元器件型号: | 3N156A |
生产厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述和应用: | 30mA, 35V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72 斩波器 晶体管 |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:131K) |
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型号参数:3N156A参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | TEXAS INSTRUMENTS INC |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
HTS代码 | 8541.21.00.95 |
风险等级 | 5.92 |
外壳连接 | SUBSTRATE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 35 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.03 A |
最大漏极电流 (ID) | 0.03 A |
最大漏源导通电阻 | 300 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss) | 1.3 pF |
JEDEC-95代码 | TO-72 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 0.3 W |
认证状态 | Not Qualified |
子类别 | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | CHOPPER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
30mA, 35V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-72
斩波器 晶体管