F15F60C3M [SHINDENGEN]

Power MOSFET; 功率MOSFET
F15F60C3M
型号: F15F60C3M
厂家: SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD    SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD
描述:

Power MOSFET
功率MOSFET

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PowerMOSFET  
■外観図 OUTLINE  
Unitmm  
PackageFTO-220A  
F15F60C3M  
10  
4.5  
例)  
600V15A  
Date code  
管理番例)  
Control No.  
特 長  
低オン抵抗  
高速スイッチング  
絶縁タイプ  
0000  
15F60C3M  
品名略号  
Type No.  
Feature  
LowRON  
FastSwitching  
IsolatedPackage  
:
① G  
:
D
:
① ② ③ ③ S  
外形図については新電元Webイトをご参照下さい印表示については捺  
印仕様をご確認下さい。  
Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe  
marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection".  
■定格表 RATINGS  
指定のない場合  
●絶対最大定格 AbsoluteMaximum Ratings(  
Tc25)  
記号  
規格値  
単位  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
保存温度  
Tstg  
Tch  
55150  
150  
600  
±30  
15  
StorageTemperature  
チャネル温度  
ChannelTemperature  
ドレイース間電圧  
V
DSS  
Drain-SourceVoltage  
V
ゲーース間電圧  
V
GSS  
Drain-SourceVoltage  
ドレイン電直流)  
I
D
ContinuousDrainCurrent(DC)  
ドレイン電ピーク)  
パルス10μs,duty=1/100  
I
DP  
45  
ContinuousDrainCurrent(Peak)  
Pulsewidth10µs,duty=1/100  
A
ソース電直流)  
I
S
15  
ContinuousSourceCurrent(DC)  
全損失  
P
T
55  
W
TotalPowerDissipation  
絶縁耐圧  
一括端ース間AC1分間印加  
Vdis  
2
kV  
DielectricStrength  
Terminalstocase,AC1minute  
締め付けトルク  
(推奨0.3Nm)  
TOR  
0.5  
Nm  
MountingTorque  
(Recommendedtorque:0.3Nm)  
指定のない場合  
●電気的特性 ElectricalCharacteristics(  
Tc25)  
規格値 Ratings  
記号  
Symbol  
単位  
Item  
Conditions  
Unit  
MIN TYP MAX  
ドレイース間降伏電圧  
V
I1mA,V 0V  
D GS  
600  
25  
V
BRDSS  
Drain-SourceBreakdownVoltage  
ドレイン遮断電流  
I
V =600V,V 0V  
DS GS  
DSS  
ZeroGateVoltageDrainCurrent  
μA  
ゲート漏れ電流  
I
V ±30V,V 0V  
GS DS  
±0.1  
GSS  
Gate-SourceLeakageCurrent  
順伝達コンダクタンス  
gfs I7.5A,V 10V  
D DS  
6.0 11.9  
S
Ω
ForwardTransconductance  
ドレイース間オン抵抗  
R
DSON  
I7.5A,V 10V  
D GS  
2.1  
0.25 0.28  
StaticDrain-SourceOn-stateResistance  
ゲートしきい値電圧  
V
I0.5mA,V 10V  
D DS  
3.0  
3.9  
1.5  
2.27 /W  
nC  
TH  
GateThressholdVoltage  
V
ソーレイン間ダイオード順電圧  
V
SD  
I7.5A,V 0V  
S GS  
Source-DrainDiodeForwadeVoltage  
熱抵抗  
接合ース間  
Junctiontocase  
θjc  
ThermalResistance  
ゲート全電荷量  
Qg V 10V,I15A,V 400V  
GS D DD  
56  
1600  
40  
510  
26  
42  
240  
36  
TotalGateCharge  
入力容量  
Ciss  
InputCapacitance  
帰還容量  
Crss V 25V,V 0V,f1MHz  
DS GS  
pF  
ReverseTransferCapacitance  
出力容量  
Coss  
tdon)  
tr  
OutputCapacitance  
ターンオン遅延時間  
Turn-ondelaytime  
上昇時間  
I7.5A,V 150V,R 20Ω  
D DD L  
Risetime  
ns  
ターンオフ遅延時間  
V
GS+)  
10V,V  
0V  
GS-)  
tdoff)  
tf  
Turn-offdelaytime  
下降時間  
Falltime  
MOSFET2010.06)  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  
F15F60C3M  
■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS  
出力特性  
伝達特性  
ドレイース間オンドレイ電流  
Static Drain-Source On-static Resistance vs Drain Current  
10  
Typical Output Characteristics  
30  
Transfer Characteristics  
30  
V
GS10V  
Tc=25℃  
TYP  
V  
V  
==℃  
℃  
25  
Tc℃  
TYP  
℃  
℃  
V  
Pulse measurement  
25  
Pulse measurement  
20  
15  
10  
20  
15  
10  
5V  
5  
2  
1  
V
DS=20V  
TYP  
VVSS =V  
Pulse measurement  
15  
5  
10  
15  
20  
25  
10  
20  
1 02  
5  
10  
30  
Drain Source Voltage VDS〔V〕  
Gate Source Voltage VGS〔V〕  
トし値電圧─ケ度  
Drain Current ID〔A〕  
ドレイース間オン抗─ケ度  
安全動作領域  
Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Temperature  
Gate Threshold Voltage vs Case Temperature Safe Operating Area  
100  
10  
Pulse measurement  
Pulse measurement  
45  
30  
15  
10  
100μss  
200μss  
R
DDSSoonn)  
ID=AA  
RRestricted spacee  
1ms  
10ms  
DC  
1  
1  
V
DSV  
=0mA  
TYP  
V
GS10V  
Pulse test  
TYP  
ID  
Tc℃  
Single pulse  
1  
-55  
1  
50  
100  
150  
-55  
50  
100  
150  
10  
100  
600  
Case emperature Tc〕  
Case Temperature Tc〕  
Drain Source Voltage VDS〔V〕  
過渡熱抵抗  
キャパシタンス性  
全損失減少ケース温度  
Transient Thermal Impedance  
10  
Capacitance Characteristics  
10000  
Power Derating - Case Temperature  
100  
s  
θjc  
80  
60  
40  
20  
1000  
oos  
rrs  
100  
1  
10  
fMHz  
Tc℃  
TYP  
1  
-4  
-3  
-2  
-1  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
20  
40  
60  
80  
100  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Time t〔s〕  
Drain Source Voltage VDSV〕  
Case Temperature Tc〕  
チャージ性  
Gate Charge Characteristics  
500  
20  
I
D=A  
TYP  
VDS  
400  
15  
VS  
VDD=V  
20V  
300  
10V  
10  
10  
100  
20  
40  
60  
80  
Total Gate Charge QgnC〕  
Sinewave50Hz測定しています。  
50Hzsinewaveisusedformeasurements.  
MOSFET2010.06)  
www.shindengen.co.jp/product/semi/  

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