S4NAD80 [SHINDENGEN]
Twin Diode; 双二极管
| 型号： | S4NAD80 |
| 厂家： | 
SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD |
| 描述： | Twin Diode |
| 文件： | 总2页 (文件大小：126K) |
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ツインダイオード
Twin Diode
実装デバイスꢀアレイ型
Surface Mounting Device Diode Array
■外形寸法図ꢀOUTLINE DIMENSIONS
Unit : mm
Weight：0.29g（typ.）
Package：1NA
極性記号
品名略号
Terminal direction
S1NAD80
Type No.
④
①
クラス
Class
④
①
800V 3A
（1.2）
A K
AD 80
014N
特 長
②
③
②
●小型面
実装
●ツイン
③
0.9±0.15
ロット記号（例）
Date code
ソルダーリングパッドの参考パターン
3.4±0.2
（5.1）
●耐湿性に優れ高信
頼
管理番号（例）
5.08±0.2
6.8±0.2
Control No.
●自動実装対応
Standard soldering pad
C0.8
Feature
●Small SMD
●Twin-Di
1.0±0.2
1.0±0.2
0.15
●High-Reliability
●for Auto-Mount
（製品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）
■定格表 RATINGS
指定のない場合は
●絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings（
Tl =25℃／unless otherwise specified）
品 名
項
目
記号
Symbol
単位
Unit
条 件
Conditions
S1NAD80
TypeꢀNo.
Item
保存温度
Storage Temperature
Tstg
－55～150
℃
℃
V
接合部
温度
Tj
150
800
3
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
VRM
Tl=102℃
50Hz 正弦波，抵抗負荷，プリント基
板実装，
出力電流
Average Rectified Forward Current
IO
50Hz sine wave, Resistance load,
On glass-epoxy substrate,
A
Ta=31℃
1.5
110
60
せん頭サージ順 電流
Peak Surge Forward Current
50Hz 正弦波，非繰り返し1サイクルせん頭値，Tj=25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj=25℃
IFSM
I2t
A
A2s
電流二乗時間積
Current Squared Time
1ms≦t＜10msꢀTj=25℃
指定のない場合は
●電気的・熱的特性ꢀElectrical Characteristics（
Tl =25℃／unless otherwise specified）
パルス測定，一素子当たりの規格値
順
電圧
MAX
MAX
MAX
VF
IF=0.75A,
V
1.05
10
Pulse measurement, per diode
Forward Voltage
パルス測定，一素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
逆電流
Reverse Current
IR
μA
VR=800V,
接合部
・リード間，プリント基
板実装
θjl
θja
15
Junction to Lead, On glass-epoxy substrate
熱抵抗
Thermal Resistance
℃/W
接合部
・周
囲間，プリント基
板実装
1
MAX
*
84
Junction to Ambient, On glass-epoxy substrate
2
1：銅箔パターン101mm
ꢀ
*
2
Copper soldering pad Area 101mm
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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（J 514-6）
S1NAD80
■特性図ꢀCHARACTERISTIC DIAGRAMS
せん頭サージ電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
順
方向特性
順 電力損失曲線
Forward Power Dissipation
Forward Voltage
150
10
3.5
sine wave
Tj=150℃
sine wave
R - load
3
2.5
2
0
single phase rectification
〔
〔
10ms 10ms
1
0.1
1cycle
Tl =150℃〔TYP〕
Tl =25℃〔TYP〕
non-repetitive
Tj＝25℃
100
50
0
〔
〔
1.5
1
0.01
0.001
0.5
0
Pulse measurement
〔
〔
0
0.5
1
1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
1
10
100
Average Rectified Forward Current IO〔A〕
Number of Cycles
Forward Voltage VF〔V〕
ディレーティングカーブ Ta
－Io
ディレーティングカーブ Tl
ーIo
Derating Curve Ta
－Io
Derating Curve Tl
ー
Io
3.5
2
sine wave
R - load
single phase rectification
〔
〔
3
sine wave
1.5
1
R - load
2.5
single phase rectification
〔
〔
2
1.5
1
on glass-epoxy substrate
on glass-epoxy substrate
0.5
0
Soldering land
conductor layer
:
1.2 mm
35μ
Soldering land
conductor layer
Pattern area
:
1.2 mm
35μ
0.5
0
:
:
Pattern area
:
101 mm2
:
101 mm2
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
20
40
60
80
100 120
140 160
Ambient Temperature Ta〔℃〕
Lead Temperature Tl〔℃〕
・Sine waveは50Hzで測定しています。
・50Hz sine wave is used for measurements.
・半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。
・Semiconductor products generally have characteristic variation. Typical is a statistical average
of the device’s ability.
www.shindengen.co.jp/product/semi/
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（J 514-6）
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