1NH41TPA2

更新时间:2024-09-18 14:19:35
品牌:TOSHIBA
描述:DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

1NH41TPA2 概述

DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode 整流二极管

1NH41TPA2 规格参数

生命周期:Lifetime Buy包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.18
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.4 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1NH41TPA2 数据手册

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