概述
规格参数
数据手册NM24C04FN 概述
512X8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 EEPROM
NM24C04FN 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP8,.3 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | 16 BYTE PAGE WRITE; WRITE PROTECT; DATA RETENTION>40 YEARS | 最大时钟频率 (fCLK)： | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值： | 40 | 耐久性： | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节： | 1010DDMR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 9.817 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 512X8 | 输出特性： | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP8,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | SERIAL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 串行总线类型： | I2C |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.001 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms | Base Number Matches： | 1 |
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