TLV3012BQDBVRQ1 [TI]
具有集成基准引脚和推挽输出的汽车类微功耗比较器 | DBV | 6 | -40 to 125;
| 型号： | TLV3012BQDBVRQ1 |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 具有集成基准引脚和推挽输出的汽车类微功耗比较器 | DBV | 6 | -40 to 125 比较器 |
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TLV3011-Q1, TLV3012-Q1, TLV3011B-Q1, TLV3012B-Q1
ZHCS044C –MARCH 2011 –REVISED APRIL 2023
TLV3011-Q1、TLV3012-Q1、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 具有集成1.24V 电压基
准的低功耗比较器
1 特性
3 说明
• 符合汽车应用要求
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性：
TLV3011-Q1 是一款低功耗、开漏输出比较器；
TLV3012-Q1 是一款推挽输出比较器。这两款器件均具
有非限定的片上电压基准，静态电流为 5μA（最大
值），输入共模范围超出电源轨 200mV，单电源电压
范围为 1.8V 至 5.5V。集成的 1.242V 系列电压基准提
供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，在高达 10nF 的
容性负载下保持稳定，并且可以提供高达 0.5mA（典
型值）的输出电流。
– 器件温度等级1：–40°C 至+125°C 环境工作
温度范围
– 器件HBM ESD 分类等级2
– 器件CDM ESD 分类等级C6
• 低静态电流：3.1μA（最大值，“B”版本）
• 集成电压基准：1.242 V
• 输入共模范围：超过电源轨200mV
• 电压基准初始精度：1%
• 失效防护输入（“B”版本）
• 上电复位（“B”版本）
TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1“B”版本添加了上电
复位(POR)、失效防护输入、内置迟滞、1.65V 的较低
最小电源电压和3.1μA 的最大静态电流。
该系列采用微型SOT23-6 和SC-70 两种封装，前者可
实现节省空间的设计，后者可进一步节省电路板面积。
所有版本的额定工作温度范围均为 –40°C 至
+125°C。
• 集成迟滞（“B”版本）
• 开漏输出选项(TLV3011x-Q1)
• 推挽输出选项(TLV3012x-Q1)
• 快速响应时间：6uS
• 低电源电压= 1.65V 至5.5V（“B”版本）
器件信息
封装(1)
封装尺寸（标称值）
器件型号
2 应用
SOT-23 (6)
2.90mm × 1.60mm
TLV3011-Q1、
TLV3012-Q1、
TLV3011B-Q1、
TLV3012B-Q1
• 车道偏离警告
• 仪表组
• 收费标签
SC-70 (6)
2.00mm × 1.25mm
• 资产跟踪
• 电池管理系统
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
3000
9860 Units
VS = 5.5V
No Load
2500
2000
1500
1000
500
0
1.230
1.235
1.240
1.245
1.250
Reference Voltage (V)
TLV3012B-Q1 基准电压与温度间的关系
TLV3012B-Q1 基准电压分布
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 引脚配置和功能................................................................. 3
6 规格................................................................................... 4
6.1 绝对最大额定值仅限TLV3012-Q1 DCK 封装........... 4
6.2 绝对最大额定值- TLV301x-Q1 DBV 封装、
TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 ...................................4
6.3 ESD 等级.................................................................... 4
6.4 热性能信息- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装................. 5
6.5 热性能信息- TLV301x-Q1 DBV 封装、
TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 ...................................5
6.6 建议运行条件.............................................................. 5
6.7 电气特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装.................... 6
6.8 开关特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装.................... 7
6.9 电气特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-
Q1 和TLV3012B-Q1 .................................................... 8
6.10 开关特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-
Q1 和TLV3012B-Q1 .................................................. 10
7 典型特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装.........................11
8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1
和TLV3012B-Q1 ........................................................... 15
9 详细说明.......................................................................... 21
9.1 概述...........................................................................21
9.2 功能方框图................................................................21
9.3 特性说明....................................................................21
9.4 器件功能模式............................................................ 21
10 应用和实施.....................................................................23
10.1 应用信息..................................................................23
10.2 典型应用..................................................................24
10.3 系统示例..................................................................26
10.4 电源相关建议.......................................................... 27
10.5 布局.........................................................................28
11 器件和文档支持..............................................................29
11.1 接收文档更新通知................................................... 29
11.2 支持资源..................................................................29
11.3 商标.........................................................................29
11.4 静电放电警告...........................................................29
11.5 术语表..................................................................... 29
12 机械、封装和可订购信息...............................................29
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision B (August 2022) to Revision C (April 2023)
Page
• 向首页文本和表中添加了TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1................................................................................ 1
Changes from Revision A (June 2019) to Revision B (August 2022)
Page
• 在DBV 和DCK 封装中添加了 TLV3011-Q1.......................................................................................................1
• 在SOT-23 (DBV) 中添加了 TLV3012-Q1...........................................................................................................1
• 为 DBV 封装添加了新表..................................................................................................................................... 1
• 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式.........................................................................................1
Changes from Revision * (March 2011) to Revision A (June 2019)
Page
• 添加了HBM 和CDM ESD 等级和分级等级还添加了 AEC-Q100 器件温度等级................................................1
• 添加了引脚配置和功能部分、ESD 等级表、特性说明部分、器件功能模式、应用和实施部分、电源相关建
议部分、布局部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分.................................................1
• 从数据表中删除了 TLV3011-Q1 器件，并从TLV3012-Q1 器件型号中删除了 A ...............................................1
• 删除了封装订购信息部分................................................................................................................................... 3
• 将开关特性从电气特性表移到开关特性表中..................................................................................................... 7
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5 引脚配置和功能
OUT
V-
1
2
3
6
5
4
V+
REF
IN-
IN+
图5-1. DCK，DBV 封装
6 引脚SC-70、SOT-23
顶视图
表5-1. 引脚功能
引脚
I/O
说明
编号
名称
1
OUT
O
-
比较器输出
2
3
4
5
6
V–
IN+
IN-
负电源（最低）
同相比较器输入
反相比较器输入
基准输出
I
I
REF
V+
O
-
正电源（最高）
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6 规格
6.1 绝对最大额定值仅限TLV3012-Q1 DCK 封装
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)。
最小值
最大值
单位
7
V
电源电压
电压(2)
电流(2)
-0.5
(V+) +0.5
±10
V
信号输入引脚
mA
输出短路(3)
工作温度
结温
持续
-40
125
150
150
°C
°C
°C
TJ
Tstg
–65
贮存温度
(1) 应力超出绝对最大额定值下所列的值可能会对器件造成永久损坏。这些列出的值仅仅是应力等级，这并不表示器件在这些条件下以及在
建议运行条件以外的任何其他条件下能够正常运行。长时间在最大绝对额定条件下运行会影响器件可靠性。
(2) 所有电压值都是以网络接地引脚为基准。
(3) 接地短路
6.2 绝对最大额定值- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
最大值
单位
-0.5
7
V
电源电压：VS = (V+) –(V–)
(V–) 的输入引脚（IN+、IN–）(2)
(V–) 的输出(OUT) (开漏)(3)
(V–) 的输出(OUT) (推挽)
输出短路电流(4)
-0.5
-0.5
-0.5
7
V
V
7
(V+) + 0.5
10
V
mA
°C
°C
150
结温，TJ
-65
150
贮存温度，Tstg
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成永久损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条
件下能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、
功能和性能并缩短器件寿命。
(2) 输入引脚被二极管钳制至(V-)。只要在-0.5V 至7V 范围内，输入（IN+、IN–）就可以大于(V+)。超过-0.3V 的输入必须被限制在少于
-10mA 的电流，而超过7V 的输入必须被外部钳位电压。
(3) 只要在–0.5V 至7V 范围内，开漏输出(OUT) 就可以大于(V+) 和输入（IN+、IN–）
(4) 对(V–) 或(V+) 短路。
6.3 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合AEC Q100-002((1)) 标准
充电器件模型(CDM)，符合AEC Q100-0111
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) AEC Q100-002 指示应当按照ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 规范执行HBM 应力测试。
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6.4 热性能信息- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装
TLV3012-Q1
热指标(1)
DCK (SOT)
单位
6 引脚
RθJA
179.4
141.3
71.2
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
53.6
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
71.0
ψJB
RθJC(bot)
—
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
6.5 热性能信息- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1
TLV3011B-Q1，TLV3012B-Q1
DCK
(SC-70)
DBV
(SOT-23)
热指标(1)
单位
6 引脚
169.8
120.5
63.2
45.9
63.0
-
6 引脚
162.5
78.8
42.1
21.2
41.9
-
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
ψJT
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
ψJB
RθJC(bot)
(1) 更多有关新旧热指标的信息，请参阅半导体和IC 封装热指标报告。
6.6 建议运行条件
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
最小值
最大值
单位
1.8
5.5
V
V
电源电压：VS = (V+) –(V–)
1.65
–0.2
–0.2
–0.2
-40
5.5
(V+)+0.2
(V+)
电源电压：VS = (V+) –(V–)
(V–) 的输入电压范围
B 版本
B 版本
V
V
(V–) 的输出电压范围（对于开漏）
(V–) 的输出电压范围（对于开漏）
环境温度，TA
5.5
V
125
°C
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6.7 电气特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装
TA = 25°C，VS = 1.8V 至5.5V，VOUT = VS，除非另有说明
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
VOS
VCM = 0V，IO = 0V
0.5
±12
100
15
mV
输入失调电压
dVOS/dT
PSRR
TA = –40°C 至+125°C
VS = 1.8V 至5.5V
μV/°C
μV/V
输入失调电压与温度间的关系
电源抑制比
1000
输入偏置电流
IB
VCM = VS/2
VCM = VS/2
±10
±10
pA
pA
输入偏置电流
输入失调电流
IOS
输入电压范围
VCM
(V-)-0.2
60
(V+)+0.2
V
共模电压范围
共模抑制比
74
62
VCM = –0.2V 至(V+) –1.5V
VCM = –0.2V 至(V+) + 0.2V
CMRR
dB
54
输入阻抗
1013 ∥2
1013 ∥4
Ω ∥pF
Ω ∥pF
共模
差分
输出
VOL
VOH
160
90
200
200
mV
mV
VS = 5V，IOUT = –5mA
VS = 5V，IOUT = 5mA
相对于电源轨的电压输出低电平
相对于电源轨的电压输出高电平
请参阅“典型
特性”
短路电流
电压基准
VOUT
1.208
1.242
1.276
±1%
100
1
V
输出电压
初始精度
dVOUT/dT
40
0.36
6.6
ppm/°C
mV/mA
–40°C ≤TA ≤125°C
0mA < ISOURCE ≤0.5mA
0mA < ISINK ≤0.5mA
温度偏漂
负载调节，拉电流
负载调节，灌电流
输出电流
dVOUT
dILOAD
/
ILOAD
0.5
mA
dVOUT/dVIN
噪声
10
100
1.8V ≤VIN ≤5.5V
f = 0.1Hz 至10Hz
μV/V
线路调节
0.2
2.8
mVPP
基准电压噪声
电源
VS
1.8
1.8
5.5
5.5
5
V
V
额定电压
工作电压范围
静态电流
IQ
VS = 5V，VO = 高电平
μA
温度
-40
-65
125
150
°C
°C
工作范围
储存温度
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6.8 开关特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
f = 10kHz，VSTEP = 1V，
输入过驱= 10mV
12
传播延迟时间，从低电平到高电平
传播延迟时间，从低电平到高电平
μs
f = 10kHz，VSTEP = 1V，
输入过驱= 100mV
6
13.5
6.5
f = 10kHz，VSTEP = 1V，
输入过驱= 10mV
μs
f = 10kHz，VSTEP = 1V，
输入过驱= 100mV
tr
tf
CL = 10pF
CL = 10pF
100
100
ns
ns
上升时间
下降时间
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6.9 电气特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = 1.8V 和5.5V，VCM = VS /2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
失调电压
VOS
-6
-9
±0.3
6
9
mV
VCM = (V–)
VCM = (V–)
输入失调电压
输入失调电压
VOS
mV）
TA = –40°C 至+125°C
VCM = (V–)
TA = –40°C 至+125°C
dVIO/dT
±12
100
µV/°C
µV/V
输入失调电压漂移
电源抑制比
VCM = (V–)
VS = 1.8V 至5.5V
TA =–40°C 至+125°C
PSRR
1000
VCM = (V–)
VS = 1.65V 至5.5V
TA = –40°C 至+125°C
电源抑制比（B 版
本）
PSRR
VHYS
100
6
1000
8
µV/V
mV
2
TA=-40°C 至+125°C
输入迟滞电压
输入偏置电流
IB
VCM = VS/2
VCM = VS/2
-10((1))
-10((1))
±4.5
±1
10((1))
10((1))
pA
pA
输入偏置电流
输入失调电流
IOS
输入共模范围
VCM-Range
(V-)-0.2
60
(V+)+0.2
V
VS = 1.8V 至5.5V
共模电压范围
共模抑制比
VCM = (V–) + 1.5V 至(V+) + 0.2V
VS = 5.5V
CMRR
CMRR
74
62
dB
VCM = (V–) - 0.2V 至(V+) + 0.2V
VS = 5.5V
54
dB
共模抑制比
RCM
CIC
1013
2
输入共模电阻
输入共模电容
Ω
pF
输入阻抗
RDM
1013
4
输入差分模式电阻
输入差分模式电容
Ω
CID
pF
输出
VS = 5V
ISINK = 5mA
TA = -40°C 至+125°C
VOL
160
90
200
200
mV
mV
(V–) 的电压摆幅
VS = 5V
ISOURCE = 5mA
TA = –40°C 至+125°C
(V+) 的电压摆幅
（仅适用于推挽）
VOH
电压基准
VOUT
1.223
1.242
±0.25%
40
1.260
±1.5%
100
V
基准电压
精度
dVOUT/dT
TA = –40°C 至+125°C
ppm/℃
温漂
dVOUT
dILOAD
/
0.36
1((1))
mV/mA
负载调节，拉电流 0mA < ISOURCE ≤0.5mA
6.6
0.5
10
mV/mA
mA
负载调节，灌电流 0mA < ISINK ≤0.5mA
ILOAD
输出电流
dVOUT/dVS
100((1))
100((1))
µV/V
1.8V ≤VS ≤5.5V
1.65V ≤VS ≤5.5V
f = 0.1Hz 至10Hz
线路调节
线路调节（B 版
本）
dVOUT/dVS
Vnoise
10
µV/V
0.2
mVPP
噪声
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6.9 电气特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 (continued)
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = 1.8V 和5.5V，VCM = VS /2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
电源
静态电流（每个比
较器）
IQ
2.8
5
7
µA
µA
µA
µA
输出为逻辑高电平
输出为逻辑高电平
静态电流（每个比
较器）
IQ
IQ
IQ
TA = –40°C 至+125°C
每个比较器的静态
电流（B 版本）
2.4
3.1
3.6
输出为逻辑高电平
每个比较器的静态 输出为逻辑高电平
电流（B 版本） TA = –40°C 至+125°C
(1) 由特征确保
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6.10 开关特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = 1.8V 和5.5V，VCM = VS / 2（除非另有说明）
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
输出
f = 10kHz，VSTEP = 1V，VOD = 10mV，CL
传播延迟时间，从低电平到高电
平
TPD-LH
12
6
µs
µs
µs
µs
µs
µs
ns
ns
= 10pF
f = 10kHz，VSTEP = 1V，VOD = 100mV，
CL = 10pF
传播延迟时间，从低电平到高电
平
TPD-LH
TPD-LH
TPD-HL
TPD-HL
TPD-HL
TRISE
传播延迟时间从，低电平到高电 f = 10kHz，VSTEP = 200mV，VOD
=
2
4
4
100mV，CL = 10pF
平（推挽输出，B 版本）
f = 10kHz，VSTEP = 1V，VOD = 10mV，CL
= 10pF
传播延迟时间，从高电平到低电
平
13.5
6.5
2
f = 10kHz，VSTEP = 1V，VOD = 100mV，
CL = 10pF
传播延迟时间，从高电平到低电
平
传播延迟时间，从高电平到低电 f = 10kHz，VSTEP = 200mV，VOD
=
100mV，CL = 10pF
平（B 版本）
输出上升时间，20% 至80%，
推挽输出
CL = 10pF
100
10
输出上升时间，20% 至80%，
推挽输出（B 版本）
TRISE
CL = 10pF
输出上升时间，20% 至80%，
开漏输出
TRISE
TFALL
TFALL
200
100
10
ns
ns
ns
RL= 10kΩ，CL= 10pF
CL = 10pF
输出下降时间，80% 至20%
输出下降时间，80% 至20%
（B 版本）
CL = 10pF
输出下降时间，80% 至20%，
开漏输出
TFALL
200
ns
RL= 10kΩ，CL= 10pF
RL= 10kΩ，CL= 10pF
输出下降时间，80% 至20%，
开漏输出（B 版本）
TFALL
tON
10
ns
1.9
ms
上电时间（B 版本）
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7 典型特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装
TA = 25°C，VS = 1.8V 至5.5V，且输入过驱= 100mV，除非另有说明
3.8
3.6
14
TLV3012
VS = 5 V
12
3.4
3.2
3
10
8
VS = 3 V
2.8
2.6
2.4
2.2
2
6
4
VS = 1.8 V
2
0
1
10
100
1k
10k
100k
-50
-25
0
25
Temperature – °C
图7-1. 静态电流与温度间的关系
50
75
100
100
10
125
125
12
Output Switching Frequency – Hz
图7-2. 静态电流与输出频率间的关系
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
VS = 1.8 V
VS = 3 V
VS = 5 V
0
-5
-50
-25
0
25
Temperature – °C
图7-3. 输入偏置电流与温度间的关系
50
75
0
2
4
6
8
10
12
Output Current – mA
图7-4. 输出低电平与输出电流间的关系
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TLV3012
TLV3012
VDD = 3 V
VDD = 1.8 V
VS = 5 V
VS = 3 V
VS = 1.8 V
VDD = 5 V
0
2
4
6
8
0.01
0.1
1
10
Capacitive Load – nF
图7-6. 传播延迟时间(tPLH) 与容性负载间的关系
100
1k
Output Current – mA
图7-5. 输出高电平与输出电流间的关系
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7 典型特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装(continued)
TA = 25°C，VS = 1.8V 至5.5V，且输入过驱= 100mV，除非另有说明
80
70
60
50
40
30
20
10
0
20
18
16
14
12
10
8
VS = 5 V
VS = 3 V
VS = 5 V
VS = 3 V
VS = 1.8 V
6
VS = 1.8 V
4
0.01
0.1
1
10
100
1k
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Input Overdrive – mV
Capacitive Load – nF
图7-7. 传播延迟时间(tPHL) 与容性负载间的关系
图7-8. 传播延迟时间(tPLH) 与输入过驱间的关系
20
18
16
14
12
10
8
8
7.5
7
VS = 1.8 V
VS = 3 V
6.5
6
VS = 1.8 V
VS = 3 V
5.5
5
VS = 5 V
6
4.5
4
VS = 5 V
4
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Input Overdrive – mV
-50
-25
0
25
Temperature – °C
图7-10. 传播延迟时间(tPLH) 与温度间的关系
50
75
100
125
图7-9. 传播延迟时间(tPHL) 与输入过驱间的关系
8
VS = 2.5 V
7.5
7
VS = 1.8 V
VIN–
VS = 3 V
6.5
6
VIN+
TLV3012
5.5
5
TLV3011
VS = 5 V
VOUT
4.5
4
2 µs/div
图7-12. 传播延迟时间(tPLH
-50
-25
0
25
Temperature – °C
图7-11. 传播延迟时间(tPHL) 与温度间的关系
50
75
100
125
)
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7 典型特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装(continued)
TA = 25°C，VS = 1.8V 至5.5V，且输入过驱= 100mV，除非另有说明
VS = 2.5 V
VS = 0.9 V
VIN+
VIN–
VIN–
VIN+
VOUT
VOUT
2 µs/div
2 µs/div
图7-13. 传播延迟时间(tPHL
)
图7-14. 传播延迟时间(tPLH)
1.24205
1.24200
1.24195
1.24190
1.24185
1.24180
1.24175
1.24170
1.24165
1.24160
VIN+
VS = 0.9 V
VIN–
VOUT
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
2 µs/div
Output Load Current, Sourcing – mA
图7-16. 基准电压与输出负载电流（拉电流）间的关系
1.250
图7-15. 传播延迟时间(tPHL
)
1.250
1.249
1.248
1.247
1.246
1.245
1.244
1.243
1.242
1.241
1.245
1.240
1.235
1.230
1.225
1.220
1.215
1.210
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-100
-50
0
50
Temperature – °C
图7-18. 基准电压与温度间的关系
100
150
Output Load Current, Sinking – mA
图7-17. 基准电压与输出负载电流（灌电流）间的关系
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7 典型特性- 仅限TLV3012-Q1 DCK 封装(continued)
TA = 25°C，VS = 1.8V 至5.5V，且输入过驱= 100mV，除非另有说明
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
140
120
100
80
TLV3012
Sink
60
Source
40
20
0
0
1.5
2
2.5
3
3.5
Supply Voltage – V
图7-19. 短路电流与电源电压间的关系
4
4.5
5
5.5
Reference Voltage – V
图7-20. 基准电压分布
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8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
5000
5000
125°C
25°C
125°C
25°C
3000
2000
3000
2000
Push-Pull Output Only
No Load
-40°C
-40°C
1000
500
1000
500
300
200
300
200
100
50
100
50
30
20
30
20
10
5
10
5
0.001
0.01
0.1 0.2 0.5
1
2 3 5 710 20 50 100
0.001
0.01
0.1 0.2 0.5
1
2 3 5 710 20 50 100
Output Sinking Current (mA)
Output Sourcing Current (mA)
图8-1. 输出摆幅与输出灌电流之间的关系- 1.8V
图8-2. 输出摆幅与输出拉电流之间的关系- 1.8V
5000
5000
125°C
25°C
-40°C
125°C
25°C
-55°C
3000
2000
3000
2000
Push-Pull Output Only
No Load
1000
500
1000
500
300
200
300
200
100
50
100
50
30
20
30
20
10
5
10
5
0.001
0.01
0.1 0.2 0.5
Output Sinking Current (mA)
1
2 3 5 710 20 50 100
0.001
0.01
0.1 0.2 0.5
1
2 3 5 710 20 50 100
Output Sourcing Current (mA)
图8-3. 输出摆幅与输出灌电流之间的关系- 3.3V
图8-4. 输出摆幅与输出拉电流之间的关系- 3.3V
5000
125°C
25°C
3000
2000
Push-Pull Output Only
No Load
-40°C
1000
500
300
200
100
50
30
20
10
5
0.001
0.01
0.1 0.2 0.5
1
2 3 5 710 20 50 100
Output Sourcing Current (mA)
图8-5. 输出摆幅与输出灌电流之间的关系- 5V
图8-6. 输出摆幅与输出拉电流之间的关系- 5V
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8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 (continued)
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.8 V
3.3 V
5 V
125°C
85°C
55°C
25°C
-20°
-40°
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Supply Voltage (V)
图8-7. 电源电流与温度间的关系
图8-8. 电源电流与电源电压间的关系
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
125°C
125°C
85°C
85°C
25°C
25°C
-20°C
-20°C
-40°C
-40°C
-0.2
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2
-0.2
0.3
0.8
1.3
1.8
2.3
2.8
3.3
Input Voltage from V- (V)
Input Voltage from V- (V)
图8-10. 电源电流与共模间的关系- 1.8V
图8-9. 电源电流与共模间的关系- 3.3V
3.50
3.25
3.00
2.75
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
10
1.8V
3.3V
5V
125°C
8
7
6
5
85°C
4
3
25°C
-20°C
2
-40°C
1
-0.2 0.4
1
1.6
2.2
2.8
3.4
4
4.6
5.2
5 6 7 8 10
20 30 40 50 70 100
Overdrive (mV)
200 300 500
Input Voltage from V- (V)
图8-11. 电源电流与共模间的关系- 5V
图8-12. 从高电平到低电平传播延迟时间与过驱间的关系
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8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 (continued)
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
10
1.8V
7
3.3V
5V
5
4
3
2
1
0.7
0.5
5 6 7 8 10
20 30 40 50 70 100
Overdrive (mV)
200 300 500
图8-14. 从高电平到低电平传播延迟时间与温度间的关系
图8-13. 从低电平到高电平传播延迟时间与过驱间的关系
1.8
5V
3.3V
1.8V
VOD = 100mV
1.6
1.4
1.2
1
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
图8-16. 基准电压与温度间的关系
图8-15. 从低电平到高电平传播延迟时间与温度间的关系
1.2400
1.2399
1.2398
1.2397
1.2396
1.2395
1.2394
1.2393
1.2392
1.2410
1.8 V
1.2409
3.3 V
5 V
1.2408
1.2407
1.2406
1.2405
1.2404
1.2403
1.2402
1.2401
1.2400
1.8 V
3.3 V
5 V
1.2391
1.2390
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Refernce Output Sourcing Current (mA)
1
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Refernce Output Sinking Current (mA)
1
图8-17. 基准电压与基准输出拉电流间的关系
图8-18. 基准电压与基准输出灌电流间的关系
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TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
10
10
5V
3.3V
1.8V
5V
3.3V
1.8V
CL = 15pF
RPULLUP = 1M
Pullup current not included
CL = 15pF
8
7
6
8
7
6
5
5
4
3
4
3
2
2
1
1
1
2 345 710 20 50 100200
1000
10000 50000
1
2 345 710 20 50 100200
1000
10000 50000
Toggle Frequency (Hz)
Toggle Frequency (Hz)
图8-19. 电源电流与切换频率间的关系- 开漏输出
图8-20. 电源电流与切换频率间的关系- 推挽输出
7
8.5
8
5V
3.3V
1.8V
125°C
85°C
25°C
-40°C
6.5
6
7.5
7
6.5
6
5.5
5
5.5
5
4.5
4.5
4
-0.2
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2
Input Common Mode Voltage (V)
图8-21. 迟滞电压与温度之间的关系
图8-22. 迟滞电压与共模间的关系，1.8V
8.5
8
125°C
85°C
25°C
-40°C
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
-0.2
0.3
0.8
1.3
1.8
2.3
2.8
3.3
Input Common Mode Voltage (V)
图8-24. 迟滞电压与共模间的关系，5V
图8-23. 迟滞电压与共模间的关系，3.3V
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8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 (continued)
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
8
7.5
7
3
2.5
2
125°C
85°C
25°C
7 Individual Units
VS = 1.8V
-55°C
1.5
1
0.5
0
6.5
6
-0.5
-1
5.5
5
-1.5
-2
-2.5
-3
4.5
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
Temperature (°C)
Supply Voltage (V)
图8-26. 失调电压与温度间的关系，1.8V
图8-25. 迟滞电压与电源电压间的关系
3
2.5
2
7 Individual Units
VS = 3.3V
1.5
1
0.5
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-40 -25 -10
5
20 35 50 65 80 95 110 125
Temperature (°C)
图8-27. 失调电压与温度间的关系，3.3V
图8-28. 失调电压与温度间的关系，5V
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
-3.00
VS = 5V, TA = 25°C
7 Individual Units
-0.2
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2
Common Mode Voltage (V)
图8-29. 失调电压与共模电压间的关系，1.8V
图8-30. 失调电压与共模电压间的关系，3.3V
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8 典型特性- TLV301x-Q1 DBV 封装、TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 (continued)
TA = 25°C，VS（总电源电压）= (V+) –(V–) = +5V，VCM = VS /2，RPULLUP = 1MΩ至V+，CL = 15pF，VOD = 100mV，除
非另有说明。
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
-3.00
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
-3.00
VS = 5V, TA = 25°C
7 Individual Units
VS = 5V, TA = 125°C
7 Individual Units
-0.2 0.4
1
1.6
2.2
2.8
3.4
4
4.6
5.2
1.5
2.1
2.7
3.3
3.9
4.5
5.1 5.5
Common Mode Voltage (V)
Supply Voltage (V)
图8-31. 失调电压与共模电压间的关系，5V
图8-32. 失调电压与电源电压间的关系，125°C
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
-3.00
3.00
2.50
2.00
1.50
1.00
0.50
0.00
-0.50
-1.00
-1.50
-2.00
-2.50
-3.00
TA = -40°C
7 Individual Units
VS = 5V, TA = 25°C
7 Individual Units
1.5
2.1
2.7
3.3
3.9
4.5 5.1 5.5
1.5
2.1
2.7
3.3
3.9
4.5
5.1 5.5
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
图8-34. 失调电压与电源电压间的关系，-40°C
图8-33. 失调电压与电源电压间的关系，25°C
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9 详细说明
9.1 概述
TLV301xB-Q1 是一款具有集成基准的微功耗比较器，非常适合紧凑型低电流精密电压检测应用。TLV301xB-Q1
具有 1.242V 的高精度内部基准电压和 3.1uA 的静态电流，使功耗敏感型系统能够监测故障情况并快速做出响
应。
9.2 功能方框图
V+
+
IN+
OUT
IN-
REF
1.242V
Reference
+
V-
9.3 特性说明
TLV301x-Q1 包含一个具有开漏或推挽输出选项的轨到轨输入比较器和一个外部可用的电压基准。
9.4 器件功能模式
TLV301x-Q1 要求比较器输出的工作电压介于 1.8V 至 5.5V 之间，以反映施加到输入端的电压。同样，基准输出
(REF) 也将在相同的工作电压范围内有效。“B”版本增加了迟滞、上电复位、失效防护输入和1.65V 最小电源电
压。
9.4.1 开漏输出（TLV3011-Q1 和TLV3011B-Q1）
TLV3011-Q1 具有开漏（仅灌电流）输出，允许通过单个上拉电阻器驱动多个器件以实现或功能，因此 TLV3011-
Q1 适用于逻辑应用。当输出处于低电平状态时，由于汲取额外的电流，上拉电阻器的值和使用的电源电压将影响
电流消耗。这种影响可以在“静态电流与输出开关频率间的关系”典型曲线中看到。
对于TLV3011-Q1，上拉电压必须小于或等于V+ 电源电压(VPULLUP ≤V+)。
无论电源电压如何，TLV3011B-Q1 均可上拉至任何高达5.5V 的电压。
9.4.2 推挽输出（TLV3012-Q1 和TLV3012B-Q1）
TLV3012-Q1 具有“推挽”输出，既能灌入电流，也能拉出电流。推挽输出级无需上拉电阻器，并且不具有击穿
电流，因此非常适合功率预算较低的应用。请勿将推挽输出端连接在一起。
9.4.3 电压基准
集成的 1.242V 电压基准在一个单独的输出引脚上提供 100ppm/°C（最大值）的低温漂，此引脚允许使用外部分
压器或者为其他外部电路提供基准电压。该基准与高达 10nF 的容性负载搭配使用时可保持稳定，并且可灌入/拉
出高达500µA（典型值）的输出电流。
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9.4.4 TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 失效防护输入
TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 输入可实现高达 5.5V 的失效防护，与V+ 电压无关。失效防护定义为当 V+ 未上
电或在建议的工作范围内时保持相同的高输入阻抗。
失效防护输入可以是 0V 至5.5V 之间的任意值，即使在 V+ 为零或上升/下降时也是如此。只要输入电压范围和电
源电压在指定范围内，该特性就能够避免电源时序问题。之所以如此，是因为输入未钳位到 V+，即使在输入端施
加更高电压，输入电流也会保持其电流值。
只要其中一个输入引脚保持在有效输入范围内，并且电源电压有效，不处于POR 状态，输出状态就会是正确的。
以下是TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 器件输入电压偏移及其结果的汇总：
1. 当IN- 和IN+ 都在指定的输入电压范围内时：
a. 如果IN- 高于IN+ 和失调电压，则输出为低电平。
b. 如果IN- 低于IN+ 和失调电压，则输出为高电平。
2. 当IN- 高于指定的输入电压范围，而IN+ 在指定的电压范围内时，输出为低电平。
3. 当IN+ 高于指定的输入电压范围，而IN- 在指定的输入电压范围内时，输出为高电平
4. 当IN- 和IN+ 均不在指定的输入电压范围内时，输出状态为不确定（随机）。请勿在此区域中运行。
由于输入端没有到达V+ 的上部ESD 二极管钳位，因此如果源极可能超过 5.5V，则必须从外部将输入电压钳位到
5.5V 以下。在输入瞬态情况下，还建议使用与输入端串联的限流电阻器。
9.4.5 TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 上电复位
TLV3011B-Q1 和 TLV3012B-Q1 具有用于启动或断电条件已知的内部上电复位 (POR) 电路。当电源 (V+) 上升或
下降时，POR 电路将在超过最小电源电压阈值后激活长达 1.9ms，在电源电压降至最小电源电压以下时立即激
活。当电源电压大于等于最小电源电压时，经过延迟周期后，比较器输出将反映差分输入的状态 (VID)。该延迟足
够长，可使基准输出在高达10nF 的容性负载下保持稳定。
在POR 期间(Ton)，输出将如下：
• 开漏输出TLV3011B-Q1 将为高电平(Hi-Z)。
• 推挽输出TLV3012B-Q1 将为低电平（灌电流）。
Power On Reset Time (tON
)
0V
+1.5V
VS
V
/ 2
OH
V
OL
OUT
图9-1. 推挽输出的上电复位示例时序图
请注意，集电极开路输出的性质是，在高阻态POR 期间，输出将随着上拉电压而上升。
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10 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于TI 器件规格的范围，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客 户应负责确定
器件是否适用于其应用。客户应验证并测试其设计，以确保系统功能。
10.1 应用信息
TLV301x-Q1 和TLV301xB-Q1 比较器系列具有片上1.242V 系列基准，可选择开漏或推挽输出级。
2.4μA 的典型电源电流和小型封装与 1.65V 的电源要求相结合，使 TLV301xB-Q1 器件成为电池和便携式设计的
理想选择。
图10-1 显示了TLV3012-Q1 器件的典型连接。
V+
0.01 µF
10 µF
4
3
6
VIN–
1
VOUT
TLV3012-Q1
V–
VIN+
2
5
REF
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图10-1. 基本连接
10.1.1 外部迟滞
比较器输入在指定的失调电压范围内没有抗噪能力。对于有噪声的输入信号，当输入信号通过开关阈值时，比较
器输出可能会显示多个开关。TLV3012-Q1 器件的典型比较器阈值为±0.5mV。为了防止在TLV3012-Q1 器件的比
较器阈值内进行多次开关，可通过将少量反馈连接到正输入来增加外部迟滞。图10-2 显示了用于引入迟滞的典型
拓扑，如方程式1 所述。
V+ × R1
VHYST
=
R1 + R2
(1)
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V+
5 V
VIN
–
VOUT
TLV3012-Q1
+
REF
R2
560 kΩ
R1
39 kΩ
VHYST = 0.38 V
VREF
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图10-2. 添加迟滞
V
HYST 电压通过提高阈值区域来设置切换比较器输出所需的转换电压值，从而降低对噪声的敏感度。
10.1.2 TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 迟滞
TLV3011B-Q1 和TLV3012B-Q1 的内置迟滞典型值为6mV。仍然可以添加外部迟滞，如上一节所述。
10.2 典型应用
10.2.1 欠压检测
通常需要进行欠压检测，以提醒系统电池电压已降至可用电压电平以下。图 23 显示了一个使用 TLV3012-Q1 的
简单欠压检测电路，该电路配置为具有集成1.242V 基准电压的同相比较器，从外部连接到反相输入引脚(IN-)。
VBAT
R1
V+
+
t
ALERT
1.242V
Micro-
controller
R2
TLV3012-Q1
图10-3. 欠压检测
10.2.1.1 设计要求
对于此设计，请遵循以下设计要求：
• 由为微控制器供电的电源供电。
• 欠压警报低电平有效。
• 当VBAT 小于2.0V 时输出逻辑低电平。
10.2.1.2 详细设计过程
如图 10-3 所示配置电路。将 (V+) 连接至 VBAT，此电压也为微控制器供电。电阻 R1 和 R2 会产生 2.0V 的欠压警
报电平。当电池电压降至 2.0V 时，电阻分压器电压将超过 VREF，即 TLV3012-Q1 的 1.242V 基准阈值。这会导
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致比较器输出从逻辑高电平转换为逻辑低电平。选择 TLV3012-Q1 的推挽输出是因为比较器工作电压与接收欠压
警报信号的微控制器共享。
方程式2 是根据对图10-3 的分析得到的。
(2)
其中
• R1 和R2 是连接到IN+ 的电阻分压器的电阻值
• VBAT 是被监视是否存在欠压情况的电压源。
• VREF 是下降沿阈值，在达到此阈值时，比较器输出状态从高电平变为低电平
变换方程式2 以求R1 可得到方程式3。
(3)
对于使用TLV3012-Q1 进行2.0V 的特定欠压检测，将计算以下结果。
(4)
其中
• R2 设置为1MΩ
• VBAT 设置为2.0V
• VREF 设置为1.242V
选择 RTOTAL (R1 + R2)，使流经分压器的电流至少比输入偏置电流 (IBIAS) 高 100 倍。电阻器可以具有高值，以更
大程度地减小电路中的电流消耗，而不会使电阻分压器的误差显著增加。
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10.2.1.3 应用曲线
T
2.00
IN+ (V)
1.242
0.00
3.30
VBAT (V)
2.00
0.00
3.30
OUT (V)
0.00
1.30
1.45
1.60
1.75
1.90
2.05
2.20
Time (s)
图10-4.
10.3 系统示例
10.3.1 上电复位
图 10-5 中显示的复位电路为 MSP430™ 微控制器提供了延时复位释放。电路的运行基于电源电压的稳定时间常
数，而不是基于预先确定的电压值。负输入是由内部电压基准生成的基准电压。正输入是提供上电延迟的 RC 电
路。加电时，比较器的输出为低电平，使处理器保持在复位状态。只有在电源电压稳定后，比较器的正输入才会
高于负输入，从而产生高输出状态，释放处理器以便进行操作。电源电压所需的稳定时间可通过选择 RC 元件值
来调节。在电路的这一部分使用较低值的电阻器不会增加流耗，这是因为电源稳定后，没有电流流经RC 电路。
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V+
R1
1 MΩ
DI
MSP430™
+
C1
10 nF
TLV3012-Q1
–
RESET
1.242 V
REF
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图10-5. TLV3012-Q1 配置为MSP430™ 微控制器的上电复位电路
所需的复位延迟取决于系统电源的上电特性。选择R1 和C1 可使电源有足够的时间稳定。D1 在断电时提供快速复
位。在此示例中，R1 × C1 时间常数为10ms。
10.3.2 张弛振荡器
TLV3012-Q1 器件可配置为张弛振荡器，以提供简单且经济的时钟输出（请参阅图 10-6）。电容器的充电速率为
T = 0.69RC，放电速率为0.69RC。因此，周期为T = 1.38RC。R1 的值可能与R2 不同。
VC
2/3 (V+)
1/3 (V+)
t
T1 T2
V+
V+
C
R1
1000 pF
1 MΩ
VOUT
TLV3012-Q1
t
R2
R2
1 MΩ
F = 724 Hz
1 MΩ
V+
R2
1 MΩ
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图10-6. TLV3012-Q1 配置为张弛振荡器
10.4 电源相关建议
TLV3012-Q1 的建议工作电压范围(VS) 为1.8V 至5.5V。VS 定义为(V+) –(V-)。因此，用于产生VS 的电源电压
可以是单端或双极的。例如，5V 和0V 的单端电源电压以及+2.5V 和–2.5V 的双极电源电压可为VS 创造相当的
工作电压。然而，当使用双极电源电压时，必须意识到比较器输出的基准 (REF) 和逻辑低电平以 (V-) 为基准。输
出容性负载和输出触发速率将导致平均电源电流上升到超过EC 表中的静态电流。
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10.5 布局
10.5.1 布局指南
为了尽可能降低电源噪声，电源应通过 0.1μF 陶瓷电容器进行电容去耦。比较器对输入噪声很敏感，正确接地
（使用接地层）、电源旁路和高阻抗节点保护等预防措施可更大限度地降低噪声的影响并有助于确保指定的性
能。
10.5.2 布局示例
C1
GND
V
S
OUT
V-
OUT
V+
REF
IN-
GND
IN+
VIN
SOT-23
GND
R1
R2
图10-7. 布局示例
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11 器件和文档支持
11.1 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.2 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
11.3 商标
MSP430™ is a trademark of Texas Instruments.
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
11.4 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
11.5 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
12 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
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Product Folder Links: TLV3011-Q1 TLV3012-Q1 TLV3011B-Q1 TLV3012B-Q1
English Data Sheet: SBOS551
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
21-Apr-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
TLV3011AQDBVRQ1
TLV3011AQDCKRQ1
TLV3011BQDBVRQ1
TLV3011BQDCKRQ1
TLV3012AQDBVRQ1
TLV3012AQDCKRQ1
TLV3012BQDBVRQ1
TLV3012BQDCKRQ1
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
ACTIVE
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DBV
DCK
DBV
DCK
DBV
DCK
6
6
6
6
6
6
6
6
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
3000 RoHS & Green
NIPDAU
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
Level-1-260C-UNLIM
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
-40 to 125
2Q7F
1M6
31IF
1O6
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
Samples
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
NIPDAU
SOT-23
SC70
SOT-23
SC70
2Q8F
BPF
31JF
1O7
SOT-23
SC70
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
www.ti.com
21-Apr-2023
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF TLV3011-Q1, TLV3011B-Q1, TLV3012-Q1, TLV3012B-Q1 :
Catalog : TLV3011, TLV3011B, TLV3012, TLV3012B
•
Enhanced Product : TLV3011-EP
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Enhanced Product - Supports Defense, Aerospace and Medical Applications
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
22-Apr-2023
TAPE AND REEL INFORMATION
REEL DIMENSIONS
TAPE DIMENSIONS
K0
P1
W
B0
Reel
Diameter
Cavity
A0
A0 Dimension designed to accommodate the component width
B0 Dimension designed to accommodate the component length
K0 Dimension designed to accommodate the component thickness
Overall width of the carrier tape
W
P1 Pitch between successive cavity centers
Reel Width (W1)
QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE
Sprocket Holes
Q1 Q2
Q3 Q4
Q1 Q2
Q3 Q4
User Direction of Feed
Pocket Quadrants
*All dimensions are nominal
Device
Package Package Pins
Type Drawing
SPQ
Reel
Reel
A0
B0
K0
P1
W
Pin1
Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant
(mm) W1 (mm)
TLV3011AQDBVRQ1
TLV3011AQDCKRQ1
TLV3011BQDBVRQ1
TLV3011BQDCKRQ1
TLV3012AQDCKRQ1
TLV3012BQDBVRQ1
TLV3012BQDCKRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DBV
DCK
DCK
DBV
DCK
6
6
6
6
6
6
6
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
180.0
178.0
180.0
178.0
179.0
180.0
178.0
8.4
9.0
8.4
9.0
8.4
8.4
9.0
3.2
2.4
3.2
2.4
2.2
3.2
2.4
3.2
2.5
3.2
2.5
2.5
3.2
2.5
1.4
1.2
1.4
1.2
1.2
1.4
1.2
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
Q3
SOT-23
SC70
SC70
SOT-23
SC70
Pack Materials-Page 1
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
22-Apr-2023
TAPE AND REEL BOX DIMENSIONS
Width (mm)
H
W
L
*All dimensions are nominal
Device
Package Type Package Drawing Pins
SPQ
Length (mm) Width (mm) Height (mm)
TLV3011AQDBVRQ1
TLV3011AQDCKRQ1
TLV3011BQDBVRQ1
TLV3011BQDCKRQ1
TLV3012AQDCKRQ1
TLV3012BQDBVRQ1
TLV3012BQDCKRQ1
SOT-23
SC70
DBV
DCK
DBV
DCK
DCK
DBV
DCK
6
6
6
6
6
6
6
3000
3000
3000
3000
3000
3000
3000
210.0
180.0
210.0
180.0
200.0
210.0
180.0
185.0
180.0
185.0
180.0
183.0
185.0
180.0
35.0
18.0
35.0
18.0
25.0
35.0
18.0
SOT-23
SC70
SC70
SOT-23
SC70
Pack Materials-Page 2
PACKAGE OUTLINE
DBV0006A
SOT-23 - 1.45 mm max height
S
C
A
L
E
4
.
0
0
0
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
C
3.0
2.6
0.1 C
1.75
1.45
B
1.45 MAX
A
PIN 1
INDEX AREA
1
2
6
5
2X 0.95
1.9
3.05
2.75
4
3
0.50
6X
0.25
C A B
0.15
0.00
0.2
(1.1)
TYP
0.25
GAGE PLANE
0.22
0.08
TYP
8
TYP
0
0.6
0.3
TYP
SEATING PLANE
4214840/C 06/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. Body dimensions do not include mold flash or protrusion. Mold flash and protrusion shall not exceed 0.25 per side.
4. Leads 1,2,3 may be wider than leads 4,5,6 for package orientation.
5. Refernce JEDEC MO-178.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
DBV0006A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
6X (1.1)
1
6X (0.6)
6
SYMM
5
2
3
2X (0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:15X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL UNDER
SOLDER MASK
METAL
EXPOSED METAL
EXPOSED METAL
0.07 MIN
ARROUND
0.07 MAX
ARROUND
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK
DEFINED
(PREFERRED)
SOLDER MASK DETAILS
4214840/C 06/2021
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
www.ti.com
EXAMPLE STENCIL DESIGN
DBV0006A
SOT-23 - 1.45 mm max height
SMALL OUTLINE TRANSISTOR
PKG
6X (1.1)
1
6X (0.6)
6
SYMM
5
2
3
2X(0.95)
4
(R0.05) TYP
(2.6)
SOLDER PASTE EXAMPLE
BASED ON 0.125 mm THICK STENCIL
SCALE:15X
4214840/C 06/2021
NOTES: (continued)
8. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
9. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
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TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号：
TLV3012BQDCKRQ1
具有集成基准引脚和推挽输出的汽车类微功耗比较器 | DCK | 6 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313
单路、5.5V、1MHz、低静态电流 (65μA)、RRIO 运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313-Q1
汽车级、单路、5.5V、1MHz、RRIO 运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313IDBVR
Single, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313IDBVT
Single, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313IDCKR
Single, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DCK | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313IDCKT
Single, 5.5-V, 1-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DCK | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313QDCKRQ1
Automotive-grade, single, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier | DCK | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV313QDCKTQ1
Automotive-grade, single, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier | DCK | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV314
单路、5.5V、3MHz、低静态电流 (65μA)、RRIO 运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TLV314-Q1
汽车级、单路、5.5V、3MHz、低静态电流 (65μA)、RRIO 运算放大器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TI
TLV314IDBVR
Single, 5.5-V, 3-MHz, low quiescent current (65-μA), RRIO operational amplifier | DBV | 5 | -40 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
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