IMZA65R072M1H
CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。 IMZA65R107M1H 650V CoolSiC™ MOSFET 基于先进的沟槽半导体技术,并经过优化,在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低损耗,并在运行中实现最佳可靠性。
半导体
INFINEON
LM2679S-3.3/NOPB
具有可调节电流限制功能的 SIMPLE SWITCHER® 8V 至 40V、5A 降压直流/直流开关稳压器 | KTW | 7 | -40 to 125
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