2N7000 [STMICROELECTRONICS]

N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET; N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET
2N7000
元器件型号: 2N7000
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET
N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET

晶体 小信号场效应晶体管 开关
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型号参数:2N7000参数
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
生命周期Obsolete
IHS 制造商STMICROELECTRONICS
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
风险等级5.51
其他特性LOW THRESHOLD
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.35 A
最大漏极电流 (ID)0.35 A
最大漏源导通电阻5.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1 W
认证状态Not Qualified
子类别FET General Purpose Power
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1