元器件型号: | 2N6039 |
生产厂家: | STMICROELECTRONICS |
描述和应用: | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
PDF文件: | 总6页 (文件大小:246K) |
下载文档: | 下载PDF数据表文档文件 |
型号参数:2N6039参数 | |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
风险等级 | 5.83 |
最大集电极电流 (IC) | 4 A |
集电极-发射极最大电压 | 80 V |
配置 | DARLINGTON |
最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
JEDEC-95代码 | TO-126 |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 25 MHz |
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
互补硅功率达林顿晶体管