元器件型号: | 1N5722 |
生产厂家: | TEXAS INSTRUMENTS |
描述和应用: | N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS |
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型号参数:1N5722参数 | |
生命周期 | Obsolete |
IHS 制造商 | TEXAS INSTRUMENTS INC |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.84 |
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min | 50 V |
配置 | SINGLE |
最大暗电源 | 25 nA |
红外线范围 | YES |
标称光电流 | 0.5 mA |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量 | 1 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -60 °C |
光电设备类型 | PHOTO TRANSISTOR |
峰值波长 | 900 nm |
最大功率耗散 | 0.05 W |
最长响应时间 | 0.0000015 s |
形状 | ROUND |
子类别 | Photo Transistors |
表面贴装 | NO |
Base Number Matches | 1 |
N-P-N PLANAR SILICON PHOTOTRANSISTORS
N-P -N平面硅光电晶体管