F6B52HP [SHINDENGEN]
Power MOSFET; 功率MOSFET
| 型号： | F6B52HP |
| 厂家： | 
SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD |
| 描述： | Power MOSFET |
| 文件： | 总2页 (文件大小：152K) |
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PowerMOSFET
■外観図 OUTLINE
Unit：mm
Package：FB
F6B52HP
525V6A
6.6
2.3
特 長
④
煙低オン抵抗
品名略号
Type No.
煙面実装タイプ
F6B52H
000A00
Feature
ロット記号（例）
Date code
煙LowRON
煙SMDPackage
②
① ③
外形図については新電元Webサイトをご参照下さい。捺印表示については捺
印仕様をご確認下さい。
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".
■定格表 RATINGS
指定のない場合
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings（
Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）
項
目
記号
条
件
規格値
単位
Item
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
保存温度
Tstg
Tch
－55～150
150
525
±30
6
StorageTemperature
℃
チャネル温度
ChannelTemperature
ドレイン・ソース間電圧
V
DSS
Drain-SourceVoltage
V
ゲート・ソース間電圧
V
GSS
Drain-SourceVoltage
ドレイン電流（直流）
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)
ドレイン電流（ピーク）
パルス幅10μs,duty=1/100
I
DP
24
A
ContinuousDrainCurrent(Peak)
Pulsewidth10µs,duty=1/100
ソース電流（直流）
I
S
6
ContinuousSourceCurrent(DC)
全損失
P
15
W
A
T
TotalPowerDissipation
繰り返しアバランシェ電流
I
AR
Tch＝150℃
6
RepetitiveAvalancheCurrent
単発アバランシェエネルギー
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
E
AS
50
SingleAvalancheEnergy
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
mJ
繰り返しアバランシェエネルギー
Tc=Tchからのスターティング温度 Tch=25℃
E
AR
5
RepetitiveAvalancheEnergy
StartingtemperatureTch=Tc,Tch=25˚C
ドレインソース間ダイオード
di/dt I＝6A,Tc＝25℃
S
350
A/μs
Drain-SourceDiode
指定のない場合
●電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（
Tc＝25℃/Unlessotherwisespecified）
規格値 Ratings
項
目
記号
Symbol
条
件
単位
Item
Conditions
Unit
MIN TYP MAX
ドレイン・ソース間降伏電圧
V
I＝1mA,V ＝0V
D GS
525
─
─
─
─
─
V
（BR）DSS
Drain-SourceBreakdownVoltage
ドレイン遮断電流
I
V ＝525V,V ＝0V
DS GS
100
±10
─
DSS
ZeroGateVoltageDrainCurrent
μA
ゲート漏れ電流
I
V ＝±25V,V ＝0V
GS DS
─
GSS
Gate-SourceLeakageCurrent
順伝達コンダクタンス
gfs I＝3A,V ＝10V
D DS
2
6
S
Ω
ForwardTransconductance
ドレイン・ソース間オン抵抗
R
（DS）ON
I＝3A,V ＝10V
D GS
─
1.0
1.2
StaticDrain-SourceOn-stateResistance
ゲートしきい値電圧
V
TH
I＝1mA,V ＝10V
D DS
3.0 3.75 4.5
GateThressholdVoltage
V
ソース・ドレイン間ダイオード順電圧
V
I＝3A,V ＝0V
S GS
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
1.5
8.33 ℃/W
nC
SD
Source-DrainDiodeForwadeVoltage
熱抵抗
接合部・ケース間
Junctiontocase
θjc
Qg
─
ThermalResistance
ゲート全電荷量
V ＝400V,V ＝10V,I＝6A
DD GS D
10
580
4
─
─
─
─
─
─
─
─
TotalGateCharge
入力容量
Ciss
InputCapacitance
帰還容量
Crss V ＝35V,V ＝0V,f＝1MHz
DS GS
pF
ReverseTransferCapacitance
出力容量
Coss
td（on）
tr
65
15
10
40
15
OutputCapacitance
ターンオン遅延時間
Turn-ondelaytime
I＝3A,R ＝50Ω,
D L
上昇時間
Risetime
V ＝150V,
DD
ns
ターンオフ遅延時間
td（off）
tf
Turn-offdelaytime
V
GS（＋）
＝10V,V
＝0V
GS（－）
下降時間
Falltime
（MOSFET〈2010.07〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
F6B52HP
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS
出力特性
伝達特性
ドレイン・ソース間オン抵抗─ドレイン電流
Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current
２０
Typical Output Characteristics
１２
Transfer Characteristics
１２
VGS＝１０V
VＧS=１０Ｖ
Ｔｃｃ=－－５５℃
Tc＝２５℃
TYP
８Ｖ
VＧS=６６Ｖ
２５℃
１０
５
１０
１０
Pulse measurement
ꢀ１５００℃
ꢀ１０００℃
８
８
６
４
２
０
２
１
６
４
０．５
VVＧS=５５Ｖ
VDS=20V
２
TYP
０．２
０．１
Tc=25℃
Pulse measurement
１５
Pulse measurement
TYP
０
０
５
１０
１５
２０
２５
０
５
１０
２０
０．１ ０．２
０．５
１
２
５
１０１２
Drain Source Voltage VDS〔V〕
ドレイン・ソース間オン抵抗─ケース温度
Gate Source Voltage VGS〔V〕
ゲートしきい値電圧─ケース温度
Drain Current ID〔A〕
安全動作領域
Static Drain-Source On-state Resistance vs Case Temperature
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature Safe Operating Area
５０
１０
６
５
４
３
２
１
０
Pulse measurement
Pulse measurement
２４
１８
１２
５
10μss
６
２
100μss
200μss
IID=３A
１
R
DDSS（（oonn））
１
RRestrriicted sppaaccee
０．５
1ms
０．１
10ms
DC
０．２
０．１
V
DS＝１０V
=１mA
TYP
ID
Tc＝２５℃
V
GS＝１０V
Single pulse
TYP
０．０１
－５５
０
５０
１００
１５０
－５５
０
５０
１００
１５０
１
１０
１００
５２５
Case Ｔemperature Tc〔℃〕
Case Temperature Tc〔℃〕
Drain Source Voltage VDS〔V〕
過渡熱抵抗
キャパシタンス特性
全損失減少率─ケース温度
Transient Thermal Impedance
１００
Capacitance Characteristics
５０００
Power Derating - Case Temperature
１００
θjc
１０００
８０
６０
４０
２０
０
１０
Ｃｉｓｓ
１
１００
Ｃooｓｓｓｓ
０.１
１０
００. １
００. ０１
Ｃrrｓｓｓｓ
f＝１MHz
Tc＝２５℃
TYP
１
０
-５
-４
１０
-３
１０
-２
１０
-１
１０
０
１０
１
１０
１０
２０
４０
６０
８０
１００
０
２５
５０
７５
１００
１２５
１５０
Time t〔s〕
Drain Source Voltage VDS〔Ｖ〕
単発アバランシェ 電流─インダクタンス
Case Temperature Tc〔℃〕
ゲートチャージ特性
Gate Charge Characteristics
５００
単発アバランシェ エ ネルギー減少率─チャネル温度
Single Avalanche Current vs Inductive Load
５０
Single Avalanche Energy Derating vs Channel Temperature
２０
１００
V
DD＝１００V
GS＝１５V,－０V
Rg＝１００Ω
ID=６A
V
TYP
VDS
８０
６０
４０
２０
０
４００
１
５
１０
６
IAS＝６A
V
DD=４００Ｖ
２００Ｖ
V
ＧSS
３００
１００Ｖ
EAR＝５mJ
EAS＝５０mJ
１０
２
０
０
０
０
１
５
１０
０
２０
０．１
０
５
１０
１５
０
５０
１００
１５０
Total Gate Charge Qg〔nC〕
Inductance L〔mH〕
Starting Channel Temperature Tch〔℃〕
＊Sinewaveは50Hzで測定しています。
＊50Hzsinewaveisusedformeasurements.
（MOSFET〈2010.07〉）
www.shindengen.co.jp/product/semi/
相关型号：
F6C-2E3LF-FREQ-BC
HCMOS Output Clock Oscillator, 1.5MHz Min, 59MHz Max, ROHS COMPLIANT, DIP-14/4
FOX
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