概述
规格参数
数据手册TM4100EAD9-60 概述
4MX9 FAST PAGE DRAM MODULE, 60ns, SMA30, SIMM-30 DRAM
TM4100EAD9-60 规格参数
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SIMM | 包装说明： | SIMM, SIM30 |
| 针数： | 30 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.62 | 访问模式： | FAST PAGE |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XSMA-N30 |
| 内存密度： | 37748736 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 30 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | SIMM | 封装等效代码： | SIM30 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 座面最大高度： | 20.447 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.009 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.945 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
TM4100EAD9-60 数据手册
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