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N7815-1PH
1A Non-Isolated DC-DC Switching Regulator
MEANWELL
DAC70508ZYZFT
具有精密内部基准电压的真正 14 位、8 通道、SPI、电压输出 DAC，采用微型 WCSP 封装 | YZF | 16 | -40 to 125
TI
MSYSTEM
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TE
MSYSTEM
STC21K28R07
Ceramic SMT 6 Pad Clipped Sinewave (VC)TCXO
SUNTSU
NUC53-VE3D
ARM® Cortex®-M 32-bit Microcontroller
NUVOTON
WALSIN
MSYSTEM
KR-0A-R
Plug-in Signal Conditioners K-UNIT
MSYSTEM
FENGJUI
MSYSTEM
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DRV5011ADYBHR
小尺寸（采用 WCSP 和 X2SON 封装）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 | YBH | 4 | -40 to 125
TI
MSYSTEM
IQE050N08NM5CG
IQE050N08NM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS 或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。
INFINEON
MSYSTEM
SCIM2512S3-R001
SCIM2512S3 Series, Current Sensor Resistor (Lead / Halogen Free)
CYNTEC
TDK
MSYSTEM
LEIDITECH
74HCT273PW
Octal D-type flip-flop with reset; positive-edge triggerProduction
NEXPERIA
LEIDITECH
MSYSTEM
WALSIN
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MSYSTEM
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