1M7814-40DLG4 [TI]

64 x 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY; 64 ×18选通的先入先出存储器
1M7814-40DLG4
元器件型号: 1M7814-40DLG4
生产厂家: TEXAS INSTRUMENTS    TEXAS INSTRUMENTS
描述和应用:

64 x 18 STROBED FIRST-IN, FIRST-OUT MEMORY
64 ×18选通的先入先出存储器

存储 内存集成电路 光电二极管 先进先出芯片 时钟
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型号参数:1M7814-40DLG4参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商TEXAS INSTRUMENTS INC
零件包装代码SSOP
包装说明0.300 INCH, 0.635 MM PITCH, GREEN, PLASTIC, SSOP-56
针数56
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8542.32.00.71
风险等级5.73
Is SamacsysN
最长访问时间20 ns
最大时钟频率 (fCLK)50 MHz
周期时间40 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G56
JESD-609代码e4
长度18.415 mm
内存密度1152 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量56
字数64 words
字数代码64
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64X18
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SSOP
封装等效代码SSOP56,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.79 mm
子类别FIFOs
最大压摆率0.0004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.5 mm
Base Number Matches1