss.
デモ･ボードの変更
このデモ･ボード(01/98製)を利用する コレクタ・リードに接続されているL3
にはいくつかの変更を加える必要があ に並列に抵抗(R6)を加えることです。
の間に加えます。最後に、トランジス
タのコレクタ・リードからC3までパ
ります。まず第一は、トランジスタの 第二はC4をR6とR5の接続点とグランド ターンをつなぎます。
Ordering Information
Part Number
Increment
Comments
AT-41532-BLK
AT-41532-TR1
100
3000
Bulk
7" Reel
Package Dimensions
Outline SOT-323 (SC-70 3 Lead)
2.20 (0.087)
1.80 (0.071)
PACKAGE MARKING CODE
& DATE CODE
0.650 BSC (0.026)
注）左図のように置いたとき、
マーキングが正しく読めます。
1.35 (0.053)
1.15 (0.045)
2.20 (0.087)
2.00 (0.079)
XXY
1.30 (0.051)
REF.
0.425 (0.017)
TYP.
0.10 (0.004)
0.00 (0.00)
0.30 REF.
0.20 (0.008)
0.10 (0.004)
1.00 (0.039)
0.80 (0.031)
0.25 (0.010)
0.15 (0.006)
10°
0.30 (0.012)
0.10 (0.004)
DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS (INCHES)
12
Tape Dimensions and Device Orientation, continued
For Outline SOT-323 (SC-70 3 Lead)
A0
8° MAX.
t1 (CARRIER TAPE
THICKNESS)
A1
Tt (COVER TAPE
THICKNESS)
K1
D
P2
P0
E
8° MAX.
B0
F
W
C
B1
P
D1
K0
DESCRIPTION
LENGTH
SYMBOL
SIZE (MM)
2.41 0.10
0.99
SIZE (INCHES)
CAVITY
A0
A1
B0
B1
K0
K1
P
±
0.095
± 0.004
0.039
WIDTH
DEPTH
PITCH
2.41
±
0.10
0.095
±
0.004
1.91
0.075
1.19
±
0.10
0.047
±
0.004
0.05
0.020
3.99
0.99
±
±
0.10
0.25
0.157
0.039
±
±
0.004
0.010
BOTTOM HOLE DIAMETER
D1
PERFORATION DIAMETER
D
P0
E
1.55
3.99
1.75
±
±
±
0.05
0.10
0.10
0.061
0.157
0.069
±
±
±
0.002
0.004
0.004
PITCH
POSITION
CARRIER TAPE WIDTH
THICKNESS
W
t1
8.00
0.254
±
±
0.30
0.013
0.315
0.010
±
0.012
±
0.0005
COVER TAPE
WIDTH
TAPE THICKNESS
C
Tt
5.21
0.063
±
±
0.10
0.001 0.0025
0.205
±
0.004
±
0.00004
DISTANCE
CAVITY TO PERFORATION
(WIDTH DIRECTION)
F
3.51
±
0.05
0.138
±
0.002
CAVITY TO PERFORATION
(LENGTH DIRECTION)
P2
2.01
±
0.05
0.079
±
0.002
13
当社半導体部品のご使用にあたって
仕様及び仕様書に関して
・本仕様は製品改善および技術改良等により予告なく変更する場合があります。ご使用の際には最
新の仕様を問い合わせの上、用途のご確認をお願いいたします。
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の交渉は当社の要求によりすみやかに行われることとさせて頂きます。なお、基本的に変更は3ヶ
月前、廃止は1年前にご連絡致しますが、例外もございますので予めご了承ください。
ご使用用途に関して
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ミューズメント機器、計測機器、一般産業機器など）の一部に組み込まれて使用されるものです。
極めて高い信頼性と安全性が要求される用途（輸送機器、航空・宇宙機器、海底中継器、原子力
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性を持つ用途）を意図し、設計も製造もされているものではありません。それゆえ、本製品の安
全性、品質および性能に関しては、仕様書（又は、カタログ）に記載してあること以外は明示的
にも黙示的にも一切の保証をするものではありません。
回路設計上のお願い
・当社は品質、信頼性の向上に努力しておりますが、一般的に半導体製品の誤動作や、故障の発生
は避けられません。本製品の使用に附随し、或いはこれに関連する誤動作、故障、寿命により、
他人の生命又は財産に被害や悪影響を及ぼし、或いは本製品を取り付けまたは使用した設備、施
設または機械器具に故障が生じ一般公衆に被害を起こしても、当社はその内容、程度を問わず、
一切の責任を負いかねます。
お客様の責任において、装置の安全設計をお願いいたします。
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AT-41532-TR2G
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SC-70, 3 PIN
AGILENT
AT-41533-BLKG
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SMT, 3 PIN
AGILENT
AT-41533-TR1G
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, PLASTIC, SMT, 3 PIN
AGILENT
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