2N2102 [STMICROELECTRONICS]

EPITAXIAL PLANAR NPN; 外延平面NPN
2N2102
元器件型号: 2N2102
生产厂家: STMICROELECTRONICS    STMICROELECTRONICS
描述和应用:

EPITAXIAL PLANAR NPN
外延平面NPN

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型号参数:2N2102参数
是否Rohs认证 不符合
生命周期Active
IHS 制造商CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Reach Compliance Codeunknown
风险等级5.75
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量15 pF
集电极-发射极最大电压65 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值1 W
最大功率耗散 (Abs)5 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)60 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1