2N7000G [STMICROELECTRONICS]

N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET; N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET
2N7000G
元器件型号: 2N7000G
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET
N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET

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型号参数:2N7000G参数
生命周期Obsolete
IHS 制造商VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
HTS代码8541.21.00.95
风险等级5.82
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)0.3 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-226AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON