YFW10N60A3-R [YFW]

10A 600V N-channel enhanced field effect transistor;


型号：	YFW10N60A3-R
厂家：	DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD
描述：	10A 600V N-channel enhanced field effect transistor
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N-CHANNEL MOSFET 10N60A

10A 600V N沟道增强型场效应管

主要参数：

I_D

10A

600V

0.75Ω

G.栅极 D.漏极 S.源极

V_DSS

R_DSON-typ(@V_GS=10V)

性能特点：



开关速度快

低导通电阻

低反向传输电容

低栅极电荷量

100%单脉冲雪崩能量测试

提升了dv/dt能力

机械性能：



注塑成型封装

适用任何位置安装

封装材料符合UL 94V-0燃烧防火等级标准

加工焊接峰值最高温度 275°C ；时间丌大于 10s

封装形式: TO-220C, TO-220F, TO-263

产品规格分类：

产品料号

封装形式

TO-220F(0.5mm)

TO-220F(1.3mm)

TO-263

产品印字

包装方式

50PCS每管

800PCS每盘

50PCS每管

YFW10N60A2

YFW10N60A8

YFW10N60A3

YFW10N60A3-R

YFW10N60A9

10N60AF

10N60AS

10N60AC

TO-263

TO-220C

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N-CHANNEL MOSFET 10N60A

极限参数:(除非特殊说明，T_C=25°C)

参数范围

单位

参数名称

符号

220C

220F

263

漏源电压

600

±30

栅源电压

漏极电流-持续（T_C=25°C）

-持续（T_C=100°C）

漏极脉冲电流(注 1)

耗散功率（T_C=25°C）-

-大于25°C每摄氏度减少

单脉冲雪崩能量(注 2)

雪崩电流(注 1)

IDM

143

140

W/°C

m_J

1.14

0.38

700

1.14

重复雪崩电压(注 1)

工作结温范围

m_J

150

°C

贮存温度范围

-55 to +150

2.6

STG

°C

芯片对管壳热阻

0.85

62.5

0.85

62.5

θJC

θJA

°C/W

芯片对环境的热阻

62.5

电气参数:(除非特殊说明，T_C=25°C)

参数名称

测试条件

符号

最小值

典型值

最大值

单位

漏源击穿电压

漏源击穿电流

V_GS= 0 V,I_D= 250 μA

V_DS= 600V, V_GS= 0 V

V_DS= 480 V, T_c=125°C

V_GS= ± 30 V, VDS = 0 V

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= 10 V, I_D= 5 A

600

BV_DSS

I_DSS

栅源漏电流

±100

I_GSS

V_GS(th)

R_DS(on)

gfs

栅极开启电压

导通电阻

0.9

0.75

9.5

1609

136

正向跨导(注3)

输入电容

V_DS= 40 V, I_D= 5 A

C_iss

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V,

f = 1MHz

输出电容

C_oss

反向传输电容

开启延迟时间

开启上升时间

关断延迟时间

关断下降时间

栅极电荷量

C_rss

t_d(ON)

I_D= 10A, V_DD= 300 V,

R_G= 25Ω(注3,4）

t_d(OFF)

t_f

Q_G

I_D= 10 A, V_DD= 480V,

栅极-源极电荷量

棚极-漏极电荷量

Q_GS

V_GS= 10 V(注3,4）

Q_GD

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N-CHANNEL MOSFET 10N60A

源-漏二极管特性参数:(除非特殊说明，T_C=25°C)

参数名称

测试条件

符号

I_S

最小值

典型值

最大值

单位

源极电流

1.4

MOS管中源极、漏极构成的

反偏P-N结

源极脉冲电流

I_SM

V_SD

trr

源-漏二极管压降

I_SD= 10 A,

反向恢复时间

500

I_SD= 10 A, V_GS= 0 V,

dI_F/ dt = 100 A/μs, (注 3)

反向恢复电荷

Qrr

（注:）

1. L=14mH,I_AS=10A, V_DD=50V, R_G=25Ω, 开始温度 T_J=25°C

2. 脉冲测试：脉冲宽度≦300uS,占空比≦2%;

3. 基本上不受工作温度的影响。

典型特性区线图

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封装外型尺寸图

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封装外型尺寸图

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