MB84VD22386EJ-85-PBS

更新时间:2024-09-18 02:00:20
品牌:SPANSION
描述:32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM

MB84VD22386EJ-85-PBS 概述

32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM 32M ( X16 )闪存16M ( X16 ) SRAM接口FCRAM 其他内存集成电路

MB84VD22386EJ-85-PBS 规格参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA71,8X12,32
针数:71Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.28
Is Samacsys:N最长访问时间:85 ns
其他特性:FCRAM IS ORGANIZED AS 1M X 16; IT ALSO REQUIRES 2.7V TO 3.1V SUPPLY FOR FCRAMJESD-30 代码:R-PBGA-B71
JESD-609代码:e0长度:11 mm
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16混合内存类型:FLASH+PSRAM
功能数量:1端子数量:71
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA71,8X12,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.000005 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.053 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:TIN LEAD端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:7 mm
Base Number Matches:1

MB84VD22386EJ-85-PBS 数据手册

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