元器件型号: | 2N2102 |
生产厂家: | STMICROELECTRONICS |
描述和应用: | EPITAXIAL PLANAR NPN |
PDF文件: | 总4页 (文件大小:48K) |
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型号参数:2N2102参数 | |
是否Rohs认证 | 不符合 |
生命周期 | Active |
IHS 制造商 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
Reach Compliance Code | unknown |
风险等级 | 5.75 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
基于收集器的最大容量 | 15 pF |
集电极-发射极最大电压 | 65 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
功耗环境最大值 | 1 W |
最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 60 MHz |
VCEsat-Max | 0.5 V |
Base Number Matches | 1 |