YFW7N80A2 [YFW]
7A 800V N-channel enhanced field effect transistor;
| 型号： | YFW7N80A2 |
| 厂家： | 
DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
| 描述： | 7A 800V N-channel enhanced field effect transistor |
| 文件： | 总6页 (文件大小：938K) |
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N-CHANNEL MOSFET 7N80A
7A 800V N沟道增强型场效应管
主要参数：
ID
7A
G.栅极 D.漏极 S.源极
VDSS
800V
1.4Ω
RDSON-typ(@VGS=10V)
性能特点：
开关速度快
低导通电阻
低反向传输电容
低栅极电荷量
100%单脉冲雪崩能量测试
提升了dv/dt能力
机械性能：
注塑成型封装
适用任何位置安装
封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准
加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s
封装形式: TO-220AB, TO-220F, TO-263
产品规格分类：
产品料号
YFW7N80A1
YFW7N80A2
YFW7N80A3
YFW7N80A3-R
封装形式
TO-220AB
TO-220F(0.5mm)
TO-263
产品印字
包装方式
50PCS每管
50PCS每管
50PCS每管
800PCS每盘
7N80AT
7N80AF
7N80AS
7N80AS
TO-263
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N-CHANNEL MOSFET 7N80A
极限参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数范围
单位
参数名称
符号
220AB
220F
263
漏源电压
800
V
DS
GS
V
V
±30
栅源电压
V
漏极电流-持续（TC=25°C）
-持续（TC=100°C）
漏极脉冲电流(注 1)
耗散功率（TC=25°C）-
-大于25°C每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 2)
雪崩电流(注 1)
7
I
D
A
A
4
IDM
28
140
48
140
P
D
W
1.12
0.38
1.25
590
E
AS
mJ
A
7
14
I
AR
重复雪崩电压(注 1)
工作结温范围
E
AR
mJ
150
T
J
°C
贮存温度范围
-55 to +150
2.8
T
STG
°C
芯片对管壳热阻
0.89
62.5
0.89
62.5
R
θJC
θJA
°C/W
°C/W
芯片对环境的热阻
62.5
R
电气参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
最小值
典型值
-
最大值
单位
漏源击穿电压
漏源击穿电流
VGS = 0 V,ID = 250 μA
VDS = 800 V, VGS = 0 V
VDS = 640 V, Tc =125°C
VGS = ± 30 V, VDS = 0 V
VDS = VGS , ID = 250 μA
VGS = 10 V, ID = 3.5 A
VDS = 40 V, ID = 3.5 A
800
-
-
BVDSS
V
-
1
IDSS
UA
-
-
10
栅源漏电流
-
-
±100
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
gfs
nA
V
栅极开启电压
导通电阻
3
-
-
5
1.9
-
1.4
5
Ω
S
正向跨导(注 3)
输入电容
-
-
1178
133
12
34
35
80
32
50
6.1
28
-
Ciss
VGS = 0 V, VDS = 25 V,
f = 1MHz
输出电容
-
-
Coss
pF
nS
nC
反向传输电容
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
栅极电荷量
-
-
Crss
-
-
td(ON)
tr
-
-
ID = 7 A, VDD = 400 V,
RG= 25Ω(注3,4)
-
-
td(OFF)
tf
-
-
QG
-
-
ID = 7 A, VDD = 640 V,
栅极-源极电荷量
棚极-漏极电荷量
-
-
QGS
VGS = 10 V(注3,4)
QGD
-
-
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N-CHANNEL MOSFET 7N80A
源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
测试条件
符号
IS
最小值
典型值
最大值
单位
A
源极电流
-
-
-
-
-
-
-
7
28
1.4
-
MOS管中源极、漏极构成的
反偏P-N结
源极脉冲电流
ISM
VSD
trr
A
源-漏二极管压降
ISD = 7 A, VGS = 0 V,
-
V
反向恢复时间
320
2.4
nS
uC
ISD = 7 A, VGS = 0 V,
dIF / dt = 100 A/μs(注3)
反向恢复电荷
-
Qrr
（注:）
1. L=25mH,IAS=7A, VDD=50V, RG=25Ω, 开始温度 TJ=25°C
2. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性区线图
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封装外型尺寸图
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