SD2350D50B [SHOUDING]
DC/DC Booster chip;型号: | SD2350D50B |
厂家: | SHOUDING Shouding Semiconductor |
描述: | DC/DC Booster chip |
文件: | 总9页 (文件大小:1246K) |
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Shouding
系列
DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
一、 概述
SD2350D系列芯片是采用 CMOS 工艺制造的静态电流极低的 VFM 开关型 DC/DC 升压转换器。
该芯片由振荡器、VFM 模式控制电路、Lx 开关驱动晶体管、基准电压单元、误差比较放大器、电压
采样电阻及 VLX 限幅电路等组成。
SD2350D
系列升压转换器采用变频的方式,因此较国内外同类产品具有更低的纹波、更强的驱动能力、
效率高等特点,应用时外围只需接三个元件(电感、电容及二极管各一个)。
SD2350D输入电压最低 0.8V,并且可以根据要求调整输出电压 3V—6V 可选。
二、 芯片特性及主要参数
该设计产品SD2350D系列 DC/DC 升压转换器芯片在应用中具有优越的性能:
1. 外接元件少:
需肖特基管、电感及电容各一个;外接元件建议选择: 低直流电阻电感 20~220μH,钽电容 47~
200μF,肖特基二极管。
2. 极低的静态电流: 4uA
3. 低噪声及低纹波: 纹波典型值为 100mV
4. 驱动能力强:
Vtyp=3.3V, Vin=1.0V 时,Iout=100mA
Vtyp=3.3V, Vin=3.0V 时,Iout=750mA
5. 启动工作电压低:最大 0.8V
6. 高效率:
7. 封装体积小:
三、 应用范围
85%(Typ)
SOT89-3 , SO 23-3
系列芯片适用于要求大驱动能力、低静态电流、低电磁辐射的电池供电设备:
SD2350D
1、电池供电设备的电源部分。
2、玩具、照相机、摄像机、PDA 及手持电话等便携式设备的电源部分。
3、要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分。
四、 点命名规则
内置 MOS 管命名:
外置 MOS 管命名:
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
五、 芯片模型及引脚介绍
本设计芯片封装样式如下图,其引脚说明亦如下表所示
引脚说明:
Vss:接地引脚
封装
Lx:开关引脚(或 Ext 外置 Tr)
OUT:升压输出引脚
PIN3
PIN1
Vss
PIN2
OUT
SOT89
Lx(Ext)
OUT
Vss
SOT23(窄体,见封装
结构尺寸)
Lx(Ext)
六、 极限参数
对地输入电压 VIN
输出电流 Iout
功耗 Pd
10V
800mA
SOT-23
0.25W
0.50
SOT-89
工作温度 TA
导线焊接温度(10 秒)
-40℃~145℃
260℃
七、 工作原理
利用电感对能量的存储,并通过其与输入端电源共同的泄放作用,从而获得高于输入电压的输出电压。
如图:
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
八、 电性能参数
其主要参数测试如下表:
测试条件:VIN=2.2V,Vss=0V,Iload=10mA,Topt= 25℃,Cout=100 µF(胆电容或使用 100uF 电解电容和
0 1uF. -1uF 陶瓷电容并联),L= 47 µH(内阻 0.1 欧姆)。有特别说明除外。
(电路见图一):
SD2350D30
参数
符号
Vout
Vstart
测试状态
最小值
2.925
0.5
典型值
3.000
0.8
最大值
3.075
0.9
单位
V
V
输出电压
开启电压
IL=1mA
VIN:0→0.98V
IL=1mA
Vhold
0.3
0.5
0.6
V
保持电压
VIN:0.98→0V
IIN1
IIN2
ILX
6
2
10
4
450
25
8
µA
µA
mA
µA
kHz
%
无负载输入电流
静态输入电流
开关管导通电流
开关管漏电流
振荡频率
VIN=2.2V 空载
VLX=0.4V
VLX=6V
ILxleak
FOSC
Dty
η
1
250
150
200
80
85
占空比
%
效率
SD2350D33
参数
符号
Vout
Vstart
测试状态
最小值
3.217
0.5
典型值
3.300
0.8
最大值
3.383
0.9
单位
V
V
输出电压
IL=1mA
开启电压
VIN:0→0.98V
IL=1mA
Vhold
0.3
0.5
0.6
V
保持电压
VIN:0.98→0V
VIN=2.2V 空载
IIN1
IIN2
ILX
8
2
10
4
450
25
8
µA
µA
mA
µA
kHz
%
无负载输入电流
静态输入电流
开关管导通电流
开关管漏电流
振荡频率
VLX=0.4V
VLX=6V
ILxleak
FOSC
Dty
η
1
250
150
200
80
85
占空比
%
效率
3
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
SD2350D50:
参数
符号
Vout
Vstart
测试状态
最小值
4.875
0.5
典型值
5.000
0.8
最大值
5.125
0.9
单位
V
V
输出电压
开启电压
IL=1mA
VIN:0→0.98V
IL=1mA
Vhold
0.5
0.6
V
保持电压
VIN:0.98→0V
IIN1
IIN2
8
2
15
4
25
8
µA
µA
mA
µA
kHz
%
无负载输入电流
静态输入电流
开关管导通电流
开关管漏电流
振荡频率
VIN=2.2V 空载
ILX
VLX=0.4V
VLX=6V
570
ILxleak
FOSC
Dty
η
1
150
200
80
85
250
占空比
%
效率
SD2350D56F(: 电路见图二):
参数
输出电压
符号
Vout
IIN1
测试状态
最小值
典型值
5.600
15
最大值
5.740
25
单位
V
5.460
8
1
µA
µA
无负载输入电流
静态输入电流
CMOS 驱动输出管
导通电流
VIN=2.2V 空载
IIN2
4
8
IEXT N
IEXT P
VDS=0.4V
VDS=-0.4V
22
20
mA
mA
FOSC
Dty
150
200
80
250
kHz
%
振荡频率
占空比
工作特性曲线如下:
测试条件:L=47uH(内阻 0.1 欧姆) Cout=100uF(胆电容或使用 100uF 电解电容和 0.1uF-1uF 陶瓷电容并联)
SD2350D33
SD2350D30
4
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
SD2350D50
以SD2350D30 例:
九、
系列升压芯片应用实例
SD2350D
典型应用电路:
L=47uH(内阻 0.1ohm)、 Cout=100uF 电解电容并接 0.1uF 陶瓷电容、Diode 为肖特基二极管
SD2350D30
典型应用电路(
SD2350D50,SD2350D56 电路见附件):
(测试输入电流时,输入电容 Cin=47uF 必须接入)
图一:
典型应用电路
SD2350D30
SD2350D56F
典型应用电路(外置 NMOS 管为低阈值开启电压 ):
图二:
SD2350D56F 典型应用电路
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
升压/降压电路:
降压电路
注:以上电路中的启动电路
十、 使用注意事项
外围电路对
系列升压转换芯片性能影响很大,需合理选择外部器件:
SD2350D
1) 外接电容值不宜小于 47μF(电容值过小将导致输出纹波过大),同时要有良好的频率特性(最好
使用钽电容或高频电容)。此外,由于 LX 开关驱动晶体管关断时会产生一尖峰电压,电容的容压值至少
为设计输出电压的 3 倍;(普通的铝电解电容 ESR 值过高,所以可选购专门应用于开关式 DC/DC 转换器的
铝电解电容)。
2) 外接电感值要足够小以便即使在最低输入电压和最短的 LX 开关时间内能够存储足够的能量,同
时,电 感值又要足够大从而防止在最高输入电压和最长的 LX 开关时间时 ILXMAX 超出最大额定值。此外,
外接电感的直流阻抗要小、容流值要高且工作时不至于达到磁饱和。
3) 外接二极管宜选择具有较高切换速度的肖特基二极管。
4) 客户若驱动大电流负载(大于 150mA),而纹波要求不高,则可以减小电感(22uH 左右);
客户若驱动小电流负载(小于 50mA)并想得到低纹波的输出电压,则可增大电感值
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
注意事项:
1)该芯片为驱动大负载而设计,所以外围元器件与芯片距离越小越好,连线越短越好。特 别 是 接 到 OUT
端的元器件应尽量减短与电容的连线长度;
2)特别建议使用钽电容;如果在芯片 OUT 和 Vss 两端并接电解电容时需要并接 0.1-1µ 的陶瓷电容。
3)Vss 端应充分接地,否则芯片内部的零电位会随开关电流而变化,造成工作状态不稳定。
十一、封装结构尺寸图示
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SOT- 23(窄体)
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附件:
内置 MOS 管
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DC/ DC 升压变换芯片 — SD2350D
、SD2350D56 驱动大电流高效率方案
SD2350D50
输入电源为锂电池(3.2v≤Vin≤4.2v)
1.驱动负载 150mA≤Io≤500mA
(1)SD2350D50
典型应用电路
SD2350D50
锂电池输入条件下
驱动大负载电路
建议各器件参数 L=47uH(内阻<0.1ohm), Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),
Diode=1N5817\1N5818\1N5819,
Cout 为 20uF 电解电容(或 20uF 胆电容串联 0.5 欧姆电阻)和 0.1uF 陶瓷电容并联。
驱动 400mA 负载下,效率高于 80%
SD2350D50
(2)
典型应用电路
锂电池输入条件下
驱动大负载电路
SD2350D50
建议各器件参数 L=100uH(内阻<0.1ohm), Cin=47uF(实际应用中可不接该电容),
Diode=1N5817\1N5818\1N5819,
Cout 为 20uF 电容(不分电解电容、胆电容)串联 0.5 欧姆电阻和 0.1uF 陶瓷电容并联。
驱动 400mA 负载下,效率高于 80%
2. 驱动负载 Io<150mA 时
格书中典型应用电路的参数。
、SD2350D56外围器件参数参照 SD2350D
SD2350D50
、SD2350D56 应用中陶瓷电容 0.1uF~1uF 必须接上,并且靠近芯片输出端。
SD2350D50
注意:
9
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相关型号:
SD24
Trans Voltage Suppressor Diode, 24V V(RWM), Unidirectional, 2 Element, Silicon, CERAMIC, LCC-6
MICROSEMI
SD24-01FTG
Trans Voltage Suppressor Diode, 450W, 24V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-2
LITTELFUSE
SD241
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 45V V(RRM), Silicon, TO-204AA, TO-204AA, 2 PIN
DIODES
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